多晶硅薄膜及其在集成電路中的應(yīng)用

　　本書第一版出版于1988年．由于集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展及多晶硅薄膜應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓寬，原書近半數(shù)內(nèi)容已與當(dāng)今的技術(shù)發(fā)展不相適應(yīng)．這次修訂作了大幅度的增刪，其結(jié)構(gòu)也由原來(lái)的八章變?yōu)槭?，修改與補(bǔ)充的內(nèi)容都是原書寫作10年來(lái)涌現(xiàn)出的新科技成果．本書內(nèi)容可分為前后兩部分．前六章重點(diǎn)闡述多晶硅薄膜的基本性質(zhì)及工藝機(jī)理，如，多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)，雜質(zhì)在多晶硅薄膜中的擴(kuò)散，多晶硅薄膜的離子注入摻雜、氧化、淀積，以及多晶硅／硅化物薄膜等；本書后六章重點(diǎn)介紹應(yīng)用，包括多晶硅薄膜在MOS集成電路和雙極集成電路中的應(yīng)用，在微電子機(jī)械系統(tǒng)中的應(yīng)用，以及在顯示器件及三維集成電路中的應(yīng)用．本書可供從事半導(dǎo)體器件、集成電路研制和設(shè)計(jì)的科技人員參考，也可作為理工科高等學(xué)校微電子、半導(dǎo)體、應(yīng)用物理專業(yè)高年級(jí)學(xué)生及研究生的教材或教學(xué)參考書．

暫缺《多晶硅薄膜及其在集成電路中的應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介