半導體概論

半導體科技發(fā)展史概要（代序）
參考文獻
第1章 半導體物理概論
1.1 半導體中電子的能量狀態(tài)
1.1.1 能帶理論
1.1.2 半導體的能帶結(jié)構(gòu)
1.1.3 半導體中的載流子
1.1.4 載流子的有效質(zhì)量
1.2 半導體的導電性
1.2.1 載流子的漂移運動和半導體的電導率
1.2.2 半導體中的載流子統(tǒng)計
1.2.3 散射與載流予的遷移率
1.2.4 半導體電阻率的溫度特性
1.3 半導體中的額外載流予
1.3.1 額外載流子的產(chǎn)生與復合
1.3.2 額外載流子的運動
1.4 半導體應用基礎
1.4.1 半導體器件的基本結(jié)構(gòu)
1.4.2 半導體pn結(jié)原理
1.4.3 金屬一半導體接觸原理
1.4.4 MOS柵原理
1.4.5 半導體光電子學原理
參考文獻
第2章 半導體材料概述
2.1 半導體材料的晶體結(jié)構(gòu)與分類
2.1.1 元素的電負性與原子的結(jié)合
2.1.2 共價結(jié)合與正四面體結(jié)構(gòu)
2.1.3 半導體的晶體結(jié)構(gòu)
2.1.4 化合物半導體的極性
2.2 元素半導體
2.2.1 硒（Se）
2.2.2 三種具有半導體特征的結(jié)晶碳
2.2.3 灰錫（a-Sn）
2.2.4 鍺（Ge）
2.2.5 硅（Si）
2.2.6 其他元素半導體
2.3 化合物半導體
2.3.1 Ⅲ—Ⅴ族化合物
2.3.2 Ⅱ—Ⅵ族化合物
2.3.3 氧化物半導體
2.3.4 Ⅳ—Ⅵ族化合物
2.3.5 Ⅳ—Ⅳ族化合物
2.3.6 其他化合物半導體
2.3.7 半導體固溶體
2.4 有機半導體
2.5 非晶半導體
2.5.1 非晶體結(jié)構(gòu)與制備原理
2.5.2 非晶半導體的電子態(tài)
2.5.3 非晶半導體的輸運性質(zhì)
2.5.4 非晶半導體的光學性質(zhì)
2.5.5 非晶半導體種類及其應用
2.6 精細結(jié)構(gòu)半導體
2.6.1 微晶和納米晶
2.6.2 半導體超品格
2.7 磁性及超導半導體
參考文獻
第3章 半導體材料制備概述
3.1 半導體材料制備的理論基礎
3.1.1 相圖
3.1.2 區(qū)熔提純原理
3.1.3 晶體生長原理
3.2 晶體生長技術(shù)
3.2.1 布里奇曼法（BIidgman）
3.2.2 直拉法（czochralski，簡稱cz）
3.2.3 區(qū)熔法（Floating Zone，簡稱FZ）
3.2.4 升華法
3.3半導體薄膜的生長與淀積
3.3.1 外延生長
3.3.2 半導體薄膜的其他制備方法
參考文獻
第4章 雜質(zhì)工程和能帶工程
4.1 常規(guī)摻雜
……
第5章 寬禁帶半導體
第6章 半導體照明