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　　固體材料界面是材料基礎(chǔ)研究的重要對象。材料科學(xué)所研究的界面是相鄰兩相的過渡區(qū)，它不是厚度為無窮小的幾何面，而是厚度小到原子尺寸量級的二維相。因此，界面表現(xiàn)出許多不同于三維塊體相的特性，但對整個塊體的性能有重要影響。許多材料制備工藝，如熱噴涂、氣相沉積、熱壓結(jié)合、粉末燒結(jié)、焊接、電鍍等，其實質(zhì)就在于獲得高結(jié)合強度的同種或異種材料的界面。粉末制備、熱處理、鑄造等工藝，則在于獲得所需材料的比表面積或界面形貌。材料在儲存和使用過程中，也存在一系列的界面問題，有的起因于內(nèi)部作用，有的起因于材料與環(huán)境的交互作用，如氧化、腐蝕、斷裂、黏結(jié)、催化等。以上情況表明，固體材料界面研究對材料科學(xué)與工程的發(fā)展具有重要意義。20世紀(jì)70年代前，固體材料界面研究常常是在不同的領(lǐng)域中針對各自特定的對象和問題分別進行的。20世紀(jì)80年代以來，低維材料和納米結(jié)構(gòu)研究的蓬勃發(fā)展，使得界面研究在深度和廣度上都有進一步的發(fā)展，但對于界面研究的基礎(chǔ)很少有人從理論上進行系統(tǒng)整理。因此，系統(tǒng)整理固體材料界面研究中已經(jīng)積累的實驗和理論研究成果實屬必要，以便能為材料科學(xué)與工程以及其他有關(guān)學(xué)科提供參考。

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暫缺《固體材料界面基礎(chǔ)》作者簡介

圖書目錄

第1章界面熱力學(xué)
1.1 界面能
1.2 界面區(qū)的物質(zhì)特性
1.3 界面彎曲時兩相平衡的熱力學(xué)條件
1.4 多相共存體系的平衡及其顯微組織
1.5 界面能的各向異性
1.5.1 y能極圖和Wulff結(jié)構(gòu)
1.5.2 溫度對平衡形狀Wulff結(jié)構(gòu)的影響
1.5.3 界面能各向異性對界面穩(wěn)定性的影響
附錄1-1 蒸汽相飽和蒸汽壓和界面曲率關(guān)系
附錄1-2 溶質(zhì)飽和濃度和界面曲率關(guān)系
第2章界面結(jié)構(gòu)
2.1 晶界模型
2.1.1 小角晶界的位錯模型
2.1.2 大角晶界的晶體學(xué)幾何模型
2.1.3 大角晶界結(jié)構(gòu)的描述
2.1.4 晶界能
2.2 相界面
2.2.1 fee／bee相界面模型
2.2.2 相界面能
附錄2-1 簡單立方和面心立方晶格小角晶界的結(jié)構(gòu)
附錄2-2 立方晶系一些不同胖檔腃SL轉(zhuǎn)換矩陣
第3章界面電子態(tài)
3.1 表面電子態(tài)
3.1.1 表面電子態(tài)的產(chǎn)生和特征
3.1.2 表面電子態(tài)的模型和理論
3.1.3 表面態(tài)種類
3.1.4 清潔表面的電子結(jié)構(gòu)
3.1.5 表面空間電荷層的形成及表面能帶的彎曲
3.2 界面態(tài)
3.2.1 金屬-半導(dǎo)體界面
3.2.2 半導(dǎo)體-半導(dǎo)體界面
3.2.3 絕緣體-半導(dǎo)體界面
第4章界面吸附和偏析
4.1 氣固吸附和晶界偏析的基本概況
4.1.1 氣固吸附
4.1.2 晶界偏析
4.2 宏觀唯象理論
4.3 吸附的電子態(tài)理論
4.3.1 Lennard-Jones模型
4.3.2 吸附物誘導(dǎo)的功函數(shù)變化
4.3.3 吸附力能學(xué)
4.3.4 吸附動力學(xué)
4.4 吸附的統(tǒng)計理論
4.5 界面偏析
4.5.1 單推動力的晶界平衡偏析方程
4.5.2 多推動力的偏析
第5章界面擴散
5.1 擴散的基本方程和機理
5.1.1 擴散的基本方程
5.1.2 擴散機理
5.2 表面擴散
5.2.1 表面擴散的主要特征和種類
5.2.2 表面擴散系數(shù)方程
5.3 晶界擴散
5.3.1 晶界擴散的板片模型
5.3.2 晶界擴散的管道模型
5.4 晶界的運動
5.4.1 晶界的滑動
5.4.2 晶界的移動
5.4.3 溶質(zhì)對晶界運動的影響
5.5 界面擴散的測量技術(shù)
第6章界面形核與長大
6.1 界面的擴散形核
6.1.1 均勻形核
6.1.2 非均勻形核
6.2 沉淀相的長大
6.2.1 Zener-Hilter擴散長大方程
6.2.2 臺階的形成及其長大機制
6.2.3 晶界析出相的長大
主要參考文獻