微電子器件與IC設計

第1章半導體物理基礎
1.1半導體的形成與能帶
1.2本征半導體
1.3雜質半導體
1.4半導體的導電性
1.5非平衡載流子
思考題1
習題1
第2章PN結
2.1平衡PN結能帶圖及空間電荷區(qū)
2.2理想PN結的伏安特性
2.3實際PN結的特性
2.4PN結的擊穿
2.5PN結的電容
思考題2
習題2
第3章雙極晶體管(1)
3.1雙極晶體管的結構
3.2雙極晶體管的放大原理
3.3雙極晶體管電流增益
3.4反向直流參數(shù)及基極電阻
3.5雙極晶體管直流伏安特性
思考題3
習題3
第4章雙極晶體管(2)
4.1交流小信號電流增益
4.2雙極晶體管頻率特性參數(shù)
4.3雙極晶體管的開關原理
4.4雙極晶體管的開關時間
4.5雙極晶體管大電流特性
4.6晶體管耗散功率及安全工作區(qū)
思考題4
習題4
第5章結型場效應晶體管
5.1JFET結構與工作原理
5.2MESFET
5.3JFET直流特性
5.4直流特性的非理想效應
5.5JFET交流小信號特性
思考題5
習題5
第6章MOSFET
6.1MOS結構及其特性
6.2MOSFET結構及工作原理
6.3MOSFET閾值電壓
6.4MOSFET直流特性
6.5MOSFET小信號特性
6.6MOSFET開關特性
6.7短溝道效應及按比例縮小規(guī)則
思考題6
習題6
第7章異質結器件
7.1異質結
7.2HBT的工作原理與特性
7.3HBT的工藝.結構與設計
7.4HEMT的原理與特性
7.5HEMT的結構和設計
思考題7
習題7
第8章雙極型集成電路
8.1集成電路簡介
8.2雙極型集成電路中的元件結構與基本制造工藝
8.3雙極型數(shù)字集成電路中的門電路
8.4雙極型模擬集成電路中的基本單元電路
8.5雙極型集成電路的版圖設計
思考題8
習題8
第9章MOS集成電路
9.1MOS集成電路簡介
9.2MOS集成電路中的基本單元電路
9.3半導體集成電路設計方法和步驟
9.4MOSIC單元電路的版圖設計
思考題9
習題9
參考文獻
附錄