抗輻射電子學(xué)：輻射效應(yīng)及加固原理

第一章 緒論
第二章 主要的強(qiáng)輻射環(huán)境
2.1 空間輻射環(huán)境
2.1.1 宇宙射線
2.1.2 太陽風(fēng)
2.1.3 極光輻射
2.1.4 范·艾倫輻射帶
2.2 核爆炸的核輻射環(huán)境
2.3 核電磁脈沖環(huán)境
2.3.1 高空核電磁脈沖
2.3.2 低空及地面核爆炸電磁脈沖
2.3.3 地下核爆炸電磁脈沖
2.4 內(nèi)電磁脈沖
2.5 系統(tǒng)電磁脈沖
2.5.1 絕緣體的康普頓充電效應(yīng)
2.5.2 金屬導(dǎo)體的丁輻射感生電流
2.6 高功率微波
2.7 幾種實(shí)驗(yàn)裝置的輻射環(huán)境
參考文獻(xiàn)
第三章 MOS場效應(yīng)晶體管的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
3.1 概述
3.2 MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的主要參數(shù)
3.3 電離輻射在SiO2中形成空間電荷的機(jī)制
3.3.1 空穴遷移模型
3.3.2 SiO2中空間電荷的結(jié)構(gòu)
3.3.3 SiO2中俘獲的正空間電荷的激活能
3.3.4 俘獲空穴的退火過程
3.3.5 鈉離子的影響
3.4 電離輻射在Si/SiO2界面產(chǎn)生的界面態(tài)
3.4.1 界面態(tài)特征
3.4.2 MOS器件電離輻射產(chǎn)生界面態(tài)的過程
3.4.3 影響界面態(tài)建立過程的因素
3.4.4 界面態(tài)建立的模型
3.4.5 MOSFET低溫輻射后退火過程中形成界面態(tài)的研究
3.4.6 電離輻射產(chǎn)生的界面態(tài)在禁帶能級(jí)中的轉(zhuǎn)移
3.5 MOSFET的電離輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
3.5.1 MOSFET的電離輻射效應(yīng)
3.5.2 襯底材料的影響及加固選擇
3.5.3 氧化的環(huán)境、溫度和氧化后的退火對(duì)輻射效應(yīng)的影響
3.5.4 氧化層厚度的影響
3.5.5 其他影響因素
3.5.6 MOS器件抗電離輻射加固的原則
參考文獻(xiàn)
第四章 雙極型、結(jié)型場效應(yīng)、靜電感應(yīng)型晶體管的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
4.1 概述
4.2 雙極晶體管的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
4.2.1 輻射對(duì)晶體管電參數(shù)的影響
4.2.2 γ射線或X射線的瞬時(shí)輻射效應(yīng)
4.2.3 雙極型晶體管抗輻射加固技術(shù)
4.3 幾種提高抗瞬時(shí)電離輻射能力的晶體管補(bǔ)償電路
4.3.1 射極電阻負(fù)反饋
4.3.2 二極管分流
4.3.3 二極管鉗位
4.3.4 負(fù)反饋分流作用
4.4 結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的輻射效應(yīng)和加固技術(shù)
4.4.1 結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)及其主要參數(shù)
4.4.2 JFET的輻射效應(yīng)
4.5 靜電感應(yīng)晶體管（SIT）的中子輻射效應(yīng)
4.5.1 靜電感應(yīng)晶體管的輻射效應(yīng)
4.5.2 雙極模式靜電感應(yīng)晶體管（BSIT）的中子輻射效應(yīng)
……
第五章　集成電路的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
第六章　強(qiáng)電磁場對(duì)電子系統(tǒng)的損傷效應(yīng)及加固方法
第七章　電子系統(tǒng)的總體加固設(shè)計(jì)及評(píng)價(jià)
第八章　核輻射與電磁脈沖效應(yīng)的測試方法
第九章　半導(dǎo)體器件和集成電路輻射效應(yīng)的計(jì)算機(jī)模擬分析預(yù)測