TFTLCD面板的驅(qū)動(dòng)與設(shè)計(jì)

第1章 了解TFTLCD
1.1 了解顯示器
1.1.1 像素（pixel，即pictureelement）
1.1.2 對(duì)比度（contrast）
1.1.3 灰階（graylevel）
1.1.4 顏色（color）
1.2 液晶顯示器（liquidcrystaldisplay,LCD）
1.2.1 光閥的概念
1.2.2 如何利用LCD制成光閥
1.2.3 如何控制液晶光閥
1.2.4 液晶電容
1.2.5 進(jìn)一步認(rèn)識(shí)液晶
1.3 了解薄膜晶體管（thinfilmtransistor,TFT）
1.3.1 TFT的結(jié)構(gòu)與工作原理
1.3.2 TFT的電流-電壓特性
1.3.3 TFT與MOSFET的比較
1.4 了解TFTLCD
1.4.1 TFTLCD架構(gòu)
1.4.2 彩色TFTLCD的亞像素
1.4.3 TFTLCD的比喻
1.5 名詞解釋
第1章 練習(xí)

第2章 TFTLCD的工作原理
2.1 TFTLCD的工作方式
2.2 極性反轉(zhuǎn)（polarityinversion）
2.2.1 什么叫做“極性反轉(zhuǎn)”
2.2.2 為什么可以“極性反轉(zhuǎn)”
2.2.3 驅(qū)動(dòng)電壓的均方根（rootmeansquare,RMS）
2.2.4 為什么必須要有“極性反轉(zhuǎn)”
2.2.5 像素陣列極性反轉(zhuǎn)的方式
2.3 充電（charging）
2.3.1 充電與放電電流
2.3.2 充電時(shí)間
2.3.3 電壓范圍
2.3.4 預(yù)充電（pre-charge）
2.4 電位保持（holding）
2.4.1 漏電的路徑
2.4.2 儲(chǔ)存電容（storagecapacitor）
2.4.3 儲(chǔ)存電容的參考電壓
2.4.4 點(diǎn)缺陷型漏電
2.5 電容耦合效應(yīng)（coupling）
2.5.1 電容耦合的原理
2.5.2 像素中的電容
2.5.3 掃描線(xiàn)的電容耦合效應(yīng)
2.5.4 數(shù)據(jù)線(xiàn)的電容耦合效應(yīng)
2.6 信號(hào)延遲（delay）
2.6.1 信號(hào)延遲的原理
2.6.2 信號(hào)延遲的計(jì)算方法
2.6.3 掃描線(xiàn)上的信號(hào)延遲
2.6.4 數(shù)據(jù)線(xiàn)上的信號(hào)延遲
2.6.5 共電極的信號(hào)延遲
2.7 綜合效應(yīng)
2.7.1 充電與電荷保持
2.7.2 充電與電容耦合
2.7.3 充電與信號(hào)延遲
2.7.4 電荷保持與電容耦合
2.7.5 電容耦合與信號(hào)延遲
第2章 練習(xí)

第3章 面板設(shè)計(jì)實(shí)例
3．1 從產(chǎn)品規(guī)格開(kāi)始
3．1．1 認(rèn)識(shí)TFTLCD的產(chǎn)品規(guī)格
3．1．2 專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的整合
3．1．3 產(chǎn)品規(guī)格的協(xié)調(diào)制定
3．1．4 TFT面板設(shè)計(jì)相關(guān)的專(zhuān)業(yè)規(guī)格
3．2 TFTLCD像素排列
3．2．1 像素完全相同與最壞情況設(shè)計(jì)(worstcasedesign)
3．2．2 初始設(shè)計(jì)
3．2．3 初始像素布局
3．2．4 布局后模擬
3．2．5 像素設(shè)計(jì)實(shí)例
3．3 像素陣列之外
3．3．1 掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)布線(xiàn)
3．3．2 下板共電極布線(xiàn)
3．3．3 共電極金膠點(diǎn)與共電極電源布線(xiàn)
3．3．4 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)示
3．3．5 測(cè)試鍵(testkeys)
3．3．6 電荷分享預(yù)充電設(shè)計(jì)
3．3．7 靜電防治、陣列測(cè)試與激光修補(bǔ)設(shè)計(jì)
3．3．8 其他設(shè)計(jì)項(xiàng)目

第4章 TFTLCD的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
4．1 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)概述
4．1．1 時(shí)序控制電路(timingcontroller)
4．1．2 掃描驅(qū)動(dòng)電路(scandriver)
4．1．3 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(datadriver)
4．1．4 共電極參考電壓源
4．1．5 電壓源轉(zhuǎn)換電路
4．1．6 r(Gamma)校正參考電壓
4．2 掃描驅(qū)動(dòng)電路
4．2．1 掃描驅(qū)動(dòng)電路的基本功能區(qū)塊
4．2．2 掃描驅(qū)動(dòng)電路子系統(tǒng)概觀(guān)
4．3 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路
4．3．1 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的基本功能區(qū)塊
4．3．2 r校正參考電壓
4．3．3 數(shù)據(jù)傳輸界面
4．3．4 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路子系統(tǒng)概述
4．4 時(shí)序控制電路
4．4．1 視頻數(shù)據(jù)處理
4．4．2 電荷分享(chargcsharing)節(jié)省電源
4．4．3 響應(yīng)時(shí)間補(bǔ)償(response：timecomperlsation，RTC)
第4章 練習(xí)

第5章 設(shè)計(jì)的現(xiàn)實(shí)考量
5．1 靜電防治設(shè)計(jì)
5．1．1 靜電破壞
5．1．2 TFT的靜電防治設(shè)計(jì)
5．1．3 驅(qū)動(dòng)負(fù)載的增加
5．1．4 靜電保護(hù)設(shè)計(jì)的方式與有效階段
5．2 陣列測(cè)試設(shè)計(jì)
5．2．1 陣列測(cè)試的時(shí)機(jī)與目的
5．2．2 陣列電性測(cè)試的方式
5．3 激光修補(bǔ)設(shè)計(jì)
5．3．1 激光修補(bǔ)的目的
5．3．2 激光修補(bǔ)的方式
5．4 布局考量
5．4．1 TFT的布局方式
5．4．2 像素布局設(shè)計(jì)
5．4．3 陣列外布局設(shè)計(jì)
5．4．4 面板接合光刻掩模設(shè)計(jì)
5．4．5 基板上面板放置與其掩模接合設(shè)計(jì)
5．4．6 上下基板對(duì)位設(shè)計(jì)
5．4．7 布局檢查
5．5 制程與環(huán)境的變動(dòng)
5．5．1 電極線(xiàn)寬定義及對(duì)準(zhǔn)
5．5．2 薄膜厚度
5．5．3 環(huán)境溫度變化
5．6 顯示畫(huà)質(zhì)不良的分析
5．6．1 點(diǎn)缺陷與線(xiàn)缺陷
5．6．2 斑駁
5．6．3 串?dāng)_(cross-talk)
5．6．4 閃爍(flicker)與直流殘留(DCresidue)
5．6．5 漸層(shading)
5．6．6 區(qū)塊(blocking)
5．6．7 不良現(xiàn)象的原因分析
第5章 練習(xí)

第6章 面板設(shè)計(jì)的進(jìn)一步發(fā)展
第一版后記