薄膜生長

第一章 相平衡和界面相
1.1 相平衡
1.2 元素和合金的相圖
1.3 固溶體的能量
1.4 固溶體的組態(tài)腦
1.5 界面相
1.6 界面曲率半徑的影響
1.7 晶體表面能、界面能和黏附能
1.8 固體表面張力的測定方法
1.9 表面能對薄膜穩(wěn)定性的影響
參考文獻
第二章 晶體和晶體表面的對稱性
2.1 晶體的對稱性
2.2 晶體表面的對稱性
2.3 晶面間距和晶列間距公式
2.4 倒易點陣
參考文獻
第三章 晶體表面原子結(jié)構(gòu)
3.1 晶體表面的原子結(jié)構(gòu)
3.2 表面原子的配位數(shù)
3.3 表面的臺面-臺階-扭折（TLK）結(jié)構(gòu)
3.4 鄰晶面上原子的近鄰數(shù)
3.5 晶體表面能的各向異性
3.6 臺階和臺面的粗糙化
參考文獻
第四章 再構(gòu)表面和吸附表面
4.1 再構(gòu)表面和吸附表面結(jié)構(gòu)的標記
4.2 半導體再構(gòu)表面結(jié)構(gòu)
4.3 金屬再構(gòu)表面結(jié)構(gòu)
4.4 吸附表面結(jié)構(gòu)
4.5 表面相變
參考文獻
第五章 薄膜中的晶體缺陷
5.1 密堆積金屬申的點缺陷
5.2 半導體中的點缺陷
5.3 表面點缺陷
5.4 位錯和層錯
5.5 孿晶界和其他面缺陷
參考文獻
第六章 外延薄膜中缺陷的形成過程
6.1 晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的影響
6.2 異質(zhì)外延薄膜中的應變
6.3 外延薄膜中的錯配位錯
6.4 島狀薄膜中的應變和錯配位錯
6.5 外延薄膜中其他缺陷的產(chǎn)生
參考文獻
第七章 薄膜中的擴散
7.1 擴散的宏觀定律和微觀機制
7.2 短路擴散
7.3 半導體晶體中的擴散
7.4 短周期超晶格中的互擴散
7.5 反應擴散
7.6 表面擴散
7.7 表面擴散的實驗研究方法
7.8 電遷移
參考文獻
第八章 薄膜的成核長大熱力學
第九章 薄膜的成核長大動力學
第十章 金屬薄膜的生長
第十一章 半導體薄膜的生長
第十二章 氧化物薄膜的生長
第十三章 薄膜中的分形
第十四章 薄膜的制備方法
第十五章 薄膜研究方法