化合物半導體材料與器件

第一章 半導體的能帶結構
1.1 能帶中一些符號的意義
1.2 Ge、Si、GaAs的能帶結構
1.3 拋物線性能帶
1.4 非拋物線性能帶
1.5 無能隙半導體
主要參考文獻
第二章 載流子的瞬態(tài)輸運過程
2.1 載流子的速度過沖(下沖)過程
2.2 載流子的彈道輸運過程
主要參考文獻
第三章 二維電子氣
3.1 二維電子氣概念
3.2 二維電子氣的能量狀態(tài)
3.3 低電場下二維電子氣的遷移率
3.4 二維電子氣的光學性質(zhì)
3.5 強磁場中的二維電子氣
3.6 一維電子氣的特性
主要參考文獻
第四章 半導體超晶格
4.1 基本結構
4.2 能帶結構
4.3 超晶格振蕩與放大器件
4.4 超晶格的應用舉例
4.5 諧振隧道二極管
4.6 諧振帶間隧道二極管
4.7 非晶半導體超晶格
4.8 半導體超晶格的無序化
主要參考文獻
第五章 半導體異質(zhì)結
5.1 半導體異質(zhì)結的界面
5.2 半導體異質(zhì)結的能帶突變
5.3 熱平衡下異質(zhì)結的能帶圖
5.4 半導體異質(zhì)結的伏安特性
5.5 非晶半導體異質(zhì)結
5.6 Si/SiGe異質(zhì)結
主要參考文獻
第六章 高電子遷移率晶體管
6.1 HEMT的基本結構和工作管理
6.2 基本特性
6.3 HEMT中2-DEG的遷移率和漂移速度
6.4 贗高電子遷移率晶體管(PHEMT)
6.5 HEMT集成電路
6.6 GaAs/AlGaAs類絕緣柵場效應晶體管
主要參考文獻
第七章 異質(zhì)結雙極型晶體管
7.1 緩變發(fā)射結HBT
7.2 突變發(fā)射結HBT
7.3 緩變發(fā)射結、緩變基區(qū)HBT
7.4 突變發(fā)射結、緩變基區(qū)HBT
7.5 HBT的擴散理論
7.6 AlxGa1-xAs/GaAs-HBT
7.7 其他結構HBT舉例
7.8 非晶HBT
7.9 Si/Si1-xGex-HBT
7.10 異質(zhì)結雙極型熱電子晶體管
主要參考文獻
第八章 化合物半導體外延技術
8.1 液封Czochralski拉晶技術
8.2 半絕緣GaAs單晶質(zhì)量的改進
8.3 分子束外延
8.4 金屬有機化學氣相淀積法(MOCVD)
8.5 原子束外延(ALE)
8.6 鹵素輸運法
8.7 液相外延
主要參考文獻
第九章 化合物半導體中的雜質(zhì)和缺陷
9.1 常見雜質(zhì)和點缺陷
9.2 熱處理效應
9.3 II-VI族化合物半導體的摻雜問題
9.4 n型III-V族化合物半導體中的DX中心
9.5 GaAs/AlxGa1-xAs超晶格中的淺雜質(zhì)態(tài)
主要參考文獻
第十章 寬帶隙化合物半導體材料及其異質(zhì)結
10.1 SiC材料、器件及應用
10.2 GaN材料、異質(zhì)結與器件
主要參考文獻