半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)

定　價(jià)：￥99.80

作　者：	（美）施羅德著；劉愛(ài)民、張賀秋等譯
出版社：	大連理工大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	材料

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ISBN：	9787561141380	出版時(shí)間：	2008-01-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16	頁(yè)數(shù)：	541	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)詳細(xì)介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中半導(dǎo)體材料和器件的表征技術(shù)，基本上覆蓋了所有的電學(xué)與光學(xué)測(cè)試方法，以及非常專(zhuān)業(yè)的與半導(dǎo)體材料相關(guān)的物理和化學(xué)測(cè)試方法。作者不但論述了測(cè)量中的相關(guān)物理問(wèn)題及半導(dǎo)體材料與器件的參數(shù)的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經(jīng)驗(yàn)?zāi)Y(jié)其中，并給出了具體測(cè)量手段，同時(shí)指出不同手段的局限性和測(cè)量注意事項(xiàng)。本版經(jīng)修訂及擴(kuò)展，增加了許多逐漸成熟起來(lái)的表征技術(shù)，如從探測(cè)硅晶圓中金屬雜質(zhì)的掃描探針到用于無(wú)接觸式電阻測(cè)量的微波反射技術(shù)。本版特色如下：　增加了可靠性和探針顯微技術(shù)方面的全新內(nèi)容　增加了大量例題和章后習(xí)題　修訂了500幅圖例　更新了超過(guò)1 200條參考文獻(xiàn)　采用了更合適的單位制，而不是嚴(yán)格的MI（s單位制本書(shū)可作為碩士、博士研究生的教材，也可供高校教師、半導(dǎo)體工業(yè)研究人員參考使用。

作者簡(jiǎn)介

　　DIETER K.SCHRODER 是亞利桑那州立大學(xué)電子工程系教授，亞利桑那州立大學(xué)工程學(xué)院教學(xué)杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)獲得者，曾著《現(xiàn)代MOS器件》一書(shū)。

圖書(shū)目錄

第1章電阻率
1.1 簡(jiǎn)介
1.2 兩探針與四控針
練習(xí) 1.1
1.2.1 修正因子
練習(xí) 1.2
練習(xí) 1.3
練習(xí) 1.4
1.2.2 任意形狀樣品的電阻率
1.2.3 測(cè)量電路
1.2.4 測(cè)量偏差和注意事項(xiàng)
1.3 晶片映像
1.3.1 二次注入
1.3.2 調(diào)制光反射
1.3.3 載流子發(fā)射(CI)
1.3.4 光密度測(cè)定法
1.4 電阻率分布
1.4.1 微分霍耳效應(yīng)（DHE)
練習(xí)1.5
1.4.2 擴(kuò)展電阻剖面分布（SRP)
1.5 非接觸方法
1.5.1 渦流
1.6 電導(dǎo)率類(lèi)型
1.7 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄1.1 以摻雜濃度為函數(shù)的電阻率
附錄1.2 本征載流子濃度
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章載流子和摻雜濃度
第3章接觸電阻、肖特基勢(shì)壘及電遷移
第4章串聯(lián)電阻、溝道長(zhǎng)度與寬度、閾值電壓及熱載流子
第5章缺陷
第6章氧化物、界面陷阱電荷及氧化物完整性
第7章載流子壽命
第8章遷移率
第9章光學(xué)表征
第10章物理化學(xué)我的表征