高等模擬集成電路

1 CMOS模擬集成電路基礎(chǔ)
1.1 MOS器件基礎(chǔ)及器件模型
1.1.1 結(jié)構(gòu)及工作原理
1.1.2 襯底調(diào)制效應(yīng)
1.1.3 小信號模型
1.1.4 亞閾區(qū)效應(yīng)
1.1.5 短溝效應(yīng)
1.1.6 SPICE模型
1.2 基本放大電路
1.2.1 共源(CS)放大電路
1.2.2 共漏(CD)放大電路
1.2.3 共柵(CG)放大電路
1.2.4 共源共柵(CSCG)放大電路
1.2.5 差分放大電路
1.3 電流源電路
1.3.1 二極管連接的MOS器件
1.3.2 基本鏡像電流源
1.3.3 威爾遜電流源
1.3.4 共源共柵電流源
1.3.5 有源負載放大電路
1.4 運算放大器
1.4.1 運算放大器的主要參數(shù)
1.4.2 單級運算放大器
1.4.3 兩級運算放大器
1.4.4 共模反饋(CMFB)
1.4.5 運算放大器的頻率補償
1.5 模擬開關(guān)
1.5.1 導(dǎo)通電阻
1.5.2 電荷注入與時鐘饋通
1.6 帶隙基準(zhǔn)電壓源
1.6.1 工作原理
1.6.2 與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源
思考題
2 電流模電路
2.1 概述
2.1.1 電流模電路的概念
2.1.2 電流模電路的特點
2.2 基本電流模電路
2.2.1 電流鏡電路
2.2.2 電流放大器
2.2.3 電流模積分器
2.3 電流模功能電路
2.3.1 跨導(dǎo)線性電路
2.3.2 電流傳輸器
2.4 從電壓模電路變換到電流模電路
2.5 電流模電路中的非理想效應(yīng)
2.5.1 MOSFET之間的失配
2.5.2 寄生電容對頻率特性的影響
思考題
3 抽樣數(shù)據(jù)電路
3.1 開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法
3.1.1 開關(guān)電容電路的時域分析
3.1.2 開關(guān)電流電路的時域分析
3.1.3 抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析
3.2 開關(guān)電容電路
3.2.1 開關(guān)電容單元電路
3.2.2 開關(guān)電容電路的特點
3.2.3 非理想因素的影響
3.3 開關(guān)電流電路
3.3.1 開關(guān)電流單元電路
3.3.2 開關(guān)電流電路的特點
3.3.3 非理想因素的影響
思考題
4 A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器
4.1 概述
4.1.1 電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換
4.1.2 A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理
4.1.3 A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo)
4.1.4 A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類
4.1.5 A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型
4.2 高速A/D轉(zhuǎn)換器
4.2.1 全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器
4.2.2 兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器
4.2.3 插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器
4.2.4 流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器
4.2.5 交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器
4.3 高精度A/D轉(zhuǎn)換器
4.3.1 逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器
4.3.2 雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器
4.3.3 過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器
4.4 D/A轉(zhuǎn)換器
4.4.1 電阻型D/A轉(zhuǎn)換器
4.4.2 電流型D/A轉(zhuǎn)換器
4.4.3 電容型D/A轉(zhuǎn)換器
思考題
5 集成濾波器
5.1 引言
5.1.1 濾波器的數(shù)學(xué)描述
5.1.2 濾波器的頻率特性
5.1.3 濾波器設(shè)計的逼近方法
5.2 連續(xù)時間濾波器
5.2.1 連續(xù)時間濾波器的設(shè)計方法
5.2.2 跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時間濾波器
5.2.3 連續(xù)時間濾波器的片上自動調(diào)節(jié)電路
5.3 對數(shù)域濾波器
5.3.1 對數(shù)域電路概念及其特點
5.3.2 對數(shù)域電路基本單元
5.3.3 對數(shù)域濾波器
5.4 抽樣數(shù)據(jù)濾波器
5.4.1 設(shè)計方法
5.4.2 SZ域映射
5.4.3 開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法
思考題
6 收發(fā)器與射頻前端電路
6.1 通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器
6.2 集成收信器
6.2.1 外差式接收與鏡像信號
6.2.2 復(fù)數(shù)信號處理
6.2.3 收信器前端結(jié)構(gòu)
6.3 集成發(fā)信器
6.3.1 上變換器
6.3.2 發(fā)信器結(jié)構(gòu)
6.4 收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo)
6.4.1 噪聲性能
6.4.2 靈敏度
6.4.3 失真特性與線性度
6.4.4 動態(tài)范圍
6.5 射頻電路設(shè)計
6.5.1 晶體管模型與參數(shù)
6.5.2 噪聲
6.5.3 集成無源器件
6.5.4 低噪聲放大器
6.5.5 混頻器
6.5.6 頻率綜合器
6.5.7 功率放大器
思考題
7 CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計
7.1 集成電路制造工藝簡介
7.1.1 單晶生長與襯底制備
7.1.2 光刻
7.1.3 氧化
7.1.4 擴散及離子注入
7.1.5 化學(xué)氣相淀積（CVD）
7.1.6 接觸與互連
7.2 CMOS工藝流程與集成電路中的元件
7.2.1 硅柵CMOS工藝流程
7.2.2 CMOS集成電路中的無源元件
7.2.3 CMOS集成電路中的寄生效應(yīng)
7.3 版圖設(shè)計
7.3.1 硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成
7.3.2 版圖設(shè)計規(guī)則
7.3.3 CMOS版圖設(shè)計技術(shù)
思考題
參考文獻