半導體集成電路制造技術

第1章 緒論
1.1 引言
1.2 半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1.3 電路集成
1.4 集成電路制造
1.5 半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢
1.6 電子時代
第2章 集成電路器件物理
2.1 硅半導體的基本物理特性
2.2 金屬一氧化物一半導體二極管
2.3 金屬一氧化物一半導體場效應晶體管
2.4 短溝道效應
2.5 輕摻雜漏極(IDD)MOSFET器件
2.6 器件縮小原理(scaling principle)
2.7 納米MOSFE3器件中的載流子輸運模型及其特性
2.8 發(fā)展硅納電子學集成電路的限制
參考文獻
第3章 半導體材料物理化學基礎及加工技術
3.1 相圖和固溶度
3.2 晶體結(jié)構和缺陷
3.3 硅片的生長技術
3.4 區(qū)熔法生長單晶
3.5 GaAs單晶體的液封直拉法生長技術
3.6 布氏法生長GaAs
3.7 晶片成形
3.8 晶片的測試分析技術
參考文獻
第4章 半導體制備用材料及化學品
4.1 概述
4.2 清洗技術用高純度化學品
4.3 光刻技術用材料及化學品
4.4 刻蝕技術用高純度化學品
4.5 化學氣相沉積工藝用材料及化學品
4.6 平坦化技術用材料及化學品
4.7 結(jié)論
參考文獻
第5章 硅片清洗工藝
5.1 晶片清洗概論
5.2 晶片清洗的要求
5.3 濕式化學清洗技術
5.4 物理清洗技術
5.5 干式清洗技術
5.6 清洗設備的結(jié)構
5.7 總結(jié)及對未來清洗技術的展望
參考文獻
第6章 氧化工藝
6.1 概述
6.2 SiO，膜的結(jié)構、性質(zhì)及其作用
6.3 熱氧化的原理
6.4 氧化方法
6.5 氧化工藝的設備
6.6 氧化膜的質(zhì)量評價
參考文獻
第7章 化學氣相沉積技術
7.1 概述
7.2 CVD基本原理簡介
7.3 各種CVD反應簡介
7.4 CVD裝置
7.5 CVD制備工藝
參考文獻
第8章 離子注入技術
8.1 概述
8.2 離子注人技術的基本原理
8.3 離子注入設備
8.4 離子注人層特性的測量和分析
參考文獻
第9章 金屬沉積技術
9.1 概述
9.2 未來金屬化的展望
9.3 化學氣相沉積金屬制作工藝
9.4 物理氣相沉積金屬的工藝
參考文獻
第10章 擴散工藝
10.1 概述
10.2 擴散原理
10.3 硅中雜質(zhì)原子的擴散方式
10.4 擴散設備
10.5 與擴散有關的參數(shù)測量
參考文獻
第11章 快速加熱處理工藝
11.1 快速加熱處理工藝簡介
11.2 快速加熱化學氣相沉積
11.3 快速氧化層生長及氮化
11.4 注人離子活化及淺結(jié)面的形成
11.5 金屬硅化物的形成
11.6 磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)的緩流及再緩流
11.7 外延生長
11.8 快速升溫系統(tǒng)介紹
參考文獻
第12章 刻蝕流程與設備
12.1 概述
12.2 濕法刻蝕
12.3 干法刻蝕
12.4 半導體工藝中常用材料的干法刻蝕
12.5 前瞻
參考文獻
第13章 光刻工藝
13.1 概述
13.2 光刻膠及其主要性能
13.3 光刻對準曝光系統(tǒng)
13.4 光刻工藝過程
13.5 光刻質(zhì)量的檢測
13.6 掩模版的制造
參考文獻
第14章 金屬化及平坦化工藝
14.1 概述
14.2 金屬化處理技術
14.3 金屬連線的生產(chǎn)技術
14.4 連線制備技術的展望
14.5 介質(zhì)絕緣膜的制備技術
14.6 低介電常數(shù)材料
14.7 高介電常數(shù)材料
14.8 CMP設備及消耗材料
14.9 CMP的工藝控制
參考文獻
第15章 微分析技術及缺陷改善工程
15.1 概述
15.2 微分析儀器的分類
15.3 微分析儀器在半導體工業(yè)中的應用
15.4 常用微分析儀器介紹
15.5 失效分析簡介
15.6 缺陷改善工程
15.7 結(jié)論
參考文獻
第16章 工藝整合與自動化
16.1 概述
16.2 工藝整合技術
16.3 CIM及自動化
16.4 半導體制造廠計算機信息整合制造的實踐
16.5 信息技術/自動化技術顧問公司的支持
參考文獻