1 緒論
1.1 引言
1.2 真空微電子學的發(fā)展歷史
1.3 真空微電子學的特點和內容
1.4 真空微電子學的應用與發(fā)展趨勢
思考題與習題
參考文獻
2 場致發(fā)射
2.1 引言
2.2 表面電子特性
2.3 金屬場致發(fā)射
2.4 半導體場致發(fā)射
2.5 內場致發(fā)射
2.6 場致發(fā)射電子的能量分布和Nottingham效應
2.7 空間電荷效應
思考題與習題
參考文獻
3 器件物理與特性分析
3.1 引言
3.2 場致發(fā)射公式的特性
3.3 真空條件和FEA結構分析
3.4 FEA結構優(yōu)化和理論極限
3.5 FEA熱穩(wěn)定性和材料選擇
3.6 FEA陣列特性估算
思考題與習題
參考文獻
4 數(shù)值計算與器件特性模擬
4.1 引言
4.2 數(shù)值計算模型的建立
4.3 靜電場的數(shù)值模擬
4.4 電子軌跡及發(fā)射電流的計算
4.5 場致發(fā)射器件特性模擬
思考題與習題
參考文獻
5 器件制造與工藝
5.1 引言
5.2 縱向器件的制備
5.3 橫向器件的制備
5.4 器件封裝
5.5 器件制備中所涉及的重要工藝
思考題與習題
參考文獻
6 真空微電子器件
6.1 引言
6.2 真空集成電路有源元件
6.3 高頻和微波器件
6.4 電子源和微電子光學系統(tǒng)
6.5 場致發(fā)射顯示屏
6.6 傳感技術
6.7 顯微技術
思考題與習題
參考文獻