電子封裝工程

《新材料及在高技術(shù)中的應(yīng)用叢書》序言
前言
第1章電子封裝工程概述
1.1電子封裝工程的定義及范圍
1.1.1定義
1.1.2范圍
1.1.3功能
1.1.4分類
1.2技術(shù)課題
1.2.1信號(hào)的高速傳輸
1.2.2高效率冷卻
1.2.3高密度化
1.2.4防止電磁波干擾技術(shù)
1.3從電子封裝技術(shù)到電子封裝工程
1.3.1電子封裝技術(shù)的體系與范圍
1.3.2電子封裝工程的主要課題
1.3.2電子封裝材料
1.3.4電子封裝發(fā)展的國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀
1.4工程問題
1.5電子封裝工程的發(fā)展趨勢(shì)
1.6我國(guó)應(yīng)該高度重視電子封裝產(chǎn)業(yè)
第2章電子封裝工程的演變與進(jìn)展
2.120世紀(jì)電子封裝技術(shù)發(fā)展的回顧
2.1.1電子封裝技術(shù)發(fā)展歷程簡(jiǎn)介
2.1.2電子管安裝時(shí)期(1900-1950年)
2.1.3晶體管封裝時(shí)期(1950-1960年)
2.1.4元器件插裝(THT)時(shí)期(1960-1975年)
2.1.5表面貼裝(SMT)時(shí)期(1975年-)
2.1.6高密度封裝時(shí)期(20世紀(jì)90年代初-)
2.2演變與進(jìn)展的動(dòng)力之一：從芯片的進(jìn)步看
2.2.1集成電路的發(fā)展歷程和趨勢(shì)
2.2.2集成度與特征尺寸
2.2.3MPU時(shí)鐘頻率的提高
2.2.4集成度與輸入／輸出(I／O)端子數(shù)
2.2.5芯片功耗與電子封裝
2.2.6半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展預(yù)測(cè)
2.3演變與發(fā)展的動(dòng)力之二：從電子設(shè)備的發(fā)展看
2.3.1便攜電話
2.3.2筆記本電腦
2.3.3攝像一體型VTR
2.4電子封裝技術(shù)領(lǐng)域中的兩次重大變革
2.4.1從插入式到表面貼裝--第一次重大變革
2.4.2從四邊引腳的QFP到平面陣列表面貼裝--第二次重大變革
2.4.3電子封裝的第三次重大變革
2.4.4邏輯器件和存儲(chǔ)器件都對(duì)電子封裝提出更高要求
2.4.5電子封裝的發(fā)展動(dòng)向
2.5多芯片組件(MCM)
2.5.1MCM的歷史.種類及其特征
2.5.2MCM的制作工藝--以MCM-D為例
2.5.3MCM的發(fā)展趨勢(shì)
2.6SiP與SoC
2.6.1何謂SiP和SoC
2.6.2單芯片路線遇到壁壘
2.6.3SiP和SoC的競(jìng)爭(zhēng)
2.6.4SiP的發(fā)展過程
2.6.5對(duì)SiP提出的疑問
2.6.6SiP面臨的挑戰(zhàn)
2.6.7SiP的標(biāo)準(zhǔn)化動(dòng)向
2.7半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展預(yù)測(cè)
2.7.1封裝的作用及電子封裝工程的地位
2.7.2半導(dǎo)體封裝技術(shù)的現(xiàn)狀及動(dòng)向
2.7.3主要半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2.7.4今后的課題
第3章薄膜材料與工藝
3.1電子封裝工程中至關(guān)重要的膜材料及膜技術(shù)
3.1.1薄膜和厚膜
3.1.2膜及膜電路的功能
3.1.3成膜方法
3.1.4電路圖形的形成方法
3.1.5膜材料
3.2薄膜材料
3.2.1導(dǎo)體薄膜材料
3.2.2電阻薄膜材料
3.2.3介質(zhì)薄膜材料
3.2.4功能薄膜材料
第4章厚膜材料與工藝
4.1厚膜材料
4.1.1厚膜導(dǎo)體材料
4.1.2厚膜電阻材料
4.1.3厚膜介質(zhì)材料
4.1.4厚膜功能材料
4.2厚膜工藝
4.2.1厚膜成膜技術(shù)
4.2.2絲網(wǎng)印刷方法
4.2.3絲網(wǎng)印刷工藝
4.2.4表面貼裝技術(shù)(SMT)中電極焊膏的絲網(wǎng)印刷
4.2.5圖形描畫法
4.3電阻修邊(調(diào)阻值)
4.3.1修邊的必要性及其對(duì)象
4.3.2考慮修邊需要的厚膜電阻設(shè)計(jì)
4.3.3單個(gè)元件的各種修邊方法
4.3.4激光修邊工藝特性
4.3.5功能修邊
4.3.6噴沙修邊的其他應(yīng)用
第5章基板技術(shù)(I)--有機(jī)基板
5.1封裝基板概述
5.1.1發(fā)展動(dòng)向
5.1.2性能要求
5.2封裝基板分類
5.2.1按基材分類
5.2.2按結(jié)構(gòu)分類
5.2.3通用PWB--單面板.雙面板和多層板
5.2.4多層印制線路板的結(jié)構(gòu)
5.3多層印制線路板的電氣特征
5.3.1導(dǎo)體電阻
5.3.2絕緣電阻
5.3.3特性阻抗及傳輸速度
5.3.4交調(diào)噪聲
5.3.5電磁波屏蔽(EMI)及其他特性
5.4電鍍通孔多層印制線路板
5.4.1制作方法概述
5.4.2減成法
5.4.3加成法
5.4.4盲孔(blindvia).埋孔(buriedvia)層間連接(IVH)
5.4.5順次積層法
5.5積層多層印制線路板
5.5.1發(fā)展過程
5.5.2電鍍方式各種積層法的比較
5.5.3涂樹脂銅箔(RCC)方式
5.5.4熱固性樹脂方式
5.5.5感光性樹脂方式
5.5.6其他采用電鍍的積層方式
5.5.7采用導(dǎo)電漿料的積層方式
5.5.8一次積層工藝
5.5.9芯板及表面的平坦化
5.5.10多層間的連接方式
5.5.11積層多層印制線路板用絕緣材料
5.5.12各種激光制孔方式對(duì)比
5.5.13可靠性試驗(yàn)
第6章基板技術(shù)(II)--陶瓷基板
6.1陶瓷基板概論
6.1.1陶瓷基板應(yīng)具備的條件
6.1.2陶瓷基板的制作方法
6.1.3陶瓷基板的金屬化
6.2各類陶瓷基板
6.2.1氧化鋁基板
6.2.2莫來石基板
6.2.3氮化鋁基板
6.2.4碳化硅基板
6.2.5氧化鈹基板
6.3低溫共燒陶瓷多層基板(LTCC)
6.3.1LTCC基板應(yīng)具有的性能
6.3.2玻璃陶瓷材料
6.3.3LTCC的制作方法及燒結(jié)特征
6.3.4LTCC多層基板的應(yīng)用
6.3.5LTCC多層基板的發(fā)展動(dòng)向
6.4其他類型的無機(jī)基板
6.4.1液晶顯示器(LCD)用玻璃基板
6.4.2等離子體顯示板(PDP)用玻璃基板
6.5復(fù)合基板
6.5.1復(fù)合基板(I)--功能復(fù)合
6.5.2復(fù)合基板(II)--結(jié)構(gòu)復(fù)合
6.5.3復(fù)合基板(III)--材料復(fù)合
第7章微互聯(lián)技術(shù)
7.1微互聯(lián)技術(shù)與封裝
7.2釬焊材料及其浸潤(rùn)性
7.2.1各種釬焊材料及其浸潤(rùn)性
7.2.2焊料浸潤(rùn)性的定義及評(píng)價(jià)方法
7.3插入實(shí)裝及表面貼裝技術(shù)(微釬焊技術(shù))
7.3.1流焊技術(shù)(插入實(shí)裝／單面.雙面混載實(shí)裝技術(shù))
7.3.2整體回流焊技術(shù)(雙面表面貼裝技術(shù))
7.3.3局部回流焊技術(shù)
7.3.4封裝裂紋問題及曼哈頓現(xiàn)象(墓碑現(xiàn)象)
7.3.5焊劑應(yīng)用及清洗技術(shù)
7.4表面貼裝技術(shù)(微釬焊技術(shù))的發(fā)展動(dòng)向
7.4.1窄節(jié)距QFP及TCP實(shí)裝技術(shù)的發(fā)展動(dòng)向
7.4.2面陣列CSP／BGA實(shí)裝技術(shù)
7.4.3無鉛焊料及相關(guān)技術(shù)
7.5裸芯片微組裝技術(shù)
7.5.1各種裸芯片微組裝技術(shù)及其特征
7.5.2MCM中裸芯片微組裝的成品率及電氣性能檢測(cè)
7.5.3引線連接(WB)技術(shù)
7.5.4帶載自動(dòng)鍵合(TAB)技術(shù)
7.6倒裝焊微互聯(lián)(FCB)技術(shù)
7.6.1倒裝焊微互聯(lián)技術(shù)的必要性
7.6.2金凸點(diǎn)和焊料凸點(diǎn)的形成--硅圓片電鍍凸點(diǎn)技術(shù)
7.6.3各種倒裝微互聯(lián)技術(shù)
7.6.4倒裝焊的主要類型：C4和DCA
7.7壓接倒裝互聯(lián)技術(shù)
7.7.1各種壓接倒裝互聯(lián)技術(shù)
7.7.2釘頭凸點(diǎn)互聯(lián)(SBB)技術(shù)
7.7.3多層基板上形成凸點(diǎn)的倒裝壓接技術(shù)(B2it+FCA)
7.7.4微互聯(lián)電阻的測(cè)量方法(四端子測(cè)量法)
第8章封裝技術(shù)
8.1封裝技術(shù)簡(jiǎn)介
8.1.1封裝的必要性
8.1.2各種封裝技術(shù)及其特征
8.2非氣密性樹脂封裝技術(shù)
8.2.1傳遞模注塑封技術(shù)
8.2.2各種樹脂封裝技術(shù)
8.2.3樹脂封裝中濕氣浸入路徑及防止措施
8.2.4樹脂封裝成形缺陷及防止措施
8.2.5樹脂封裝中的故障和損傷
8.3氣密性封裝技術(shù)
8.3.1氣密性封裝法中泄漏率的檢測(cè)方法
8.3.2釬焊氣密封接技術(shù)
8.3.3縫焊封接技術(shù)
8.3.4激光熔焊封接技術(shù)
8.4封裝模塊的可靠性
8.4.1封裝模塊的初期不良和壽命
8.4.2MCM模塊的故障率分析
8.4.3MCM模塊的各種可靠性試驗(yàn)
8.5封裝技術(shù)要素及封裝材料物性
8.5.1封裝技術(shù)要素
8.5.2封裝材料物性
第9章BGA與CSP
9.1球柵陣列封裝(BGA)--更適合多端子LSI的表面貼裝式封裝
9.1.1美國(guó)廠家采用BGA的理由
9.1.2塑封BGA的應(yīng)用現(xiàn)狀
9.1.3塑封BGA的發(fā)展趨勢(shì)
9.1.4如何檢驗(yàn)塑封BGA
9.1.5使用塑封BGA應(yīng)注意的問題
9.1.6BGA概念的形成
9.2BGA的類型
9.2.1塑封球柵平面陣列封裝(PBGA)
9.2.2陶瓷球柵平面陣列封裝(CBGA)
9.2.3陶瓷柱柵平面陣列封裝(CCGA)
9.2.4帶載球柵平面陣列封裝(TBGA)
9.3CSP--芯片級(jí)封裝
9.3.1CSP的定義及特征
9.3.2各具特色的CSP結(jié)構(gòu)
9.3.3CSP的最新進(jìn)展及發(fā)展動(dòng)向
9.3.4CSP有待研究和開發(fā)的課題
第10章電子封裝的分析.評(píng)價(jià)及設(shè)計(jì)
10.1膜檢測(cè)及評(píng)價(jià)技術(shù)
10.1.1膜檢測(cè)及評(píng)價(jià)的必要性
10.1.2膜的互擴(kuò)散
10.1.3膜的內(nèi)應(yīng)力
10.2信號(hào)傳輸特性的分析技術(shù)
10.2.1布線電氣特性分析基礎(chǔ)
10.2.2各種實(shí)裝形態(tài)及電氣信號(hào)傳輸特性的比較
10.2.3交叉噪聲(串?dāng)_)分析
10.2.4B2it多層板與IVH多層板電氣特性的比較
10.3熱分析及散熱設(shè)計(jì)技術(shù)
10.3.1熱分析及散熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
10.3.2搭載奔騰芯片的MCM定常熱分析實(shí)例
10.3.3MCM非定常熱分析實(shí)例
10.3.4B2it多層板散熱特性的分析實(shí)例
10.4結(jié)構(gòu)分析技術(shù)
10.4.1結(jié)構(gòu)分析基礎(chǔ)及BGA／CSP／FC封裝中的結(jié)構(gòu)分析實(shí)例
10.4.2帶藍(lán)寶石窗的MCM結(jié)構(gòu)分析實(shí)例
第11章超高密度封裝的應(yīng)用和發(fā)展
11.1便攜電子設(shè)備中的封裝技術(shù)
11.1.1移動(dòng)電話(手機(jī))中采用的封裝技術(shù)
11.1.2數(shù)碼攝像照相機(jī)中的封裝技術(shù)
11.1.3筆記本電腦中的封裝技術(shù)
11.1.4便攜電子設(shè)備中封裝的技術(shù)課題
11.2超級(jí)計(jì)算機(jī)中的封裝技術(shù)
11.2.1超級(jí)計(jì)算機(jī)中封裝技術(shù)概況
11.2.2回路基板及實(shí)裝技術(shù)
11.2.3超級(jí)計(jì)算機(jī)封裝的共同特征及發(fā)展前景
11.3高密度封裝技術(shù)：ASIC+RA+MCM
11.4極高密度的三維電子封裝技術(shù)
11.4.1電子封裝從二維向三維立體封裝發(fā)展
11.4.2裸芯片的三維封裝技術(shù)
11.4.3封裝體的三維封裝技術(shù)
11.4.4MCM的三維封裝技術(shù)
11.4.5硅圓片規(guī)模的三維封裝技術(shù)
11.4.6系統(tǒng)封裝構(gòu)想
11.5實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的三維模塊封裝
11.5.1三維模塊封裝的發(fā)展背景
11.5.2三維模塊封裝的目標(biāo)和課題
11.5.3SIMPACT--實(shí)現(xiàn)三維模塊封裝的有效方式
11.5.4實(shí)現(xiàn)SIMPACT的三大關(guān)鍵技術(shù)
11.5.5SIMPACT關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)
11.5.6SIMPACT的特點(diǎn)和應(yīng)用
附錄1電子封裝常用術(shù)語注釋
附錄2電子封裝縮略語及常用詞匯集
附錄3(新舊)常用計(jì)量單位對(duì)照與換算
參考文獻(xiàn)