電可改寫(xiě)非揮發(fā)存儲(chǔ)器

定　價(jià)：￥19.00

作　者：	于宗光，郝躍著
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

ISBN：	9787118027679	出版時(shí)間：	2002-01-01	包裝：	精裝
開(kāi)本：	20cm	頁(yè)數(shù)：	227頁(yè)	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)介紹了EEPROM單元結(jié)構(gòu)的變革及發(fā)展方向，EEPROM的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，EEPROM中隧道氧化層的可靠性研究，電可改寫(xiě)集成電路的應(yīng)用等12章內(nèi)容。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《電可改寫(xiě)非揮發(fā)存儲(chǔ)器》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第一章電可改寫(xiě)集成電路簡(jiǎn)介
第二章 EEPROM單元結(jié)構(gòu)的變革及發(fā)展方向
第三章 FLOTOX EEPROM單元設(shè)計(jì)技術(shù)
第四章 EEPROM的電路設(shè)計(jì)技術(shù)
第五章 EEPROM中隧道氧化層的可靠性研究
第六章 FLOTOX EEPROM MOS管的可靠性研究
第七章 EEPROM單元的耐久性研究
第八章 EEPROM單元的保持特性研究
第九章 EEPROM的失效機(jī)理與考核
第十章 EEPROM的誤差校正技術(shù)及成品率
第十一章 flash memory技術(shù)
第十二章電可改寫(xiě)集成電路的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)