中國材料工程大典（第11卷信息功能材料工程上）

定　價(jià)：￥120.00

作　者：	王占國、陳立泉、屠海令
出版社：	化學(xué)工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	中國材料工程大典
標(biāo)　簽：	功能材料工程材料學(xué) 一般工業(yè)技術(shù) 科技

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ISBN：	9787502573133	出版時(shí)間：	2006-03-01	包裝：	精裝
開本：	16開	頁數(shù)：	649	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是《中國材料工程大典》中的卷目之一。信息功能材料是信息科學(xué)技術(shù)和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和先導(dǎo)。21世紀(jì)將是以信息產(chǎn)業(yè)為核心的知識(shí)經(jīng)濟(jì)時(shí)代，對(duì)信息技術(shù)和信息資源的競爭將更加激烈。我國電子信息行業(yè)2004年完成產(chǎn)品銷售收入達(dá)26500億元，多年來已居外貿(mào)出口首位，并繼續(xù)以高出工業(yè)發(fā)展速度10％的速度發(fā)展，已成為世界信息產(chǎn)業(yè)大國。加快由信息產(chǎn)業(yè)大國向信息產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國邁進(jìn)的步伐，是我們廣大從事信息技術(shù)，特別是信息功能材料工作者義不容辭的責(zé)任。希望《中國材料工程大典》中《信息功能材料工程》卷的出版，將有力推動(dòng)我國信息技術(shù)和信息產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展?！缎畔⒐δ懿牧瞎こ獭贩稚?、中、下卷，共設(shè)20篇，約600萬字。它涉及到信息的獲取、傳輸、存儲(chǔ)、顯示和處理等主要技術(shù)用的材料與器件，是目前我國該領(lǐng)域比較完整的專業(yè)工具書。參加這部書編寫的有中科院、高校和部分企業(yè)的專家教授近200名。參加編寫的主要單位有中科院半導(dǎo)體研究所、中科院物理研究所、中科院微電子研究所、中科院上海精密光學(xué)機(jī)械研究所、中科院上海紅外技術(shù)物理研究所、中科院長春應(yīng)用化學(xué)研究所、中科院合肥固體物理所、南京大學(xué)、清華大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京有色金屬研究總院、武漢郵電科學(xué)研究院等。歷時(shí)近3年完稿。由王占國、陳立泉、屠海令任主編并統(tǒng)稿。本卷各篇不僅全面系統(tǒng)地反映了國外信息功能材料研究領(lǐng)域的現(xiàn)狀、最新進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)，而且也特別注重我國在該領(lǐng)域的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面取得的成果，力圖使其具有實(shí)用性、先進(jìn)性和權(quán)威性。本書適合于從事信息功能材料的科研工作者和工程技術(shù)人員查閱使用，也可供有關(guān)師生參考＜br＞。

作者簡介

　　王占國，院士，中國科學(xué)院院士，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員。

圖書目錄

第1篇概論
第1章信息功能材料在信息技術(shù)中的戰(zhàn)略地位
第2章信息功能材料的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第2篇半導(dǎo)體硅材料
第1章概述
第2章硅單晶的制備
第3章硅晶體的機(jī)械性質(zhì)
第4章硅晶體表面性質(zhì)
第5章硅晶體的腐蝕
第6章硅晶片加工工藝
第7章硅單晶的缺陷
第8章硅單晶中輕元素雜質(zhì)
第9章硅單晶中的過渡族金屬雜質(zhì)和吸雜
第10章其它硅材料
第11章硅材料的發(fā)光
參考文獻(xiàn)
第3篇集成電路制造技術(shù)
第1章集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)
第2章微細(xì)加工技術(shù)
第3章集成電路工藝技術(shù)
第4章 CMOS器件及電路制造技術(shù)
第5章雙極型器件及電路制造技術(shù)
第6章半導(dǎo)體功率器件及電路
第7章化合物半導(dǎo)體器件和電路
第8章集成電路封裝技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第4篇硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件
第1章概論
第2章 SiGe的晶體結(jié)構(gòu)
第3章 SiGe的能帶結(jié)構(gòu)
第4章 SiGe的力學(xué)性質(zhì)、熱學(xué)性質(zhì)和Raman光譜
第5章 SiGe的電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)
第6章 SiGe的光學(xué)性質(zhì)
第7章 SiGe（001）的原子再構(gòu)和表面性質(zhì)
第8章 SiGeC/Si異質(zhì)結(jié)
第9章硅基Ⅲ—Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
第10章 SOI材料和器件
第11章硅基二氧化硅材料
第12章 Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長
第13章 Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子器件
第14章硅基光電子器件
參考文獻(xiàn)
第5篇化合物半導(dǎo)體材料
第1章 CaAs和InP的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
第2章 GaAs和InP的制備
第3章 GaAs和InP中的雜質(zhì)和缺陷
第4章 GaAs和InP測(cè)試表征
第5章 GaAs和InP的應(yīng)用
第6章其他常見化合物半導(dǎo)體材料
參考文獻(xiàn)
第6篇寬帶隙半導(dǎo)體及其應(yīng)用
第1章導(dǎo)論
第2章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料
第3章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體基本物理性質(zhì)
第4章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件應(yīng)用
第5章氧化鋅（ZnO）半導(dǎo)體
第6章碳化硅半導(dǎo)體
第7章金剛石半導(dǎo)體
第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體
第9章寬禁帶稀釋磁性半導(dǎo)體材料
參考文獻(xiàn)