半導(dǎo)體材料

再版前言
前言
緒論
第1章 硅和鍺的化學(xué)制備
1-1 硅和鍺的物理化學(xué)性質(zhì)
1-2 高純硅的制備
1-3 鍺的富集與提純
第2章 區(qū)熔提純
2-1 分凝現(xiàn)象與分凝系數(shù)
2-2 區(qū)熔原理
2-3 鍺的區(qū)熔提純
第3章 晶體生長(zhǎng)
3-1 晶體生長(zhǎng)理論基礎(chǔ)
3-2 熔體的晶體生長(zhǎng)
3-3 硅、鍺單晶生長(zhǎng)
第4章 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷
4-1 硅、鍺晶體中雜質(zhì)的性質(zhì)
4-2 硅、鍺晶體的摻雜
4-3 硅、鍺單晶的位錯(cuò)
4-4 硅單晶中的微缺陷
第5章 硅外延生長(zhǎng)
5-1 外延生長(zhǎng)概述
5-2 硅的氣相外延生長(zhǎng)
5-3 硅外延層電阻率的控制
5-4 硅外延層的缺陷
5-5 硅的異質(zhì)外延
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的特性
6-2 砷化鎵單晶的生長(zhǎng)方法
6-3 砷化鎵單晶中雜質(zhì)的控制
6-4 砷化鎵單晶的完整性
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)
7-1 氣相外延生長(zhǎng)（VPE）
7-2 金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)（MOVPE）
7-3 液相外延生長(zhǎng)（LPE）
7-4 分子束外延生長(zhǎng)（MBE）
7-5 化學(xué)束外延生長(zhǎng)（CBE）
7-6 其他外延生長(zhǎng)技術(shù)
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體
8-1 異質(zhì)結(jié)與晶格失配
8-2 GaAlAs外延生長(zhǎng)
8-3 InGaN外延生長(zhǎng)
8-4 InGaAsP外延生長(zhǎng)
8-5 超晶格與量子阱
8-6 應(yīng)變超晶格
8-7 能帶工程
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的點(diǎn)缺陷與自補(bǔ)償現(xiàn)象
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料
第10章 氧化物半導(dǎo)體材料
10-1 氧化物半導(dǎo)體材料的制備
10-2 氧化物半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)
10-3 氧化物半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
第11章 其他半導(dǎo)體材料
11-1 窄帶隙半導(dǎo)體
11-2 黃銅礦型半導(dǎo)體
11-3 納米晶材料
11-4 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料
11-5 有機(jī)半導(dǎo)體材料
參考文獻(xiàn)