模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

第1章　緒論
1.1 引言
1.2　電子技術(shù)的應(yīng)用
1.2.1　信號(hào)處理
1.2.2　信號(hào)檢測(cè)與控制
1.3　電子系統(tǒng)
1.3.1　電子系統(tǒng)
1.3.2 電子系統(tǒng)中的信號(hào)
1.4　放大電路的基本知識(shí)
1.4.1　放大器的基本概念
1.4.2　放大器的主要性能指標(biāo)
第2章　半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
2.1　半導(dǎo)體基礎(chǔ)與PN結(jié)
2.1.1　半導(dǎo)體及其特性
2.1.2　本征半導(dǎo)體
2.1.3　N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體
2.1.4　PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?br /> 2.2　半導(dǎo)體二極管
2.2.1　二極管的結(jié)構(gòu)、類型及符號(hào)
2.2.2　二極管的伏安特性及主要性能參數(shù)
2.2.3　二極管的等效模型及其應(yīng)用
2.3　特殊半導(dǎo)體二極管
2.3.1　穩(wěn)壓管及其應(yīng)用
2.3.2　半導(dǎo)體發(fā)電器件
2.4　半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用示例
2.4.1　整流電路
2.4.2　開關(guān)電路
2.4.3　限幅電路
2.4.4　低電壓穩(wěn)壓電路
2.4.5　檢波電路
思考題與習(xí)題
第3章　晶體三極管及其放大電路
3.1　晶體三極管
3.1　一晶體三極管的分類及結(jié)構(gòu)
3.1.2　三極管的工作原理
　　3.1.3　三極管的放大作用
3.1.4　三極管的特性曲線及主要參數(shù)
3.2　三極管放大電路的基本分析方法
3.2.1　三極管放大電路的三種組態(tài)
3.2.2　共發(fā)射極放大電路的組成
3.2.3　共發(fā)射極放大電路的分析
3.3　放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定
3.3.1　溫度對(duì)放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
3.3.2　分壓偏置式共發(fā)射極放大電路
3.4　共集電極和共基極放大電路
3.4.1　共集電極放大電路
3.4.2　共基極放大電路
　3.5　多級(jí)放大電路
3.5.1　多級(jí)放大電路的級(jí)間耦合
3.5.2　多級(jí)放大電路的分析和計(jì)算
3.6　放大電路的頻率響應(yīng)
3.6.1　頻率響應(yīng)基本概念
3.6.2　BJT的高頻小信號(hào)混合7c型模型
3.6.3　單級(jí)阻容耦合放大電路的頻率特性
3.6.4　多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)
　　思考題與習(xí)題
第4章　場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
4.1　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）
4.1.1　N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
4.1.2　N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
4.1.3　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線
4.2　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
　　4.2.1 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　4.2.3　N溝道耗盡型MOSFET
　 4.2.3　MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)
　 4.2.4　雙柵場(chǎng)效應(yīng)管（DG FET）
　4.3　FET的主要參數(shù)及特點(diǎn)
　 4.3.1　FEl的主要參數(shù)
　 4.3.2　FEl的特點(diǎn)
　4.4　場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
　 4.4.1　直流分析
　 4.4.2　小信號(hào)模型分析
　 4.4.3　共漏極放大電路
　思考題與習(xí)題
第5章　功率放大電路
第6章　集成運(yùn)算放大器
第7章　負(fù)反饋放大電路
第8章　波形產(chǎn)生電路
第9章　直流穩(wěn)壓電源
第10章　電子電路EDA技術(shù)簡(jiǎn)介
附錄一　常用電子元器件參數(shù)表
附錄二　Protel99SE仿真庫(kù)各元件庫(kù)類型名稱
附錄三　Protel99SE常用電子元器件電器符號(hào)和封裝圖
參考文獻(xiàn)