模擬電子線路：理論、實(shí)驗(yàn)與仿真

第1章半導(dǎo)體二極管及其基本電路
1.1半導(dǎo)體的基本知識(shí)
1.1.1半導(dǎo)體材料
1.1.2半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)
1.1.3本征半導(dǎo)體.空穴及其導(dǎo)電作用
1.1.4雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.2半導(dǎo)體二極管及其基本特性
1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)
1.2.2二極管的單向?qū)щ娦?br />1.2.3二極管的反向擊穿特性
1.2.4二極管的電容效應(yīng)
1.2.5二極管的光電效應(yīng)
1.2.6二極管的溫度特性
1.2.7實(shí)驗(yàn)與仿真
1.3二極管的基本應(yīng)用電路
1.3.1開關(guān)與整流電路
1.3.2穩(wěn)壓電路
1.3.3光-電轉(zhuǎn)換與電-光轉(zhuǎn)換電路
1.3.4電調(diào)諧電路
1.3.5實(shí)驗(yàn)與仿真
1.4二極管的等效電路模型
1.5二極管的主要參數(shù).分類及其選擇
本章小結(jié)
習(xí)題1
第2章半導(dǎo)體三極管及其基本放大電路
2.1半導(dǎo)體三極管
2.1.1三極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)
2.1.2三極管的電流分配關(guān)系
2.1.3實(shí)驗(yàn)與仿真
2.2共射基本放大電路
2.2.1共射基本放大電路的原理電路
2.2.2共射基本放大電路的實(shí)際電路
2.2.3放大電路中各點(diǎn)電壓.電流及其波形
2.2.4實(shí)驗(yàn)與仿真
2.3放大電路的性能指標(biāo)
2.3.1放大倍數(shù)
2.3.2輸入電阻
2.3.3輸出電阻
2.3.4最大輸出幅值
2.3.5非線性失真系數(shù)
2.3.6實(shí)驗(yàn)與仿真
2.4放大電路的分析
2.4.1三極管的共射特性曲線
2.4.2圖解分析法
2.4.3小信號(hào)等效電路分析法
2.4.4實(shí)驗(yàn)與仿真
2.5工作點(diǎn)穩(wěn)定的電路
2.5.1溫度對工作點(diǎn)的影響
2.5.2分壓式偏置電路
2.5.3實(shí)驗(yàn)與仿真
2.6共集電極電路和共基極電路
2.6.1共集電極電路
2.6.2共基極電路
2.6.3實(shí)驗(yàn)與仿真
2.7放大電路的頻率響應(yīng)
2.7.1放大電路的頻率特性與通頻帶
2.7.2單級(jí)放大電路的低頻頻率特性分析
2.7.3單級(jí)放大電路的高頻頻率特性分析
2.7.4多級(jí)放大電路的頻率特性分析
2.7.5實(shí)驗(yàn)與仿真
2.8三極管的主要參數(shù).分類與命名方法
2.8.1三極管的主要參數(shù)
2.8.2三極管的分類及命名方法
本章小結(jié)
習(xí)題2
第3章場效應(yīng)管及其基本放大電路
3.1結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
3.1.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
3.1.2實(shí)驗(yàn)與仿真
3.1.3JFET的特性曲線
3.1.4JFET的微變等效電路
3.1.5JFET的主要參數(shù)
3.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)
3.2.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET
3.2.2N溝道耗盡型MOSFET
3.2.3各種FrET的比較與使用注意事項(xiàng)
3.2.4實(shí)驗(yàn)與仿真
3.3場效應(yīng)管放大電路(FETAMPLIFIER)
3.3.1FET的偏置電路及靜態(tài)分析
3.3.2FET放大電路的動(dòng)態(tài)分析
3.3.3實(shí)驗(yàn)與仿真
本章小結(jié)
習(xí)題3
第4章負(fù)反饋放大電路
4.1反饋的基本概念與分類
4.1.1反饋的基本概念
4.1.2反饋的形式及其判別
4.1.3實(shí)驗(yàn)與仿真
4.2負(fù)反饋放大器的組態(tài)及其計(jì)算
4.2.1負(fù)反饋放大器的組態(tài)
4.2.2負(fù)反饋放大器的計(jì)算
4.2.3負(fù)反饋放大器的一般表達(dá)式
4.3負(fù)反饋對放大器性能的影響
4.3.1增益穩(wěn)定性的提高
4.3.2非線性失真的減小
4.3.3通頻帶的擴(kuò)展
4.3.4對輸入電阻和輸出電阻的控制
4.3.5放大電路中引入負(fù)反饋的一般原則
4.3.6實(shí)驗(yàn)與仿真
4.4深度負(fù)反饋放大器的近似計(jì)算
4.4.1利用公式進(jìn)行近似計(jì)算
4.4.2利用"虛短"與"虛斷"的概念進(jìn)行近似計(jì)算
4.5負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性
4.5.1負(fù)反饋放大器的自激振蕩
4.5.2負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定工作條件
4.5.3負(fù)反饋放大器自激現(xiàn)象的消除
本章小結(jié)
習(xí)題4
第5章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用
5.1集成電路與集成運(yùn)算放大器簡介
5.1.1集成電路的分類與封裝
5.1.2模擬集成電路的電性能特點(diǎn)
5.1.3集成運(yùn)放及其基本組成
5.2差動(dòng)放大器
5.2.1簡單差動(dòng)放大器
5.2.2射極耦合差動(dòng)放大器
5.2.3具有恒流源的差動(dòng)放大器
5.2.4實(shí)驗(yàn)與仿真
5.3集成運(yùn)算放大器電路
5.3.1集成運(yùn)放的基本單元電路
5.3.2μA741雙極型集成運(yùn)放
5.3.3集成運(yùn)放的主要參數(shù)
5.4集成運(yùn)放的應(yīng)用
5.4.1基本運(yùn)算電路
5.4.2有源濾波電路
5.4.3非線性應(yīng)用電路
5.4.4實(shí)驗(yàn)與仿真
本章小結(jié)
習(xí)題5
第6章低頻功率放大電路
6.1功率放大器的一般問題
6.1.1功率放大器的特點(diǎn)及要求
6.1.2功率放大電路提高效率的主要途徑
6.1.3實(shí)驗(yàn)與仿真
6.2乙類雙電源互補(bǔ)對稱功率放大電路
6.2.1電路組成
6.2.2分析計(jì)算
6.2.3功率BJT的選擇
6.2.4實(shí)驗(yàn)與仿真
6.3甲乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路
6.3.1甲乙類雙電源互補(bǔ)對稱電路
6.3.2甲乙類單電源互補(bǔ)對稱電路
6.3.3實(shí)驗(yàn)與仿真
6.4集成功率放大器
6.5功率器件
6.5.1功率BJT
6.5.2功率MOSFET
6.5.3功率模塊
本章小結(jié)
習(xí)題6
第7章直流穩(wěn)壓電源
7.1直流穩(wěn)壓電源的基本組成及工作原理
7.1.1直流穩(wěn)壓電源的組成
7.1.2直流穩(wěn)壓電源各部分原理
7.1.3實(shí)驗(yàn)與仿真
7.1.4直流穩(wěn)壓電源的性能指標(biāo)
7.2串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路
7.2.1串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的工作原理
7.2.2三端集成穩(wěn)壓器
7.2.3實(shí)驗(yàn)與仿真
7.3開關(guān)式直流穩(wěn)壓電路
本章小結(jié)
習(xí)題7
*第8章正弦波振蕩電路
8.1正弦波振蕩電路的振蕩條件
8.2RC正弦波振蕩電路
8.3LC正弦波振蕩電路
8.3.1LC選頻放大電路
8.3.2變壓器反饋式LC振蕩電路
8.3.3三點(diǎn)式LC振蕩電路
8.3.4石英晶體振蕩電路
本章小結(jié)
習(xí)題8
附錄A半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
附錄B常用半導(dǎo)體三級(jí)管參數(shù)及其代換
附錄C部分集成運(yùn)算放大器主要參數(shù)表
參考文獻(xiàn)