IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論

定　價(jià)：￥38.00

作　者：	袁壽財(cái)
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	絕緣柵場效應(yīng)器件

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ISBN：	9787030200419	出版時(shí)間：	2008-01-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁數(shù)：	209	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制作工藝及應(yīng)用等，重點(diǎn)討論IGBT，同時(shí)對其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了簡單介紹。本書著重闡述基礎(chǔ)理論，并適當(dāng)吸收該領(lǐng)域近期的研究報(bào)道，各章后附有相關(guān)參考文獻(xiàn)，書后還附有全書統(tǒng)一使用的符號表。本書可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)、微電子與固體電子學(xué)專業(yè)的教學(xué)用書，也可供從事物理專業(yè)及電子信息專業(yè)領(lǐng)域的教師、科研人員、研究生和本科生等參考閱讀。

作者簡介

　　袁壽財(cái)，生于1963年3月，陜西省商洛山陽縣人。1985年，獲西安交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)工學(xué)學(xué)士；1988年，獲陜西微電子學(xué)研究所（陜西臨潼）碩士學(xué)位（VLSI研究方向）；2003年，獲西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科工學(xué)博士學(xué)位?，F(xiàn)為贛南師范學(xué)院（江西省贛州市）物理與電子信息學(xué)院教師。從事半導(dǎo)體大功率器件、新材料新器件及微納電子器件與電路的研究和教學(xué)工作。先后參與機(jī)械工業(yè)部“八五”科技攻關(guān)項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金及國家863計(jì)劃等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。2004年4月，“一種硅化物全自對準(zhǔn)槽柵絕緣柵雙極晶體管的制備方法”取得了國家發(fā)明專利。發(fā)表的學(xué)術(shù)論文中，SCI收錄4篇，EI收錄5篇。

圖書目錄

序
前言
第1章　緒論
　1.1　半導(dǎo)體功率器件與電力電子技術(shù)
　1.2　半導(dǎo)體功率器件及其主要應(yīng)用領(lǐng)域
　1.3　電力電子與民族工業(yè)的振興
　1.4　本書的主要內(nèi)容和章節(jié)安排
第2章　半導(dǎo)體功率器件技術(shù)回顧
　2.1　引言
　2.2　雙極結(jié)型晶體管（BJT）技術(shù)
　2.3　場效應(yīng)晶體管（FFT）技術(shù)
　2.4　MOSFET的發(fā)展歷程
　2.5　絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
　2.6　其他半導(dǎo)體功率器件
　2.7　半導(dǎo)體新材料和新器件
　2.8　IGBT等半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用
　2.9　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第3章　IGBT的工作機(jī)理分析
　3.1　引言
　3.2　IGBT的基本結(jié)構(gòu)及輸出，I-V特性
　3.3　IGBT工作機(jī)理的數(shù)值分析
　3.4 IGBT重要電性能參數(shù)的分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)
　3.5　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第4章　IGBT準(zhǔn)數(shù)值分析模型
　4.1　引言
　4.2 IGBT n-區(qū)壓降計(jì)算的準(zhǔn)數(shù)值模型
　4.3 IGBT n-區(qū)壓降計(jì)算的PIN二極管模型
　4.4 IGBT樣品測量與模型計(jì)算的比較
　4.5　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第5章　IGBT的等效電路模型
　5.1　引言
　5.2 IGBT等效電路的建立
　5.3 IGBT n-區(qū)電阻的VCR模型
　5.4 IGBT等效電路模型參數(shù)的非破壞測試和提取
　5.5　模擬與測量的比較與討論
　5.6　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第6章　IGBT的開關(guān)特性和溫度效應(yīng)
　6.1　引言
　6.2　IGBT關(guān)斷特性的分析
　6.3　IGBT溫度效應(yīng)的分析
　6.4　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第7章　平面工藝IGBT設(shè)計(jì)與制作
　7.1　引言
　7.2　半導(dǎo)體功率器件的襯底材料
　7.3　平面工藝IGBT設(shè)計(jì)與制作
　7.4　全自對準(zhǔn)淺結(jié)平面工藝IGBT設(shè)計(jì)
　7.5　制作芯片的測試與結(jié)果分析
　7.6　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第8章　Trench Gate（槽柵）IGBT結(jié)構(gòu)和工藝
　8.1 Trench工藝的提出
　8.2 Trench工藝的發(fā)展
　8.3 Trench的幾種結(jié)構(gòu)
　8.4 Trench結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢與不足
　8.5　難熔金屬硅化物工藝
　8.6　全自對準(zhǔn)Trench Gate IGBT結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計(jì)
　8.7　電力電子新器件與新工藝
　8.8　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第9章　pn結(jié)擊穿與終端保護(hù)技術(shù)
主要符號表