微納電子器件

目錄
第1章pn結(jié)二極管1
11pn結(jié)及其空間電荷區(qū)1
12pn結(jié)的耗盡層（勢壘）電容4
13pn結(jié)的直流特性6
14pn結(jié)的小信號特性12
15pn結(jié)的開關(guān)特性14
16pn結(jié)的擊穿特性15
17隧道二極管和反向二極管18
18異質(zhì)結(jié)二極管22
19Schottky二極管26
110Ohm接觸29
復(fù)習(xí)思考題30
參考文獻(xiàn)31

第2章雙極型晶體管（BJT）32
21BJT的基本工作原理32
22理想BJT的直流特性35
23實(shí)際BJT的直流特性43
24BJT的頻率特性56
25BJT的功率特性67
26BJT的開關(guān)特性74
27異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT）81
28晶閘管（Thyristor）87
復(fù)習(xí)思考題90
參考文獻(xiàn)91

第3章場效應(yīng)晶體管（FET）93
31JFET的基本特性93
32JFET的直流參數(shù)和低頻小信號交流參數(shù)95
33JFET的頻率特性99
34短溝道JFET的特性102
35JFET的結(jié)構(gòu)舉例104
36砷化鎵金屬柵場效應(yīng)晶體管（GaAsMESFET）106
37高電子遷移率晶體管（HEMT）108
復(fù)習(xí)思考題119
38大尺寸MOSFET119
39小尺寸MOSFET137
310SOIMOSFET152
復(fù)習(xí)思考題154
參考文獻(xiàn)155

第4章其他半導(dǎo)體器件156
41渡越時(shí)間器件（TTD）156
42轉(zhuǎn)移電子器件（TED）172
復(fù)習(xí)思考題186
參考文獻(xiàn)186

第5章微電子器件的計(jì)算機(jī)輔助分析（CAA）和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）188
51微電子器件的模型189
52微電子器件的計(jì)算機(jī)輔助分析（CAA）192
53微電子器件的CAD技術(shù)206
54微電子器件CAA和CAD技術(shù)的發(fā)展趨勢216
參考文獻(xiàn)218

第6章MEMS器件219
61MEMS技術(shù)現(xiàn)狀及前景219
62用于通信領(lǐng)域的MEMS器件223
63用于生化醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的MEMS器件228
64用于慣性測量的MEMS器件232
65幾種MEMS微執(zhí)行器239
參考文獻(xiàn)249

第7章納米器件簡介251
71納米器件工藝概論251
72納米體系中的電子波256
73電子波器件272
74單電子學(xué)——Coulomb阻塞效應(yīng)282
75單電子器件290
76納米集成電路概論302
參考文獻(xiàn)308