納米半導(dǎo)體技術(shù)

第1章　緒論
　1.1　納米半導(dǎo)體材料的定義
　1.2　納米半導(dǎo)體材料的基本特性
　1.3　納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的制備技術(shù)
　1.4　納米半導(dǎo)體材料的評價(jià)技術(shù)
　1.5　納米半導(dǎo)體量子器件
　1.6　納米半導(dǎo)體材料和量子器件研究存在問題和發(fā)展趨勢
　參考文獻(xiàn)
第2章　納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的制備
　2.1　外延生長基本原理
　2.2　外延生長技術(shù)
　2.3　納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的生長制備方法
　2.4　應(yīng)變自組裝In（Ga）As/GaAs量子點(diǎn)的生長原理
　2.5　量子點(diǎn)的可控生長技術(shù)
　參考文獻(xiàn)
第3章　納米半導(dǎo)體材料的評價(jià)技術(shù)與特性檢測
　3.1　納米半導(dǎo)體材料的評價(jià)技術(shù)
　3.2　納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)特性的檢測
　參考文獻(xiàn)
第4章　納米半導(dǎo)體材料的電子能級結(jié)構(gòu)
　4.1　半導(dǎo)體體材料的能帶結(jié)構(gòu)
　4.2　理想低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電子態(tài)
　4.3　應(yīng)變自組裝In(Ga)As/GaAs量子點(diǎn)的電子態(tài)
　參考文獻(xiàn)
第5章　納米半導(dǎo)體材料的光學(xué)性質(zhì)
　5.1　量子尺寸效應(yīng)
　5.2　單量子點(diǎn)光譜
　5.3　外場作用下量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)
　5.4　量子點(diǎn)中載流子弛豫與聲子　
　5.5?、蛐土孔狱c(diǎn)
　5.6　量子點(diǎn)帶內(nèi)躍遷
　5.7　微腔中量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)
　參考文獻(xiàn)
第6章　納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的電學(xué)性質(zhì)
　6.1　量子點(diǎn)的電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)
　6.2　磁場中量子點(diǎn)的輸運(yùn)性質(zhì)——近藤效應(yīng)
　6.3　光譜燒孔效應(yīng)
　參考文獻(xiàn)
第7章　量子級聯(lián)激光器材料與器件
　7.1　半導(dǎo)體激光器發(fā)展的簡要回顧
　7.2　量子級聯(lián)激光器的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢
　7.3　量子級聯(lián)激光器的工作原理
　7.4　量子級聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)與特性
　7.5　量子級聯(lián)激光器的應(yīng)用
　7.6　量子級聯(lián)激光器研究的新進(jìn)展
　參考文獻(xiàn)
第8章　半導(dǎo)體納米器件及其應(yīng)用
　8.1　量子點(diǎn)激光器
　8.2　量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管
　8.3　量子點(diǎn)紅外探測器
　8.4　量子點(diǎn)存儲(chǔ)器件
　8.5　量子點(diǎn)單光子光源和單光子探測器
　8.6　量子點(diǎn)光放大器和量子點(diǎn)光調(diào)制器
　8.7　量子點(diǎn)條形碼和生物成像
　8.8　自旋極化量子點(diǎn)發(fā)光管
　8.9　庫侖阻塞效應(yīng)和單電子器件
　8.10　量子點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)自動(dòng)機(jī)
　參考文獻(xiàn)