數(shù)字CMOS VLSI分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

定　價(jià)：￥25.00

作　者：	甘學(xué)溫編著
出版社：	北京大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	VLSI設(shè)計(jì)

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當(dāng)當(dāng)網(wǎng) (￥20.00)

ISBN：	9787301040355	出版時(shí)間：	2002-12-01	包裝：	膠版紙
開(kāi)本：	26cm	頁(yè)數(shù)：	321	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)全面系統(tǒng)地講解了數(shù)字CMOSVLSI的基本原理及其設(shè)計(jì)。全書(shū)共分11章。前兩章分析了MOS晶體管的基本原理以及器件按比例縮小的性能。第三章介紹了CMOSVLSI的制造工藝。第四至七章和第九章論述了CMOSVLSI的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及設(shè)計(jì)方法，并給出了很多電路實(shí)例。第八章介紹了VLSI存儲(chǔ)器的新結(jié)構(gòu)和新電路。最后兩章介紹了90年代迅速發(fā)展的SOICMOS和BICMOS新技術(shù)。本書(shū)既強(qiáng)調(diào)了基本知識(shí)，又反映了CMOSVLSI的最新進(jìn)展。全書(shū)條理清楚，講解透徹，內(nèi)容先進(jìn)，便于自學(xué)。本書(shū)可作為微電子專(zhuān)業(yè)或相關(guān)專(zhuān)業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生的教材，同時(shí)也是從事微電子技術(shù)研究、電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及應(yīng)用的工程技術(shù)人員的重要參考書(shū)。另外，對(duì)于其他專(zhuān)業(yè)想了解大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的工程技術(shù)人員，也是一本很有價(jià)值的參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《數(shù)字CMOS VLSI分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第一章  MOS晶體貿(mào)工作原理
1. 1  MOS晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和基本原理
1. 2  MOS晶體管的閾值電壓分析
1. 3  MOS晶體管的電流方程
1. 4  MOS晶體管的瞬態(tài)特性
第二章  MOS器件按比例縮小
2. 1  按比例縮小理論
2. 2  高電場(chǎng)效應(yīng)對(duì)按比例縮小器件性能的影響
2. 3  不能按比例縮小的參數(shù)的影響
2. 4  VLSI發(fā)展的實(shí)際限制
第三章  CMOS IC工藝流程及電路中的寄生效應(yīng)
3. l  集成電路制作中的幾個(gè)基本工藝步驟
3. 2  CMOS ICI藝流程
3. 3  CMOS IC中的寄生效應(yīng)
第四章  CMOS反相器和 CMOS傳輸門(mén)
4. 1  CMOS反相器的直流特性
4. 2  CMOS反相器的瞬態(tài)特性
4. 3  CMOS反相器的功耗
4. 4  CMOS反相器的設(shè)計(jì)
4. 5  CMOS和NMOS電路性能比較
4. 6  CMOS傳輸門(mén)
第五章  CMOS靜態(tài)邏輯電路設(shè)計(jì)
5. 1  靜態(tài)CMOS邏輯門(mén)的構(gòu)成特點(diǎn)
5. 2  CMOS與非門(mén)的分析
5. 3  CMOS或非門(mén)的分析
5. 4  CMOS與非門(mén)和或非門(mén)的設(shè)計(jì)
5. 5  組合邏輯電路的設(shè)計(jì)
5. 6  類(lèi)NMOS電路
5. 7  傳輸門(mén)邏輯電路
5. 8  差分CMOS邏輯系列
第六章  動(dòng)態(tài)和時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)
6. 1  動(dòng)態(tài)邏輯電路的特點(diǎn)
6. 2  預(yù)充一求值的動(dòng)態(tài)CMOS電路
6. 3  多米諾（Domino）CMOS電路
6. 4  時(shí)鐘 CMOS（C MOS）電路
6. 5  無(wú)競(jìng)爭(zhēng)（NORA）動(dòng)態(tài)CMOS電路
6. 6  CMOS觸發(fā)器
6. 7  時(shí)序邏輯電路
第七章  輸入. 輸出緩沖器
7. 1  輸入緩沖器
7. 2  輸入保護(hù)電路
7. 3  輸出緩沖器
7. 4  脫片輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)的設(shè)計(jì)
7. 5  三態(tài)輸出和雙向緩沖器
第八章  MOS存儲(chǔ)器
8. 1  DRAM
8. 2  SRAM
8. 3  ROM和PLD
第九章  MOS IC的版圖設(shè)計(jì)
9. 1  VLSI的設(shè)計(jì)方法
9. 2  門(mén)陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)方法
9. 3  版圖設(shè)計(jì)
第十章  SOICMOS簡(jiǎn)介
10. 1  SOI CMOS工藝
10. 2  薄膜SOIMOSFET的基本特性
10. 3  短溝薄膜SOIMOSFET的二級(jí)效應(yīng)
第十一章  BICMOS電路
11. 1  MOS和雙極型器件性能比較
11. 2  BICMOS工藝和器件結(jié)構(gòu)
11. 3  BiCMOS邏輯門(mén)的設(shè)計(jì)
11. 4  BiCMOS和CMOS電路性能的比較
11. 5  BiCMOS電路實(shí)例
主要符號(hào)表
主要參考文獻(xiàn)
附錄