多弧離子鍍技術(shù)與應(yīng)用

l 多弧離子鍍的沉積原理與技術(shù)特點(diǎn)
1.1 真空鍍膜技術(shù)概論
1.1.1 真空鍍膜技術(shù)
1.1.2 真空鍍膜技術(shù)分類
1.2 多弧離子鍍的基本結(jié)構(gòu)與沉積原理
1.3 多弧離子鍍的技術(shù)特點(diǎn)
1.4 多弧離子鍍的應(yīng)用
2 工藝參數(shù)及液滴的控制
2.1 大顆粒的產(chǎn)生
2.1.1 產(chǎn)生原因
2.1.2 大顆粒的輸運(yùn)
2.2 大顆粒的去除
2.2.1 大顆粒發(fā)射的抑制
2.2.2 在等離子體輸運(yùn)過(guò)程中大顆粒數(shù)量的減少
2.2.3 其他過(guò)濾器
2.3 大顆粒的控制效果
2.4 大顆?？刂频墓に噷?shí)現(xiàn)及優(yōu)化
2.4.1 弧電源
2.4.2 工藝參數(shù)的控制
2.4.3 過(guò)濾器的采用
參考文獻(xiàn)
3 多弧離子鍍?cè)O(shè)備的改進(jìn)
3.1 國(guó)內(nèi)外早期設(shè)備
3.1.1 國(guó)外早期設(shè)備簡(jiǎn)介
3.1.2 國(guó)內(nèi)早期設(shè)備簡(jiǎn)介
3.2 現(xiàn)階段設(shè)備進(jìn)展
3.2.1 國(guó)外設(shè)備進(jìn)展
3.2.2 國(guó)內(nèi)設(shè)備進(jìn)展
3.3 設(shè)備技術(shù)發(fā)展方向
參考文獻(xiàn)
4 多弧離子鍍超硬反應(yīng)膜
4.1 多弧離子鍍TiN超硬反應(yīng)膜
4.1.1 TiN膜的沉積工藝
4.1.2 TiN膜層織構(gòu)
4.1.3 TiN膜層缺陷——液滴
4.1.4 TiN膜層的摩擦磨損性能
4.1.5 TiN膜層的機(jī)械加工性能
4.2 多弧離子鍍CrN超硬反應(yīng)膜
4.3 多弧離子鍍ZrN超硬反應(yīng)膜
4.4 多弧離子鍍(Ti，A1)N超硬膜
4.4.1 (Ti，A1)N膜的制備技術(shù)
4.4.2 (Ti，A1)N膜層
4.4.3 (Ti，A1)N膜的沉積參數(shù)
4.4.4 (Ti，A1)N膜的相組成及晶體結(jié)構(gòu)
4.4.5 (Ti，A1)N膜的硬度和楊氏模量
4.4.6 (Ti，A1)N膜的過(guò)渡層與結(jié)合力
4.4.7 (Ti，A1)N膜的氧化腐蝕性能
4.4.8 (Ti，A1)N膜的機(jī)械加工性能
4.5 多弧離子鍍(Ti，Cr)N超硬膜
4.6 多弧離子鍍(Ti，Zr)N超硬膜
4.7 多弧離子鍍多元超硬反應(yīng)膜
4.7.1 TiAlZrN超硬反應(yīng)膜
4.7.2 TiAlCrN超硬反應(yīng)膜
參考文獻(xiàn)
5 多弧離子鍍高溫防護(hù)涂層
5.1 高溫防護(hù)涂層概述
5.1.1 高溫防護(hù)涂層的歷史發(fā)展[1]
5.1.2 高溫防護(hù)涂層的作用
5.2 MCrAlX高溫合金防護(hù)涂層[2]
5.2.1 MCrAlX型涂層的氧化和腐蝕
5.2.2 MCrAlX型防護(hù)涂層的組元及作用
5.2.3 多弧離子鍍MCrAlX型防護(hù)涂層的示例
5.3 Ti-Al-cr系高溫鈦合金防護(hù)涂層
5.3.1 高溫鈦合金的氧化行為
5.3.2 高溫鈦合金防護(hù)涂層綜述
5.3.3 Ti-Al-Cr系高溫鈦合金防護(hù)涂層
5.4 熱障涂層
5.4.1 熱障涂層的基本設(shè)計(jì)
5.4.2 氧化鋯的基本物理化學(xué)性質(zhì)
5.4.3 黏結(jié)層材料
5.4.4 熱障涂層制備工藝
5.4.5 熱障涂層研究重點(diǎn)
參考文獻(xiàn)
6 多弧離子鍍裝飾涂層
6.1 TiN裝飾涂層
6.2 ZrN裝飾涂層
6.3 摻金裝飾涂層
6.4 其他裝飾涂層
參考文獻(xiàn)
7 多弧離子鍍?cè)诠δ鼙∧ぶ械膽?yīng)用
7.1 DLC膜
7.2 CN膜
7.3 氧化物薄膜
7.3.1 氧化鈦薄膜
7.3.2 氧化鋅薄膜
7.3.3 氧化銦錫(ITO)薄膜
7.3.4 氧化鎂薄膜
7.3.5 氧化鋁薄膜
7.3.6 氧化銅薄膜
7.4 金屬膜
7.5 貯氫薄膜
7.6 其他復(fù)合薄膜
7.7 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
8 多弧離子鍍合金涂層的成分問(wèn)題
8.1 合金(反應(yīng))膜的制備方法
8.1.1 單元素靶多靶共用
8.1.2 鑲嵌組合
8.1.3 合金靶應(yīng)用與成分問(wèn)題
8.2 成分離析現(xiàn)象的一般規(guī)律
8.3 成分離析效應(yīng)的基本物理解釋
8.3.1 基片不加負(fù)偏壓的情形
8.3.2 基片加一定負(fù)偏壓后的情形
8.3.3 陰極靶材各組元含量對(duì)成分離析的影響
8.3.4 基片負(fù)偏壓對(duì)成分離析的影響
8.4 靶材成分設(shè)計(jì)
8.4.1 設(shè)計(jì)方法(1)
8.4.2 設(shè)計(jì)方法(2)
8.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
9 超硬反應(yīng)膜形成元素分析
9.1 超硬膜形成元素
9.1.1 合金元素選擇的制約因素
9.1.2 基體元素與合金化元素
9.2 超硬反應(yīng)膜合金元素的物理特性分析
9.3 合金化元素的作用
9.3.1 鉻(Cr)元素的作用
9.3.2 釩(V)元素的作用
9.3.3 鋯(Zr)元素的作用
9.3.4 硅(Si)元素的作用
9.3.5 鉬(Mo)元素的作用
9.3.6 釔(Y)、鉿(Hf)、硼(B)元素的作用
9.4 多元超硬反應(yīng)膜的發(fā)展趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
10 多弧離子鍍、滲復(fù)合工藝
10.1 多弧離子鍍、滲復(fù)合工藝
10.1.1 離子滲氮、離子鍍復(fù)合工藝
10.1.2 加弧輝光滲鍍復(fù)合工藝
10.1.3 鍍滲復(fù)合工藝
10.2 研究的前沿問(wèn)題及發(fā)展方向
參考文獻(xiàn)
11 脈沖偏壓多弧離子鍍
11.1 脈沖偏壓工藝的工作原理
11.2 脈沖偏壓沉積工藝
11.3 脈沖偏壓多弧離子鍍技術(shù)的特征和內(nèi)涵
11.3.1 脈沖偏壓多弧離子鍍的熱力學(xué)類型和特征
11.3.2 鍍膜等離子體的物理原理
11.3.3 鍍膜電路的電磁兼容問(wèn)題
11.4 脈沖偏壓對(duì)薄膜組織結(jié)構(gòu)及性能的影響
11.5 脈沖工藝在制備各種膜層中的應(yīng)用
11.6 脈沖工藝在工業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用前景
11.7 發(fā)展方向和前景
參考文獻(xiàn)