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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書以薄膜材料為中心，系統(tǒng)地介紹了薄膜技術(shù)中常用的真空技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)，各種物理和化學(xué)氣相沉積技術(shù)和方法，薄膜材料的形核及生長(zhǎng)理論，薄膜材料微觀結(jié)構(gòu)的形成以及薄膜材料的厚度、微觀結(jié)構(gòu)和成分的表征方法等。在此基礎(chǔ)上，本書還有選擇地討論了薄膜材料在力學(xué)、光電子學(xué)、磁學(xué)等領(lǐng)域的典型應(yīng)用實(shí)例，其中涉及各種機(jī)械防護(hù)涂層、金剛石膜、光電子器件、集成光學(xué)器件、磁記錄及光記錄介質(zhì)材料等技術(shù)。本書可作為高等學(xué)校材料、物理及相關(guān)專業(yè)本科生、研究生及老師的教學(xué)參考書，也可供從事薄膜材料制備、研究的工程技術(shù)人員參考

作者簡(jiǎn)介

暫缺《薄膜材料制備原理、技術(shù)及應(yīng)用（第2版）》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

1 薄膜制備的真空技術(shù)基礎(chǔ)
1.1 氣體分子運(yùn)動(dòng)論的基本概念
1.2 氣體的流動(dòng)狀態(tài)和真空抽速
1.3 真空泵簡(jiǎn)介
1.4 真空的測(cè)量
參考文獻(xiàn)
2 薄膜的物理氣相沉積（Ⅰ）——蒸發(fā)法
2.1 物質(zhì)的熱蒸發(fā)
2.2 薄膜沉積的厚度均勻性和純度
2.3 真空蒸發(fā)裝置
參考文獻(xiàn)
3 薄膜的物理氣相沉積（Ⅱ）——濺射法及其他PVD方法
3.1 氣體放電現(xiàn)象與等離子體
3.2 物質(zhì)的濺射現(xiàn)象
3.3 濺射沉積裝置
3.4 其他物理氣相沉積方法
參考文獻(xiàn)
4 薄膜的化學(xué)氣相沉積
4.1 化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的類型
4.2 化學(xué)氣相沉積過程的熱力學(xué)
4.3 化學(xué)氣相沉積過程的動(dòng)力學(xué)
4.4 CVD薄膜沉積過程的數(shù)值模擬
4.5 化學(xué)氣相沉積裝置
4.6 等離子體輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)
參考文獻(xiàn)
5 薄膜的生長(zhǎng)過程和薄膜結(jié)構(gòu)
5.1 薄膜生長(zhǎng)過程概述
5.2 新相的自發(fā)形核理論
5.3 薄膜的非自發(fā)形核理論
5.4 連續(xù)薄膜的形成
5.5 薄膜生長(zhǎng)過程與薄膜結(jié)構(gòu)
5.6 非晶薄膜
5.7 薄膜結(jié)構(gòu)
5.8 薄膜的外延生長(zhǎng)
5.9 薄膜中的應(yīng)力和薄膜的附著力
參考文獻(xiàn)
6 薄膜材料的表征方法
7 薄膜材料及其應(yīng)用