微電子工藝基礎(chǔ)

1 硅材料及硅化合物化學(xué)性質(zhì)
　1.1 硅單晶的化學(xué)性質(zhì)
　1.2 硅化合物的化學(xué)性質(zhì)
　1.3 高純硅制備的化學(xué)原理
　參考文獻(xiàn)
2 微電子技術(shù)中的高純水制備
　2.1 天然水中的雜質(zhì)
　2.2 微電子技術(shù)工程用水
　2.3 離子交換法制備純水
　2.4 電滲析法制備純水的原理
　2.5 反滲透法制備純水的原理
　參考文獻(xiàn)
3 微電子技術(shù)中的化學(xué)清洗
　3.1 晶片表面清洗的重要性
　3.2 晶片清洗的基本理論和方法
　3.3 顆粒吸附狀態(tài)分析及優(yōu)先吸附模型
　3.4 表面活性劑在化學(xué)清洗中的應(yīng)用
　3.5 硅片清洗的常用方法與技術(shù)
　3.6 清洗工藝設(shè)備和安全操作
　3.7 溶液清洗技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展方向
　3.8 新型清洗技術(shù)
　參考文獻(xiàn)
4 氧化工藝技術(shù)
　4.1 二氧化硅膜在器件中的作用
　4.2 二氧化硅的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
　4.3 二氧化硅膜制備的化學(xué)原理
　4.4 二氧化硅一硅界面的物理性質(zhì)
　4.5 二氧化硅玻璃中的雜質(zhì)
　4.6 雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散
　4.7 二氧化硅膜質(zhì)量的檢驗(yàn)
　參考文獻(xiàn)
5 擴(kuò)散工藝技術(shù)
　5.1 擴(kuò)散原理與模型
　5.2 常用擴(kuò)散雜質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)
　5.3 擴(kuò)散分布的測(cè)量分析
　參考文獻(xiàn)
6 刻蝕工藝技術(shù)
　6.1 濕法刻蝕
　6.2 干法刻蝕
　6.3 刻蝕技術(shù)新進(jìn)展
　參考文獻(xiàn)
7 制版工藝技術(shù)
　7.1 制版工藝過(guò)程
　7.2 超微粒干版制備的化學(xué)原理
　7.3 鉻版制備技術(shù)
　7.4 氧化鐵版制備的化學(xué)原理
　參考文獻(xiàn)
8 外延生長(zhǎng)技術(shù)
　8.1 硅外延技術(shù)在IC發(fā)展中的作用
　8.2 硅外延生長(zhǎng)的化學(xué)原理
　8.3 外延生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)
　8.4 外延層中雜質(zhì)濃度分布
　8.5 硅烷熱分解法外延與選擇外延
　8.6 外延層上的缺陷及檢驗(yàn)
　8.7 硅外延自摻雜效應(yīng)及控制
　8.8 硅外延片滑移線(xiàn)產(chǎn)生及消除技術(shù)
　8.9 硅外延生長(zhǎng)的工藝優(yōu)化——反向補(bǔ)償法
　參考文獻(xiàn)
9 金屬化處理技術(shù)
　9.1 化學(xué)氣相沉積金屬過(guò)程
　9.2 物理氣相沉積金屬過(guò)程
　9.3 電極制備
　參考文獻(xiàn)
10 電子封裝技術(shù)
　10.1 封裝技術(shù)概述
　10.2 陶瓷封裝
　10.3 塑料封裝
　10.4 封裝的化學(xué)原理
　參考文獻(xiàn)