半導(dǎo)體器件物理（第3版）

譯者序
前言
導(dǎo)言
第1部分 半導(dǎo)體物理
　第1章 半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體性質(zhì)概要
　 1.1 引言
　 1.2 晶體結(jié)構(gòu)
　 1.3 能帶和能隙
　 1.4 熱平衡時的載流子濃度
　 1.5 載流子輸運現(xiàn)象
　 1.6 聲子、光學(xué)和熱特性
　 1.7 異質(zhì)結(jié)和納米結(jié)構(gòu)
1.8 基本方程和實例
第2部分 器件的基本構(gòu)件
　第2章 p-n結(jié)二極管
　 2.1 引言
　 2.2 耗盡區(qū)
　 2.3 電流-電壓特性
　 2.4 結(jié)擊穿
　 2.5 瞬變特性與噪聲
　 2.6 端功能
　 2.7 異質(zhì)結(jié)
　第3章 金屬-半導(dǎo)體接觸
　 3.1 引言
　 3.2 勢壘的形成
　 3.3 電流輸運過程
　 3.4 勢壘高度的測量
　 3.5 器件結(jié)構(gòu)
　 3.6 歐姆接觸
　第4章 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體電容
　 4.1 引言
　 4.2 理想MIS電容
　 4.3 硅MOS電容
第3部分 晶體管
　第5章 雙極晶體管
　 5.1 引言
　 5.2 靜態(tài)特性
　 5.3 微波特性
　 5.4 相關(guān)器件結(jié)構(gòu)
　 5.5 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
　第6章 MOS場效應(yīng)晶體管
　6.1 引言
　 6.2 器件的基本特性
　 6.3 非均勻摻雜和埋溝器件
　 6.4 器件按比例縮小和短溝道效應(yīng)
　 6.5 MOSFET的結(jié)構(gòu)
　 6.6 電路應(yīng)用
　 6.7 非揮發(fā)存儲器
　 6.8 單電子晶體管
　第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
　 7.1 引言
　 7.2 JFET和MODFET
　 7.3 MODFET
第4部分 負阻器件和功率器件
　第8章 隧道器件
　 8.1 引言
　 8.2 隧道二極管
　 8.3 相關(guān)的隧道器件
　 8.4 共振遂穿二極管
　第9章 碰撞電離雪崩渡越時間二極管
　第10章 轉(zhuǎn)移電子器件和實空間轉(zhuǎn)移器件
　第11章 晶閘管和功率器件
第5部分 光學(xué)器件和傳感器
　第12章 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
　第13章 光電探測器和太陽電池
　第14章 傳感器
附錄
A.符號表
B.國際單位制
C.單位詞頭
D.希臘字母表
E.物理常數(shù)
F.重要半導(dǎo)體的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性