微電子與光電子集成技術(shù)

第1章 概述
　1.1 微電子技術(shù)簡介
　　1.1.1 雙極型微電子技術(shù)簡介
　　1.1.2 MOS微電子技術(shù)簡介
　　1.1.3 Bi-CMOS微電子技術(shù)簡介
　　1.1.4 SOI微電子技術(shù)簡介
　1.2 光電子技術(shù)簡介
　　1.2.1 光發(fā)射器件簡介
　　1.2.2 光接收器件簡介
　　1.2.3 光波導(dǎo)器件簡介
　　1.2.4 太陽能電池
　　1.2.5 電子圖像顯示器件
　1.3 工藝與制備
　　1.3.1 MBE工藝
　　1.3.2 MOCVD工藝
　　1.3.3 氧化
　　1.3.4 化學(xué)氣相沉積（CVD）
　　1.3.5 刻蝕
　　1.3.6 光學(xué)光刻
　　1.3.7 離子注入
　　1.3.8 金屬化
　1.4 微電子與光電子集成技術(shù)簡介
　參考文獻
第2章 光發(fā)射器件及集成技術(shù)
　2.1 光發(fā)射器件理論基礎(chǔ)
　　2.1.1 晶體結(jié)構(gòu)
　　2.1.2 能帶結(jié)構(gòu)
　　2.1.3 雜質(zhì)能級
　　2.1.4 半導(dǎo)體發(fā)光基礎(chǔ)理論
　2.2 光發(fā)射二極管
　　2.2.1 概述
　　2.2.2 半導(dǎo)體光發(fā)射二極管的基本結(jié)構(gòu)
　　2.2.3 發(fā)光二極管性質(zhì)
　　2.2.4 硅基光發(fā)射二極管
　2.3 半導(dǎo)體激光器
　　2.3.1 半導(dǎo)體激光器分類
　　2.3.2 異質(zhì)結(jié)激光器
　　2.3.3 分布反饋激光器（DFB-LD）
　　2.3.4 量子阱激光器
　　2.3.5 硅基半導(dǎo)體激光器
　2.4 垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）
　　2.4.1 VCSEL的理論分析
　　2.4.2 VCSEL的總體結(jié)構(gòu)設(shè)計
　　2.4.3 VCSEL中反射鏡的設(shè)計
　　2.4.4 VCSEL光腔的設(shè)計
　　2.4.5 幾種典型的VCSEL結(jié)構(gòu)及其制作工藝
　參考文獻
第3章 光接收器件及集成技術(shù)
　3.1 光電探測器理論基礎(chǔ)
　　3.1.1 半導(dǎo)體中的光吸收
　　3.1.2 光生載流子
　3.2 光電探測器性能參數(shù)
　　3.2.1 量子效率和響應(yīng)度
　　3.2.2 頻率響應(yīng)
　　3.2.3 噪聲和探測度
　3.3 基于Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料的光電探測器
　　3.3.1 PIN型光電探測器
　　3.3.2 APD光電探測器
　　3.3.3 MSM光電探測器
　　3.3.4 GaN基紫外光電探測器
　3.4 基于硅基雙極型工藝的光電探測器
　　3.4.1 與標準雙極工藝兼容的集成光電探測器
　　3.4.2 修改雙極工藝條件下的集成光電探測器
　3.5 基于硅基CMOS工藝的集成光電探測器
　　3.5.1 基于標準CMOS工藝的集成光電探測器
　　3.5.2 定制CMOS工藝下的PIN光電探測器
　　3.5.3 BiCMOS工藝下集成光電探測器
　3.6 鍺硅光電探測器
　3.7 光電探測器陣列
　參考文獻
第4章 光波導(dǎo)器件及集成技術(shù)
　4.1 光傳輸?shù)睦碚摳攀?br />　　4.1.1 線光學(xué)理論
　　4.1.2 電磁場理論基礎(chǔ)
　4.2 光波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)
　4.3 SOI光波導(dǎo)
　　4.3.1 SOI光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
　　4.3.2 光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)
　　4.3.3 硅光波導(dǎo)中損耗的分類
　　4.3.4 硅中的光調(diào)制機制
　4.4 光波導(dǎo)器件制作技術(shù)
　　4.4.1 SOI基片的制備
　　4.4.2 SOI波導(dǎo)工藝特點簡介
　4.5 硅基電光調(diào)制器件簡介
　　4.5.1 硅基電光調(diào)制器分類
　　4.5.2 光相位調(diào)制器
　參考文獻
第5章 光電子專用集成電路
第6章 硅基光電子集成回路
第7章 甚短距離光傳輸模塊及相關(guān)技術(shù)
第8章 微電子與光電子混合集成技術(shù)
第9章 微電子與光電子集成技術(shù)展望
附錄A 縮略語