集成電路

集成電路A
1 集成電路的學(xué)習(xí)方法
1·1 集成電路的發(fā)明
1·2 集成電路發(fā)展的動力
1·3 集成電路的未來
1·4 本書的構(gòu)成
練習(xí)題
引用文獻
2 集成電路中的半導(dǎo)體器件
2·1 pn結(jié)
2·2 雙極型晶體管
2·3 MOS晶體管
2·4 集成電路中的無源元件
練習(xí)題
引用文獻
3 集成電路的基礎(chǔ)工藝
3·1 采用硅單晶制造集成電路的理由
3·2 氧化、擴散及離子注入技術(shù)
3·3 形成精細圖形的光刻技術(shù)
3·4 腐蝕技術(shù)
3·5 薄膜淀積技術(shù)
練習(xí)題
引用文獻
4 集成電路的制造工藝
4·1 集成電路的基本結(jié)構(gòu)
4·2 雙極型集成電路的制造
4·3 MOS集成電路的制造
4·4 多層布線
練習(xí)題
5 數(shù)字集成電路的基本電路
5·1 數(shù)字集成電路的基本電路
5·2 CMOS集成電路的基本電路
5·3 集成電路掩模的設(shè)計
練習(xí)題
引用文獻
6 工藝、器件及電路的模擬技術(shù)
6·1 假想工廠
6·2 制造工藝的模擬
6·3 器件電特性的模擬
6·4 基本電路特性的模擬
6·5 模擬結(jié)果和實際的差異
練習(xí)題
引用文獻
練習(xí)題解答
參考文獻
集成電路B
1 集成電路設(shè)計與制造的關(guān)系
1·1 集成電路新產(chǎn)品的研制
1·2 影響開發(fā)周期的CAD技術(shù)和可靠性評估
1·3 組裝技術(shù)和集成電路設(shè)計的關(guān)系
練習(xí)題
2 集成電路設(shè)計的CAD技術(shù)
2·1 集成電路設(shè)計的CAD技術(shù)概述
2·2 功能設(shè)計的CAD技術(shù)
2·3 邏輯設(shè)計的CAD技術(shù)
2·4 測試設(shè)計的CAD技術(shù)
2·5 布圖設(shè)計的CAD技術(shù)
練習(xí)題
3 數(shù)字集成電路的設(shè)計
3·1 CMOS基本門電路的分類
3·2 典型的組合型邏輯電路
3·3 時序邏輯電路基礎(chǔ)
3·4 微處理器的設(shè)計
3·5 專用集成電路的設(shè)計
練習(xí)題
4 模擬集成電路的設(shè)計
4·1 基本模擬集成電路
4·2 各種放大電路
4·3 模/數(shù)和數(shù)/模轉(zhuǎn)換電路
4·4 其他常用模擬電路
練習(xí)題
引用文獻
5 存儲器集成電路的設(shè)計
5·1 存儲器集成電路的種類
5·2 存府單元的種類和構(gòu)造
5·3 存儲單元數(shù)據(jù)的讀出和寫入
5·4 制造存儲器集成電路時的注意事項
練習(xí)題
引用文獻
6 封裝及組裝技術(shù)
6·1 封裝的性能要求
6·2 塑料封裝工藝
6·3 塑料封裝材料
6·4 陶瓷封裝
6·5 封裝的種類及其趨勢
6·6 芯片裸裝技術(shù)
6·7 熱阻
練習(xí)題
7 集成電路的可靠性
7·1 影響集成電路可靠性的主要因素
7·2 柵極二氧化硅膜的退化機理
7·3 熱載流子引起MOS晶體管退化的機理
7·4 布線退化機理
練習(xí)題
引用文獻
練習(xí)題解答
參考文獻