無線應(yīng)用射頻微波電路設(shè)計

第1章  無線電路設(shè)計基礎(chǔ)
1-1  概述
1-2  系統(tǒng)功能
1-3  無線信道和調(diào)制要求
1-3-1  引言
1-3-2  信道沖激響應(yīng)
1-3-3  多普勒效應(yīng)
1-3-4  傳遞函數(shù)
1-3-5  信道沖激響應(yīng)的時間響應(yīng)和傳輸函數(shù)
1-3-6  研究總結(jié)
1-3-7  無線信號舉例：GSM中的TDMA系統(tǒng)
1-4  關(guān)于比特、符號和波形
1-4-1  引言
1-4-2  數(shù)字調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)
1-5  無線系統(tǒng)分析
1-5-1  模擬與數(shù)字接收機設(shè)計
1-5-2  發(fā)射機
1-6  框圖組成
1-7  系統(tǒng)性能及其與電路設(shè)計的關(guān)系
1-7-1  系統(tǒng)噪聲和噪聲基底
1-7-2  系統(tǒng)幅度和相位特性
1-8  測試
1-8-1  引言
1-8-2  發(fā)射和接收質(zhì)量
1-8-3  基站仿真
1-8-4  GSM
1-8-5  DECT
1-9  C/N或SNR到Eb/N0的變換
第2章  有源器件模型
2-1  二極管
2-1-1  大信號二極管模型
2-1-2  混頻器和檢波二極管
2-1-3  PIN二極管
2-1-4  調(diào)諧二極管
2-2  雙極型晶體管
2-2-1  晶體管的結(jié)構(gòu)類型
2-2-2  雙極型晶體管的大信號性能
2-2-3  正向有源區(qū)的大信號晶體管
2-2-4  集電極電壓對晶體管正向有源區(qū)大信號性能的影響
2-2-5  飽和區(qū)及反向有源區(qū)
2-2-6  雙極型晶體管的小信號模型
2-3  場效應(yīng)晶體管
2-3-1  JFET的大信號性能
2-3-2  JFET的小信號性能
2-3-3  MOSFET的大信號行為
2-3-4  MOS管飽和區(qū)的小信號模型
2-3-5  FET的短溝道效應(yīng)
2-3-6  MOSFET的小信號模型
2-3-7  GaAs MESFET
2-3-8  小信號GaAs MESFET模型
2-4  有源器件參數(shù)的提取
2-4-1  引言
2-4-2  典型的SPICE參數(shù)
2-4-3  噪聲建模
2-4-4  縮尺器件模型
2-4-5  結(jié)論
2-4-6  器件庫
2-4-7  在低電壓和近夾斷電壓情況下的一種新的仿真方法
2-4-8  實例：改進BRF193W模型
第3章  基于BJT與FET的放大器設(shè)計
3-1  放大器的特性
3-1-1  引言
3-1-2  增益
3-1-3  噪聲系數(shù)（NF）
3-1-4  線性特性
3-1-5  自動增益控制（AGC）
3-1-6  偏置和電源電壓與電流（功耗）
3-2  放大器的增益、穩(wěn)定性和匹配
3-2-1  S參數(shù)關(guān)系
3-2-2  低噪聲放大器
3-2-3  高增益放大器
3-2-4  低電壓集電極開路設(shè)計
3-2-5  靈活匹配電路
3-3  單級反饋放大器
3-3-1  無損耗或無噪反饋
3-3-2  寬帶匹配
3-4  兩級放大器
3-5  三級或多級放大器
3-5-1  多級放大器的穩(wěn)定性
3-6  一種壓控調(diào)諧濾波器的新方法及其CAD確認
3-6-1  二極管性能
3-6-2  VHF例子
3-6-3  HF/VHF壓控濾波器
3-6-4  改善VHF濾波器
3-6-5  總結(jié)
3-7  差動放大器
3-8  二倍頻器
3-9  有自動增益控制（AGC）的多級放大器
3-10  偏置
3-10-1  RF偏置
3-10-2  直流偏置
3-10-3  集成放大器的直流偏置電路
3-11  推挽/并聯(lián)放大器
3-12  功率放大器
3-12-1  實例1：輸出為7 W的1.6 GHz C類BJT功率放大器
3-12-2  用于射頻功率晶體管的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)
3-12-3  實例2：低噪聲分布參數(shù)放大器
3-12-4  實例3：用CLY15的1 W放大器
3-12-5  實例4：430 MHz，90 W推挽BJT放大器
3-12-6  能改善線性度的準并聯(lián)晶體管
3-12-7  分配放大器
3-12-8  功率放大器的穩(wěn)定性分析
3-13  功率放大器的數(shù)據(jù)表和廠家推薦的應(yīng)用
第4章  混頻器設(shè)計
4-1  概述
4-2  混頻器的性質(zhì)
4-2-1  變頻增益（損耗）
4-2-2  噪聲系數(shù)
4-2-3  線性
4-2-4  本振激勵電平
4-2-5  端口間隔離度
4-2-6  端口VSWR
4-2-7  直流失調(diào)
4-2-8  直流極性
4-2-9  功率消耗
4-3  二極管混頻器
4-3-1  單二極管混頻器
4-3-2  單平衡混頻器
4-3-3  二極管環(huán)形混頻器
4-4  晶體管混頻器
4-4-1  BJT希爾伯特單元
4-4-2  帶反饋的BJT希爾伯特單元
4-4-3  FET混頻器
4-4-4  MOSFET希爾伯特單元
4-4-5  GaAsFET單柵開關(guān)
第5章  射頻無線振蕩器
5-1  頻率控制引言
5-2  背景
5-3  振蕩器設(shè)計
5-3-1  振蕩器基礎(chǔ)
5-4  振蕩器電路
5-4-1  Hartley（哈特利）
5-4-2  Colpitts（科耳皮茲）
5-4-3  Clapp-Gouriet（克拉普-考瑞特）
5-5  射頻（RF）振蕩器設(shè)計
5-5-1  晶體管振蕩器總體構(gòu)思
5-5-2  雙口微波/射頻振蕩器設(shè)計
5-5-3  陶瓷諧振器振蕩器
5-5-4  使用微帶電感作為振蕩器的諧振器
5-5-5  哈特利微帶諧振器振蕩器
5-5-6  晶體振蕩器
5-5-7  壓控振蕩器
5-5-8  調(diào)諧二極管諧振電路
5-5-9  實用電路
5-6  振蕩器中的噪聲
5-6-1  振蕩器相位噪聲計算的線性化方法
5-6-2  AM到PM轉(zhuǎn)換
5-6-3  計算振蕩器相位噪聲的非線性方法
5-7  實際使用中的振蕩器
5-7-1  振蕩器的指標
5-7-2  更實際的電路
5-8  使用CAD設(shè)計RF振蕩器
5-8-1  諧波平衡仿真
5-8-2  時域仿真
5-9  集成射頻和毫米波振蕩器的相位噪聲改善
5-9-1  概述
5-9-2  回顧噪聲分析
5-9-3  工作環(huán)境
5-9-4  減小閃爍噪聲
5-9-5  集成振蕩器應(yīng)用
5-9-6  總結(jié)
第6章  射頻頻率合成器
6-1  引言
6-2  鎖相環(huán)（PLL）
6-2-1  PLL基礎(chǔ)
6-2-2  相位頻率比較器
6-2-3  提供電壓輸出的鑒相器的濾波器
6-2-4  基于電荷泵的鎖相環(huán)
6-2-5  應(yīng)用CAD進行實際的PLL設(shè)計
6-3 分數(shù)N分頻鎖相頻率合成
6-3-1  分數(shù)N分頻原理
6-3-2  雜散抑制技術(shù)
6-4  直接數(shù)字合成
附錄A  HBT高頻建模和完整參數(shù)的提取
A-1  引言
A-2  高頻HBT建模
A-2-1  直流與小信號模型
A-2-2  線性化T模型
A-2-3  線性化混合p模型
A-3  完全參數(shù)提取
A-3-1  完全參數(shù)提取的公式
A-3-2  模型優(yōu)化
A-4  噪聲模型的驗證
A-5  HBT模型參數(shù)提取
A-6  結(jié)論
附錄B  應(yīng)用多諧波負載牽引仿真技術(shù)進行非線性微波電路設(shè)計
B-1  引言
B-2  運用諧波平衡法的多諧波負載牽引仿真
B-2-1  多諧波負載牽引仿真公式
B-2-2  系統(tǒng)的設(shè)計過程
B-3  多諧波負載牽引仿真的應(yīng)用
B-3-1  窄帶功率放大器設(shè)計
B-3-2  倍頻器設(shè)計
B-4  總結(jié)
B-5  基于負載牽引設(shè)計的實用性的注意事項