先進半導體材料性能與數(shù)據(jù)手冊

定　價：￥35.00

作　者：	（俄）Michael E.Levinshtein，（俄）Sergey L.Rumyantsev，（美）Michael S.Shur編；楊樹人，殷景志譯；楊樹人譯
出版社：	化學工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787502547462	出版時間：	2003-09-01	包裝：	平裝
開本：	23cm	頁數(shù)：	268	字數(shù)：

內容簡介

　　本書涉及的GaN等六種半導體材料是當前半導體材料領域研究的熱點，因此，稱它們?yōu)橄冗M半導體材料，對它們開展深入研究具有重大科學意義和應用價值。以GaN為首的氮化物和碳化硅作為寬帶半導體材料可用來制作短波長發(fā)光器件和高溫下工作的電子器件。有人把它們與Si和GaAs相比，分別稱Si為第一代，GaAs為第二代半導體材料，而把它們稱為第三代半導體材料，可見其重要性。當前利用GaN基材料制作近紫外、藍色、綠色發(fā)光二極管已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，制作的激光器也達到實用化水平。特別應指出它們還是“半導體照明工程”的首選材料，如果這一工程得以實現(xiàn)，將引起人類生活發(fā)生重大變革。Si和Ge都是間接帶隙元素半導體，利用它們很難制作出高效率的發(fā)光器件，但它們的合金SiGe卻有可能實現(xiàn)光學直接躍遷。盡管由SiGe合金熔體很難拉制出組成均勻的單晶，然而隨著“能帶工程”的發(fā)展，可以用Si單晶片作為襯底，用外延的方法生長應變的或弛豫的SiGe／Si材料。這種Si基半導體材料是非常重要的微電子集成電路和光電子集成電路材料，在SiGe上做良好的發(fā)光器件，利用成熟的硅集成技術在襯底上制作集成電路，兩者結合起來形成光電集成電路。雖然現(xiàn)在還沒有實現(xiàn)這一目標，但已經(jīng)取得相當大的進展，利用這種材料制作的HBT已經(jīng)應用到無線通信系統(tǒng)中。

作者簡介

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圖書目錄

第1章氮化鎵（GaN）
1．1 300K時的基本參數(shù)
1．2 能帶結構和載流子濃度
1．3 電特性
1．4 光學特性
1．5 熱特性
1．6 力學性質，彈性常數(shù)，晶格振動，其他特性第2章氮化鋁（AlN）
2．1 300K時的基本參數(shù)
2．2 能帶結構和載流子濃度
2．3 電特性
2．4 光學特性
2．5 熱特性
2．6 力學性質、彈性常數(shù)、晶格振動，其他特性第3章氮化銦（InN）
3．1 300K時的基本參數(shù)
3．2 能帶結構和載流子濃度
3．3 電特性
3．4 光學特性
3．5 熱特性
3．6 力學性質，彈性常數(shù)、晶格振動，其他特性第4章氮化硼（BN）
4．1 300K時的基本參數(shù)
4．2 能帶結構和載流子濃度
4．3 電特性
4．4 光學特性
4．5 熱特性
4．6 力學性質，彈性常數(shù)，晶格振動，其他特性第5章碳化硅（SiC）
5．1 300K時的基本參數(shù)
5．2 能帶結構和載流子濃度
5．3 電特性
5．4 光學特性
5．5 熱特性
5．6 力學性質，彈性常數(shù)、晶格振動，其他特性
第6章鍺化硅（Si1-xGex）
6．1 300K時無應力體材料的基本參數(shù)
6．2 能帶結構和載流子濃度
6．3 電特性
6．4 光學特性
6．5 熱特性
6．6 力學性質，彈性常數(shù)，晶格振動，其他特性