半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)原理與應(yīng)用

1　半導(dǎo)體微區(qū)電阻測(cè)量技術(shù)
　1.1　微區(qū)電阻測(cè)試相關(guān)因素分析
　1.2　國(guó)內(nèi)外薄層電阻測(cè)試方法綜述
　1.3　圖像處理與分析及共在半導(dǎo)體薄層電阻測(cè)量中的應(yīng)用
　參考文獻(xiàn)
2　四探針技術(shù)測(cè)量薄層電阻的原理分析
　2.1　國(guó)探針測(cè)試技術(shù)概述
　2.2　常規(guī)直線四探針?lè)?br />　2.3　改進(jìn)的范德堡法
　2.4　斜置式方形Rymaszewski四探針?lè)?br />　2.5　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
3　四探針測(cè)試技術(shù)中的共性問(wèn)題
　3.1　測(cè)試探針
　3.2　測(cè)試設(shè)備的校準(zhǔn)及環(huán)境對(duì)測(cè)量的影響
　3.3　四探針測(cè)試中的邊緣修正問(wèn)題
　3.4　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
4　四探針儀測(cè)控系統(tǒng)及其實(shí)現(xiàn)
　4.1　機(jī)械系統(tǒng)設(shè)計(jì)
　4.2　四探針儀測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)
　4.3　光學(xué)監(jiān)視系統(tǒng)
　4.4　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
5　游移對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響及測(cè)量薄層電阻的改進(jìn)Rymaszewski方法
　5.1　方形四探針測(cè)試中探針游針對(duì)測(cè)試結(jié)果造成的誤差分析
　5.2　方形國(guó)探針?lè)ㄅc常規(guī)直線四探針?lè)ㄓ我圃斐烧`差的對(duì)比分析
　5.3　用改進(jìn)的Rymaszewski公式及方形四探針?lè)y(cè)定微區(qū)的方電阻
　5.4　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
6　探針圖像預(yù)處理及邊緣檢測(cè)
7　探針的圖像侵害、定位控制與檢測(cè)精度分析
8　電阻率的無(wú)接觸測(cè)量及自動(dòng)測(cè)試技術(shù)
9　高電阻率材料的電學(xué)參數(shù)測(cè)量
10　掃描電子顯微鏡及其在半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)中的應(yīng)用
11　外延片的物理測(cè)試