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超大規(guī)模集成電路測(cè)試：數(shù)字、存儲(chǔ)器和混合信號(hào)系統(tǒng)

超大規(guī)模集成電路測(cè)試：數(shù)字、存儲(chǔ)器和混合信號(hào)系統(tǒng)

定　價(jià)：￥58.00

作　者： （美）Michael L.Bushnell，（美）Vishwani D.Agrawal著；蔣安平，馮建華，王新安譯；蔣安平譯
出版社： 電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)： 國(guó)外電子與通信教材系列
標(biāo)　簽： VLSI設(shè)計(jì)
ISBN： 9787121014901 出版時(shí)間： 2005-08-01 包裝： 平裝
開(kāi)本： 26cm 頁(yè)數(shù)： 511 字?jǐn)?shù)：  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　VLSI測(cè)試包括數(shù)字、存儲(chǔ)器和混合信號(hào)三類電路測(cè)試，本書(shū)系統(tǒng)地介紹了這三類電路的測(cè)試和可測(cè)試性設(shè)計(jì)。全書(shū)共分三個(gè)部分。第一部分是測(cè)試基礎(chǔ)，介紹了測(cè)試的基本概念、測(cè)試設(shè)備、測(cè)試經(jīng)濟(jì)學(xué)和故障模型。第二部分是測(cè)試方法，詳細(xì)論述了組合和時(shí)序電路的測(cè)試生成、存儲(chǔ)器測(cè)試、基于DSP和基于模型的模擬與混合信號(hào)測(cè)試、延遲測(cè)試和IDDQ測(cè)試等。第三部分是可測(cè)試性設(shè)計(jì)，包括掃描設(shè)計(jì)、BIST、邊界掃描測(cè)試、模擬測(cè)試總線標(biāo)準(zhǔn)和基于IP核的SOC測(cè)試。本書(shū)可作為高等學(xué)校計(jì)算機(jī)、微電子、電子工程、無(wú)線電及自動(dòng)控制、信號(hào)處理專業(yè)的高年級(jí)學(xué)生與研究生的教材和參考書(shū)，也可供從事上述領(lǐng)域工作的科研人員參考，特別適合于從事VLSI電路設(shè)計(jì)和測(cè)試的工程技術(shù)人員。本書(shū)前言譯者序隨著集成電路設(shè)計(jì)與加工技術(shù)的飛速發(fā)展，超大規(guī)模集成電路（VLSI）的測(cè)試已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越困難的問(wèn)題，測(cè)試和可測(cè)試性設(shè)計(jì)的理論與技術(shù)已經(jīng)成為VLSI領(lǐng)域中的一個(gè)重要研究方向，在理論和實(shí)踐方面都有十分突出的價(jià)值。這一領(lǐng)域中的書(shū)籍和論文也層出不窮，MichaelL.Bushnell和VishwaniD.Agrawal兩位教授合著的本書(shū)就是其中比較全面和優(yōu)秀的一本著作，所以在我們的建議下，電子工業(yè)出版社決定將這本著作翻譯出版，希望能對(duì)國(guó)內(nèi)相關(guān)的技術(shù)人員有一定幫助。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了數(shù)字、存儲(chǔ)器和混合信號(hào)VLSI系統(tǒng)的測(cè)試和可測(cè)試性設(shè)計(jì)。它是根據(jù)原作者多年的科研成果和教學(xué)實(shí)踐，結(jié)合國(guó)際上關(guān)注的最新研究熱點(diǎn)，并參考大量的文獻(xiàn)撰寫(xiě)而成的。全書(shū)共分三部分19章，第一部分是測(cè)試概論，介紹了測(cè)試的基本概念、測(cè)試設(shè)備、測(cè)試經(jīng)濟(jì)學(xué)和故障模型等。第二部分是測(cè)試方法，詳細(xì)論述了組合和時(shí)序電路測(cè)試生成、存儲(chǔ)器測(cè)試、基于DSP和基于模塊的模擬和混合信號(hào)測(cè)試、延遲測(cè)試和IDDQ測(cè)試等。第三部分是可測(cè)試性設(shè)計(jì)，包括掃描設(shè)計(jì)、BIST、邊界掃描測(cè)試、模擬測(cè)試總線標(biāo)準(zhǔn)和基于IP核的SOC測(cè)試等。本書(shū)反映了當(dāng)今VLSI測(cè)試的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，它是第一本全面覆蓋數(shù)字、存儲(chǔ)器和混合信號(hào)電路測(cè)試的專著和教科書(shū)。本書(shū)可作為高等學(xué)校計(jì)算機(jī)、微電子、電子工程、無(wú)線電及自動(dòng)控制、信號(hào)處理專業(yè)高年級(jí)學(xué)生和研究生的教材和參考書(shū)，也可供從事上述領(lǐng)域工作的科研人員參考，特別適合于從事VLSI電路設(shè)計(jì)和測(cè)試的工程技術(shù)人員使用。本書(shū)的翻譯分工如下：王新安負(fù)責(zé)第1~6章的翻譯；馮建華負(fù)責(zé)第7章、第9~13章的翻譯，并對(duì)第1~6章進(jìn)行了審校；蔣安平負(fù)責(zé)第8章、第14~19章以及前言、附錄的翻譯，并對(duì)第7章進(jìn)行了審校。北京大學(xué)微電子學(xué)研究院02級(jí)碩士研究生中也有很多同學(xué)參與了部分章節(jié)的初稿翻譯工作，這里恕不一一列出他們的姓名。在本書(shū)的翻譯出版過(guò)程中，一直得到了紐約城市大學(xué)陳星浩教授的大力幫助，他向我們推薦了這本著作，并幫助我們與原著作者進(jìn)行了溝通；北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院的各位領(lǐng)導(dǎo)給予了我們多方面的關(guān)心、鼓勵(lì)和幫助。在此謹(jǐn)向?yàn)楸緯?shū)的翻譯與出版付出辛勤勞動(dòng)的各位老師、領(lǐng)導(dǎo)、同事、同學(xué)致以衷心的感謝。由于譯者水平所限，在翻譯中難免有錯(cuò)誤或不妥之處，真誠(chéng)希望各位讀者在閱讀本書(shū)時(shí)能將發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤及時(shí)告知，以便再版時(shí)能訂正。前言現(xiàn)代電子測(cè)試已有40年的歷史，在此期間，測(cè)試的專業(yè)人員舉行過(guò)一些大型會(huì)議和許多專題學(xué)術(shù)研討會(huì)，有一本專業(yè)期刊，并且在測(cè)試方面有一百多種書(shū)籍。但是僅在少數(shù)幾所大學(xué)開(kāi)設(shè)了測(cè)試方面的完整課程，而且主要是由對(duì)這個(gè)領(lǐng)域有研究興趣的大學(xué)教授開(kāi)設(shè)的。顯然，在大多數(shù)教授還是學(xué)生的時(shí)候，他們沒(méi)有學(xué)習(xí)過(guò)電子測(cè)試方面的課程。除了計(jì)算機(jī)工程的課程太多以外，缺少電子測(cè)試課程的主要原因是缺乏合適的教材。半導(dǎo)體器件工藝、電路設(shè)計(jì)和電子測(cè)試是VLSI的基礎(chǔ)課程。因此，在計(jì)算機(jī)工程的課程中，基礎(chǔ)課程需要安排在應(yīng)用課程之前講授。VLSI領(lǐng)域已經(jīng)擴(kuò)展到了系統(tǒng)芯片（systems-on-a-chip），其中包括數(shù)字、存儲(chǔ)器和混合信號(hào)子系統(tǒng)。據(jù)我們所知，這是第一本包括所有這三種類型電子電路的教材。我們?yōu)榇髮W(xué)本科的電子測(cè)試基礎(chǔ)課編寫(xiě)了這本教材。作為一學(xué)期的課程，它的內(nèi)容顯然是太多了，教師可根據(jù)需要從中選擇。我們不想限制教師的選擇自由，因?yàn)檫x擇可能依賴于個(gè)人的專長(zhǎng)和興趣。除此之外，一本內(nèi)容豐富的書(shū)對(duì)其所有者來(lái)說(shuō)，其好處是即使在課程結(jié)束后，它仍然是有用的。我們同樣考慮了其他三類讀者的需求。第一類是工程師，他們?cè)诋厴I(yè)后從事各種類型的電子硬件設(shè)計(jì)、測(cè)試或制造工程。本書(shū)第一部分和第三部分側(cè)重于面向設(shè)計(jì)的工程需求，而第一部分和第二部分著重于面向測(cè)試的工程需求。第二類是選擇VLSI設(shè)計(jì)課程的學(xué)生，他們還沒(méi)有學(xué)習(xí)有關(guān)測(cè)試的課程。第一部分和第三部分能滿足他們的需求。第三類是研究生和從事研究的學(xué)生，他們會(huì)找到完全覆蓋各種主題的內(nèi)容，并且在因?yàn)槠拗贫÷愿呒?jí)材料的地方有指向參考文獻(xiàn)的索引。圖1.6給出了閱讀本書(shū)的幾種方法。1999年，在國(guó)際測(cè)試會(huì)議的一次主題為“在VLSI設(shè)計(jì)過(guò)程中提高測(cè)試覆蓋率”的討論會(huì)上，一個(gè)來(lái)自微電子工業(yè)界的與會(huì)者提出的希望研討的問(wèn)題可概括為：測(cè)試經(jīng)濟(jì)學(xué)、典型的半導(dǎo)體缺陷、簡(jiǎn)單測(cè)試圖形覆蓋率、系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)化可測(cè)試性設(shè)計(jì)方法（掃描、邊界掃描、BIST）、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（限制和費(fèi)用）、經(jīng)挑選的高級(jí)主題（IDDQ和延遲故障）。在寫(xiě)這本書(shū)時(shí)，我們一直牢記這個(gè)列表，并且希望講授VLSI設(shè)計(jì)和電子測(cè)試課程的教師也是這樣。我們都非常了解軟件調(diào)試和硬件設(shè)計(jì)驗(yàn)證的不完善性，我們也沒(méi)有采用形式化的方法驗(yàn)證書(shū)中的材料。盡管我們付出很大努力來(lái)消除錯(cuò)誤，但是不能保證讀者不會(huì)發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤。我們將非常感激那些告訴我們?nèi)魏五e(cuò)誤的讀者。我們將通過(guò)網(wǎng)站使所有的讀者都可以利用這樣的勘誤表，直到出版商給我們機(jī)會(huì)改正錯(cuò)誤并給予發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤的讀者應(yīng)得的感謝。在過(guò)去的10年里，我們?cè)赗utgers大學(xué)講授了一門有關(guān)測(cè)試的課程。和這門課的學(xué)生以及碩士、博士研究生的交流對(duì)我們關(guān)于該學(xué)科的理解具有非常大的影響，我們非常感謝他們。特別要提到的是2000年春季班的學(xué)生，他們使用了本書(shū)的草稿，并提出了修正和改進(jìn)的意見(jiàn)。我們對(duì)于貝爾試驗(yàn)室和Rutgers大學(xué)的同事的建議和討論表示感謝。世界范圍內(nèi)的測(cè)試專業(yè)人員給予了格外的熱心和支持。我們要感謝的部分人員包括：MironAbramovici，PrathimaAgrawal，MarkBarber，ShawnBlanton，AmyBushnell，TapanChakraborty，SrimatChakradhar，XinghaoChen，DochanC.Choi，RickChruscial，DonDenburg，Jos*deSousa，ShaunErickson，DavidFessler，HideoFujiwara，PaulGlick，JohnHayes，MichaelHsiao，JamesJacob，NeilKelly，BillKish，KozoKinoshita，CliffMiller，KenLanier，YuhaiMa，PinakiMazumder，KarenPanetta，JanuszRajski，ElizabethRudnick，ManojSachdev，KewalSaluja，SharadSeth和LakshmanYagati。還要感謝出版商CarlHarris，他總是激勵(lì)我們前進(jìn)，并能忍耐對(duì)時(shí)間的延期。我們感謝貝爾試驗(yàn)室的研究主管AlAho，DennisRitchie和TomSzymanski，以及Rutgers大學(xué)的DavidDaut和JimFlanaga的支持。也要感謝LTX公司、Advantest公司、Samsung電子有限公司、IBM和LucentTechnologies在為本書(shū)提供數(shù)據(jù)方面的通力合作。在描述技術(shù)貢獻(xiàn)方面，我們盡最大努力來(lái)正確引證。對(duì)于發(fā)現(xiàn)他們的工作被不正確地引用的人，我們請(qǐng)求他們的原諒，因?yàn)檫@些由于我們的疏忽而引起的錯(cuò)誤并不是故意的。我們已經(jīng)改正了第一次印刷中發(fā)現(xiàn)的很多錯(cuò)誤。我們要感謝在Rutgers大學(xué)2001年春季班的學(xué)生，特別是XiaoLiu，ShuoSheng和LiangZhang，他們指出了錯(cuò)誤。我們要衷心感謝提供了幫助的很多其他的讀者，包括：Credence的MikeBalster和GordonRobinson，AgereSystems的KanadChakraborty以及Wisconsin大學(xué)的YongKim。基于本書(shū)的一套完整的講稿（powerpoint幻燈片）可以從我們的網(wǎng)站獲得。

作者簡(jiǎn)介

　　MichaelL.Bushnell是美國(guó)Rutgers大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系的正教授和董事會(huì)研究會(huì)員。他于1975年在麻省理工學(xué)院獲得學(xué)士學(xué)位，并分別于1983年和1986年在卡內(nèi)基梅隆大學(xué)獲得碩士和博士學(xué)位。1983年他入選美國(guó)電子協(xié)會(huì)才能發(fā)展計(jì)劃（FacultyDevelopmentProgram），并獲得過(guò)卡內(nèi)基梅隆大學(xué)杰出畢業(yè)生教學(xué)獎(jiǎng)。Bushnell還是美國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金的總統(tǒng)青年研究員。他最近在VLSICAD上的研究方向是串行和分布式計(jì)算機(jī)上的數(shù)字、模擬和混合信號(hào)電路的自動(dòng)測(cè)試碼模式生成、延遲故障的內(nèi)建自測(cè)試、故障模擬、可測(cè)試性綜合和低功耗設(shè)計(jì)等。他是JournalofElectronicTesting：TheoryandApplications雜志編委會(huì)成員，并曾擔(dān)任1995年和1996年InternationalConferenceonVLSIDesign印度年會(huì)程序委員會(huì)的聯(lián)合主席。VishwaniD.Agrawal現(xiàn)在是貝爾實(shí)驗(yàn)室（LucentTechnologies公司的研發(fā)機(jī)構(gòu)）計(jì)算科學(xué)研究中心的杰出科學(xué)家，也是Rutgers大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系的客座教授。他于1960年在印度Allahabad大學(xué)獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1964年在印度Roorkee大學(xué)獲得（榮譽(yù)）工學(xué)學(xué)士學(xué)位，1966年在印度科學(xué)研究所獲碩士學(xué)位，1971年在美國(guó)伊利諾斯大學(xué)獲得電子工程博士學(xué)位。他最近的研究方向是測(cè)試、可測(cè)試性綜合和并行算法。他是JournalofElectronicTesting：TheoryandApplications的主編和IEEEDesign&TestofComputers雜志的原主編。1993年，他獲得伊利諾斯大學(xué)杰出校友獎(jiǎng)。1998年，由于對(duì)電子測(cè)試領(lǐng)域的創(chuàng)造性貢獻(xiàn)，他獲得了IEEE計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)HarryH.Goode紀(jì)念獎(jiǎng)。相關(guān)圖書(shū)調(diào)制、檢測(cè)與編碼數(shù)字集成電路：電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)（第二版）半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)與應(yīng)用數(shù)字信號(hào)處理實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)（MATLAB版）數(shù)字信號(hào)處理：基于計(jì)算機(jī)的方法（第二版）集成電路器件電子學(xué)（第三版）電路基礎(chǔ)：改編版信號(hào)處理濾波器設(shè)計(jì)：基于MATLAB和Mathematica的設(shè)計(jì)方法統(tǒng)計(jì)與自適應(yīng)信號(hào)處理數(shù)字圖像處理（MATLAB版）VHDL數(shù)字電路設(shè)計(jì)教程半導(dǎo)體器件電子學(xué)VerilogHDL高級(jí)數(shù)字設(shè)計(jì)集成電路器件電子學(xué)：第三版CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)（第二版）信號(hào)與系統(tǒng)：連續(xù)與離散（第四版）數(shù)字設(shè)計(jì)（第三版）邏輯電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)光纖通信（第三版）第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)原理與工程設(shè)計(jì)：IS-95CDMA和cdma2000數(shù)字電路簡(jiǎn)明教程微波電路引論：射頻與應(yīng)用設(shè)計(jì)電子學(xué)（第二版）

圖書(shū)目錄

第一部分    測(cè)試概論第1章    引言1.1    測(cè)試哲學(xué)1.2    測(cè)試的作用1.3    數(shù)字和模擬VLSI測(cè)試1.4    VLSI技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)對(duì)測(cè)試的影響1.5    本書(shū)范圍1.6    習(xí)題第2章    VLSI測(cè)試過(guò)程和測(cè)試設(shè)備2.1    如何測(cè)試芯片2.1.1    測(cè)試類型2.2    自動(dòng)測(cè)試設(shè)備2.2.1    Advantest Model T6682測(cè)試儀2.2.2    LTX Fusion ATE2.2.3    多點(diǎn)測(cè)試2.3    電氣參數(shù)測(cè)試2.4    小結(jié)2.5    習(xí)題第3章    測(cè)試經(jīng)濟(jì)學(xué)和產(chǎn)品質(zhì)量3.1    測(cè)試經(jīng)濟(jì)學(xué)3.1.1    成本定義3.1.2    生產(chǎn)3.1.3    成本利潤(rùn)分析3.1.4    可測(cè)性設(shè)計(jì)的經(jīng)濟(jì)學(xué)3.1.5    十倍法則3.2    良率3.3    測(cè)量品質(zhì)的缺陷等級(jí)3.3.1    測(cè)試數(shù)據(jù)分析3.3.2    缺陷級(jí)別評(píng)估3.4    小結(jié)3.5    習(xí)題第4章    故障模型4.1    缺陷、錯(cuò)誤和故障4.2    功能測(cè)試與結(jié)構(gòu)測(cè)試4.3    故障模型的級(jí)別4.4    故障模型術(shù)語(yǔ)表4.5    單固定故障4.5.1    故障等價(jià)4.5.2    單固定故障的等價(jià)4.5.3    故障壓縮4.5.4    故障支配和檢測(cè)點(diǎn)定理4.6    小結(jié)4.7    習(xí)題第二部分    測(cè)試方法第5章    邏輯與故障模擬5.1    用于設(shè)計(jì)驗(yàn)證的模擬5.2    用于測(cè)試評(píng)估的模擬5.3    用于模擬的模型電路5.3.1    模型的層次與模擬器類型5.3.2    層次連接描述5.3.3    MOS 網(wǎng)絡(luò)的門級(jí)模型5.3.4    模擬信號(hào)的狀態(tài)5.3.5    時(shí)序5.4    用于真值模擬的算法5.4.1    編碼模擬5.4.2    事件驅(qū)動(dòng)模擬5.5    故障模擬算法5.5.1    串行故障模擬5.5.2    并行故障模擬5.5.3    推演故障模擬5.5.4    并發(fā)故障模擬5.5.5    Roth的TEST-DETECT算法5.5.6    微分故障模擬5.6    故障模擬的統(tǒng)計(jì)學(xué)方法5.6.1    故障取樣5.7    小結(jié)5.8    習(xí)題第6章    可測(cè)試性度量6.1    SCOAP可控制性和可觀測(cè)性6.1.1    組合SCOAP度量6.1.2    組合電路的例子6.1.3    時(shí)序SCOAP度量6.1.4    時(shí)序電路的例子6.2    高層次可測(cè)試性度量6.3    小結(jié)6.4    習(xí)題第7章    組合電路測(cè)試生成7.1    算法與表示7.1.1    結(jié)構(gòu)測(cè)試與功能測(cè)試7.1.2    自動(dòng)測(cè)試矢量生成器的定義7.1.3    搜索空間的抽象7.1.4    算法完備性7.1.5    ATPG代數(shù)7.1.6    算法類型7.2    冗余識(shí)別7.3    全局測(cè)試問(wèn)題7.4    定義7.5    重要的組合ATPG算法7.5.1    D運(yùn)算和D算法（Roth）7.5.2    PODEM（Goel）7.5.3    FAN（Fujiwara和Shimono）7.5.4    高級(jí)算法7.6    測(cè)試生成系統(tǒng)7.7    測(cè)試矢量壓縮7.8    小結(jié)7.9    習(xí)題第8章    時(shí)序電路的測(cè)試矢量生成8.1    單時(shí)鐘同步電路的ATPG8.1.1    一個(gè)簡(jiǎn)化的問(wèn)題8.2    時(shí)間幀展開(kāi)方法8.2.1    九值邏輯的使用8.2.2    時(shí)間幀展開(kāi)方法的發(fā)展8.2.3    近似方法8.2.4    時(shí)間幀展開(kāi)方法的實(shí)現(xiàn)8.2.5    時(shí)序ATPG的復(fù)雜度8.2.6    無(wú)循環(huán)電路8.2.7    循環(huán)電路8.2.8    時(shí)鐘故障和多時(shí)鐘電路8.2.9    異步電路8.3    基于模擬的時(shí)序電路ATPG8.3.1    CONTEST算法8.3.2    遺傳算法8.4    小結(jié)8.5    習(xí)題第9章    存儲(chǔ)器測(cè)試9.1    存儲(chǔ)器密度和缺陷的趨勢(shì)9.2    概念9.3    故障9.3.1    故障表示9.3.2    失效機(jī)理9.4    存儲(chǔ)器測(cè)試層次9.5    March測(cè)試符號(hào)9.6    故障模型9.6.1    診斷與測(cè)試需要9.6.2    簡(jiǎn)化的功能故障9.6.3    故障模型與物理缺陷之間的關(guān)系9.6.4    多故障模型9.6.5    故障的頻率9.7    存儲(chǔ)器測(cè)試9.7.1    采用March測(cè)試矢量的功能RAM測(cè)試9.7.2    測(cè)試RAM相鄰矢量敏感故障9.7.3    測(cè)試RAM技術(shù)和與版圖有關(guān)的故障9.7.4    RAM測(cè)試層次9.7.5    cache RAM芯片測(cè)試9.7.6    功能ROM芯片測(cè)試9.7.7    電參數(shù)測(cè)試9.8    小結(jié)9.9    習(xí)題第10章    基于DSP模擬和混合信號(hào)測(cè)試10.1    模擬和混合信號(hào)電路趨勢(shì)10.2    定義10.3    基于DSP的功能測(cè)試10.3.1    概念10.3.2    基于DSP測(cè)試儀的機(jī)理10.3.3    波形綜合10.3.4    波形采樣和數(shù)字化10.4    靜態(tài)ADC和DAC測(cè)試方法10.4.1    傳輸參數(shù)與本征參數(shù)10.4.2    理想ADC的不確定性和失真10.4.3    DAC轉(zhuǎn)移函數(shù)誤差10.4.4    ADC轉(zhuǎn)移函數(shù)誤差10.4.5    Flash ADC測(cè)試方法10.4.6    DAC測(cè)試方法10.5    采用傅里葉變換實(shí)現(xiàn)仿真儀器10.5.1    傅里葉電壓計(jì)10.5.2    采用非相干采樣的模擬器件測(cè)試10.5.3    相干多音測(cè)試10.5.4    ATE矢量操作10.6    CODEC測(cè)試10.6.1    CODEC性能測(cè)試的考慮10.6.2    CODEC測(cè)試10.7    動(dòng)態(tài)Flash ADC測(cè)試FFT方法10.8    高級(jí)方法10.8.1    事件數(shù)字化10.8.2    隨機(jī)噪聲測(cè)量10.9    小結(jié)10.10  習(xí)題第11章    基于模型的模擬和混合信號(hào)測(cè)試11.1    模擬測(cè)試的困難11.2    模擬故障模型11.3    抽象級(jí)11.4    模擬測(cè)試類型11.5    模擬故障模擬11.5.1    動(dòng)機(jī)11.5.2    非線性電路的DC故障模擬11.5.3    線性模擬電路AC故障模擬11.5.4    蒙特卡羅模擬11.6    模擬自動(dòng)測(cè)試生成11.6.1    采用靈敏度ATPG11.6.2    采用信號(hào)流圖ATPG11.6.3    其他方法11.7    小結(jié)11.8    習(xí)題第12章    延遲測(cè)試12.1    延遲測(cè)試問(wèn)題12.2    路徑延遲測(cè)試12.2.1    組合電路測(cè)試生成12.2.2    電路中的路徑數(shù)12.3    轉(zhuǎn)換故障12.4    延遲測(cè)試方法12.4.1    慢時(shí)鐘組合測(cè)試12.4.2    增強(qiáng)掃描測(cè)試12.4.3    正常掃描時(shí)序測(cè)試12.4.4    可變時(shí)鐘非掃描時(shí)序測(cè)試12.4.5    額定時(shí)鐘非掃描時(shí)序測(cè)試12.5    延遲測(cè)試實(shí)際考慮12.5.1    全速度測(cè)試12.6    小結(jié)12.7    習(xí)題第13章    IDDQ測(cè)試13.1    動(dòng)機(jī)13.2    IDDQ測(cè)試檢測(cè)的故障13.3    IDDQ測(cè)試方法13.3.1   IDDQ故障覆蓋率標(biāo)準(zhǔn)13.3.2    從固定故障測(cè)試集選擇IDDQ測(cè)試矢量13.3.3    儀器問(wèn)題13.3.4    電流閾值設(shè)定13.4    IDDQ測(cè)試有效性綜述13.5    IDDQ測(cè)試的局限性13.6    艻DDQ測(cè)試13.7    IDDQ內(nèi)建電流測(cè)試13.8    IDDQ可測(cè)試性設(shè)計(jì)13.9    小結(jié)13.10  習(xí)題第三部分    可測(cè)試性設(shè)計(jì)第14章    數(shù)字電路DFT和掃描設(shè)計(jì)14.1    特定的DFT方法14.2    掃描設(shè)計(jì)14.2.1    掃描設(shè)計(jì)規(guī)則14.2.2    掃描電路的測(cè)試14.2.3    多重掃描寄存器14.2.4    掃描設(shè)計(jì)的開(kāi)銷14.2.5    設(shè)計(jì)自動(dòng)化14.2.6    掃描的物理設(shè)計(jì)與時(shí)序驗(yàn)證14.3    部分掃描設(shè)計(jì)14.4    掃描的變種14.5    小結(jié)14.6    習(xí)題第15章    內(nèi)建自測(cè)試15.1    BIST的經(jīng)濟(jì)性情況15.1.1    芯片/電路板面積費(fèi)用與測(cè)試儀費(fèi)用15.1.2    芯片/電路板面積費(fèi)用與系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間費(fèi)用15.2    隨機(jī)邏輯BIST15.2.1    定義15.2.2    BIST過(guò)程15.2.3    BIST測(cè)試矢量生成15.2.4    BIST響應(yīng)壓縮15.2.5    內(nèi)建邏輯塊觀察器15.2.6    按時(shí)鐘測(cè)試BIST系統(tǒng)15.2.7    按掃描測(cè)試BIST系統(tǒng)15.2.8    循環(huán)自測(cè)試路徑系統(tǒng)15.2.9    電路初始化15.2.10  器件級(jí)BIST15.2.11  測(cè)試點(diǎn)的插入15.3    存儲(chǔ)器BIST15.3.1    定義15.3.2    MARCH測(cè)試SRAM BIST15.3.3    使用MISR的SRAM BIST15.3.4    相鄰矢量敏感故障測(cè)試DRAM BIST15.3.5    透明存儲(chǔ)器BIST測(cè)試15.3.6    復(fù)雜的例子15.4    延遲故障BIST15.5    小結(jié)15.6    習(xí)題第16章    邊界掃描標(biāo)準(zhǔn)16.1    目的16.1.1    標(biāo)準(zhǔn)的用途16.2    邊界掃描的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)16.2.1    TAP控制器和端口16.2.2    邊界掃描測(cè)試指令16.2.3    標(biāo)準(zhǔn)對(duì)管腳的限制16.3    邊界掃描描述語(yǔ)言16.3.1    BSDL描述的成分16.3.2    管腳描述16.4    小結(jié)16.5    習(xí)題第17章    模擬測(cè)試總線標(biāo)準(zhǔn)17.1    模擬電路的可測(cè)試性設(shè)計(jì)17.2    模擬測(cè)試總線17.2.1    目標(biāo)模擬故障17.2.2    模擬測(cè)試訪問(wèn)端口17.2.3    測(cè)試總線接口電路17.2.4    模擬邊界模塊17.2.5    1149.4標(biāo)準(zhǔn)的指令17.2.6    其他1149.4標(biāo)準(zhǔn)的特性17.3    小結(jié)17.4    習(xí)題第18章    系統(tǒng)測(cè)試和基于核的設(shè)計(jì)18.1    系統(tǒng)測(cè)試問(wèn)題的定義18.2    功能測(cè)試18.2.1    微處理器測(cè)試18.3    診斷測(cè)試18.3.1    故障字典18.3.2    診斷樹(shù)18.3.3    系統(tǒng)測(cè)試舉例18.4    可測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)18.5    基于核的設(shè)計(jì)和測(cè)試外殼18.6    系統(tǒng)芯片的測(cè)試體系結(jié)構(gòu)18.7    完整的設(shè)計(jì)與測(cè)試方法18.8 &

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