模擬集成電路教程

前言
第一部分 模擬電路分析設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
1 緒論
1.1 模擬電路、模擬信號(hào)及模擬系統(tǒng)
1.1.1 模擬電路與模擬信號(hào)
1.1.2 模擬系統(tǒng)
1.2 模擬電子技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用
2 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
2.1 半導(dǎo)體二極管
2.1.1 半導(dǎo)體和PN結(jié)
2.1.2 半導(dǎo)體二極管
2.1.3 二極管的特性
2.1.4 二極管的參數(shù)
2.1.5 二極管的電路模型
2.1.6 二極管的應(yīng)用舉例
2.1.7 特種二極管
2.2 半導(dǎo)體三極管
2.2.1 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)及工作原理
2.2.2 半導(dǎo)體三極管的特性
2.2.3 半導(dǎo)體三極管的參數(shù)
2.2.4 半導(dǎo)體三極管的模型
2.2.5 半導(dǎo)體三極管的簡(jiǎn)單應(yīng)用舉例
2.3 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2.3.1 NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
2.3.2 NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性
2.3.3 NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)
2.3.4 NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的模型
2.3.5 PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
*2.3.6 VMOS、DMOS和TMOS場(chǎng)效應(yīng)管
2.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2.4.1 MES結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET）
2.4.2 PN結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（pnJFET）
2.4.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
2.5 本章小結(jié)
3 半導(dǎo)體電路分析基礎(chǔ)
3.1 放大電路及其性能表征
3.1.1 放大與放大電路
3.1.2 放大電路的性能表征
3.2 放大電路的直流分析
3.2.1 直流工作點(diǎn)分析
3.2.2 直流傳輸特性分析
*3.2.3 直流敏感度分析
3.3 放大電路的交流分析
3.3.1 小信號(hào)放大的基本概念
3.3.2 交流小信號(hào)分析的基本方法
3.3.3 BJT放大電路的交流小信號(hào)分析
3.3.4 MOSFET放大電路的交流小信號(hào)分析
*3.3.5 JFET放大電路的交流小信號(hào)分析
3.4 放大電路的頻率響應(yīng)分析
3.4.1 半導(dǎo)體器件的頻率響應(yīng)
3.4.2 不同電路組態(tài)對(duì)頻率特性的影響
3.4.3 耦合電容、旁通電容和負(fù)載電容對(duì)電路頻率響應(yīng)的影響
3.5 放大電路的瞬態(tài)響應(yīng)分析
3.6 本章小結(jié)
4 半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
4.1 半導(dǎo)體放大電路的構(gòu)建準(zhǔn)則
4.2 放大電路中器件的偏置技術(shù)
4.2.1 幾種常用偏置技術(shù)
4.2.2 集成電路中的偏置技術(shù)
4.3 放大電路中的信號(hào)耦合技術(shù)
4.3.1 阻容耦合
*4.3.2 變壓器耦合
4.3.3 直接耦合
*4.3.4 光電耦合
4.4 電流源及有源負(fù)載
4.4.1 鏡像電流源
4.4.2 微電流源和比例電流源
4.4.3 威爾遜電流源
4.4.4 MOS電流源
4.4.5 有源負(fù)載電路
4.5 復(fù)合管及復(fù)合結(jié)構(gòu)電路
4.5.1 復(fù)合管
4.5.2 復(fù)合結(jié)構(gòu)電路
4.6 差分放大
4.6.1 差分放大電路及其工作原理
4.6.2 差分放大器的性能表征
4.6.3 BJT有源負(fù)載差分放大器
4.6.4 FET有源負(fù)載差分放大器
4.6.5 BiCMOS差分放大器
4.7 反饋
4.7.1 反饋的基本概念
4.7.2 反饋的基本組態(tài)
4.7.3 反饋的基本表達(dá)式
4.7.4 反饋的基本分析方法
4.7.5 引入負(fù)反饋的好處和問題
*4.8 電流模技術(shù)
4.8.1 電流模的基本概念
4.8.2 電流模電路的分析設(shè)計(jì)原理
4.8.3 電流模電路的分析舉例
4.9 本章小結(jié)
第二部分 常用模擬集成電路
5 集成運(yùn)算放大器
5.1 集成運(yùn)放的組成及工作原理
5.1.1 概述
5.1.2 集成運(yùn)放的組成及特點(diǎn)
5.2 常用集成運(yùn)算放大器
5.2.1 雙極型通用集成運(yùn)放741
5.2.2 雙極型通用集成四運(yùn)放124/224/324
5.2.3 CMOS程控四運(yùn)放14573
5.2.4 其他集成運(yùn)算放大器
5.3 本章小結(jié)
6 集成功率放大器
6.1 功率放大器的特點(diǎn)及分類
6.1.1 功率放大器的特點(diǎn)
6.1.2 功率放大器的分類
6.2 甲乙類雙電源互補(bǔ)功放電路
6.3 常用集成功放電路
6.3.1 雙極型集成功放LM380/LM384
6.3.2 BiCMOS集成功放SHMl150
6.3.3 其他常用功放芯片
7 集成穩(wěn)壓電路
7.1 直沉穩(wěn)壓電源的組成及工作原理
7.1.1 直沉穩(wěn)壓電源的電路組成
7.1.2 直流穩(wěn)壓電源的工作原理
7.2 直流穩(wěn)壓電源的性能參數(shù)
7.3 常用集成穩(wěn)壓電路
*8 在系統(tǒng)可編程模擬集成電路ispPAC
8.1 在系統(tǒng)可編程模擬集成器件ispPAC10
8.2 其他ispPAC電路
第三部分 模擬集成電路應(yīng)用
9 模擬集成電路的應(yīng)用
9.1 集成運(yùn)放的應(yīng)用
9.1.1 信號(hào)放大
9.1.2 信號(hào)運(yùn)算
9.1.3 信號(hào)濾波
9.1.4 信號(hào)比較
9.1.5 信號(hào)產(chǎn)生
9.1.6 集成函數(shù)發(fā)生器8038
9.1.7 集成運(yùn)放使用注意事項(xiàng)
9.2 集成功放的應(yīng)用
9.2.1 4100芯片接成音頻功放的典型線路
9.2.2 2822接成雙通道音頻功放
9.2.3 LM4860接成橋式音頻功放電路
9.3 集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用
9.3.1 常用固定電壓三端穩(wěn)壓器的應(yīng)用
9.3.2 常用可調(diào)電壓集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用
9.3.3 集成開關(guān)穩(wěn)壓器MC34063及其應(yīng)用
9.4 本章小結(jié)
第四部分 電子電路計(jì)算機(jī)輔助分析與設(shè)計(jì)
10 電子電路的機(jī)助分析與設(shè)計(jì)
10.1 概述
10.2 電子工作平臺(tái)EWB簡(jiǎn)介
10.2.1 EWB的基本功能
10.2.2 EWB的基本資源
10.2.3 EWB的主要特色
10.3 電子電路EWB輔助分析
10.3.1 電子電路EWB輔助分析方法
10.3.2 電子電路EWB輔助分析舉例
第五部分 基礎(chǔ)練習(xí)題及思考題
附錄Ⅰ部分 習(xí)題答案
附錄Ⅱ本書所用符號(hào)體系及常用符號(hào)
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介