新型電子薄膜材料

第1章 緒論
1．1 薄膜的定義及特性
1．2 薄膜材料研究現(xiàn)狀
1．3 新型薄膜材料發(fā)展前景
參考文獻
第2章 新型半導(dǎo)體薄膜材料
2．1 概述
2．2 硅基非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜
2．3 多晶硅和微晶硅薄膜
2．4 a-Si:H太陽電池
2．5 薄膜晶體管與大面積液晶顯示器
參考文獻
第3章 金剛石薄膜及相關(guān)材料
3．1 概述
3．2 金剛石薄膜
3．3 類金剛石膜（DLC）
3．4 立方氮化硼薄膜
3．5 B-C3N4薄膜
3．6 BCN薄膜
3．7 其他硬質(zhì)薄膜
3．8 寬帶隙薄膜材料場電子發(fā)射研究的現(xiàn)狀與問題
參考文獻
第4章 納米薄膜材料與可見光發(fā)射
4．1 概述
4．2 發(fā)光機理及Si發(fā)光面臨的問題
4．3 Ge/Si超晶格和量子阱結(jié)構(gòu)材料
4．4 Ge/SiO2、Si/SiO2納米膜發(fā)光
4．5 多孔硅發(fā)光
4．6 GaN基薄膜材料發(fā)光
4．7 薄膜發(fā)光顯示器（Ⅱ-Ⅵ族化合物）
4．8 硅中摻鉺（Er）的發(fā)光特性及機理
4．9 ZnO量子點——半導(dǎo)體激光器新材料
參考文獻
第5章 硫系及其他多元化合物薄膜
5．1 概述
5．2 硫系化合物半導(dǎo)體
5．3 CuInSe2(CIS)薄膜及薄膜太陽能電池
5．4 CdTe太陽電池
5．5 薄膜靜電成像——復(fù)印鼓
5．6 納米Sn太陽能吸熱膜
參考文獻
第6章 介質(zhì)薄膜材料
6．1 概述
6．2 電介質(zhì)薄膜及應(yīng)用
6．3 鐵電薄膜及應(yīng)用
6．4 壓電薄膜及應(yīng)用
參考文獻
第7章 高溫超導(dǎo)薄膜材料
7．1 概述
7．2 高溫超導(dǎo)薄膜制備方法
7．3 高溫超導(dǎo)薄膜材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
7．4 高溫超導(dǎo)薄膜材料的應(yīng)用
參考文獻
第8章 巨磁阻薄膜材料
8．1 概述
8．2 磁性多層模的巨磁阻效應(yīng)
8．3 顆粒膜的巨磁阻效應(yīng)
8．4 自旋閥多層膜的巨磁阻效應(yīng)
8．5 摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應(yīng)
參考文獻
第9章 其他薄膜材料
9．1 概述
9．2 超晶體和量子阱薄膜材料
9．3 有機電致發(fā)光薄膜
9．4 透明導(dǎo)電膜（TCO）及其在電子工業(yè)方面的應(yīng)用
9．5 窄帶隙紅外光導(dǎo)薄膜材料（HgCdTe）
9．6 變色薄膜材料
9．7 防偽技術(shù)和光學(xué)防偽膜
參考文獻
第10章 薄膜制備的新技術(shù)和檢測手段
10．1 概述
10．2 濺射法
10．3 微波電子加旋共振化學(xué)相沉積
10．4 分子束外延
10．5 金屬有機化學(xué)氣相沉積
10．6 直流電弧等離子體噴射CVD法
10．7 溶膠-凝膠法
10．8 電沉積
10．9 脈沖激光沉積法
10．10 觸媒化學(xué)氣相沉積
10．11 薄膜檢測手段
參考文獻