金屬有機化合物氣相外延基礎及應用

前言
第1章緒論
1.1 外延生長
1.2 MOVPE概述
參考文獻
第2章 MOVPE生長系統(tǒng)
2.1 MOVPE氣體輸運分系統(tǒng)
2.2 MOVPE生長反應室分系統(tǒng)
2.3 MOVPE尾氣處理分系統(tǒng)
2.4 MOVPE生長控制裝置分系統(tǒng)
2.5 MOVPE外延層生長的原位監(jiān)測
參考文獻
第3章 原材料
3.1 金屬有機化合物源
3.2 氫化物源
參考文獻
第4章 MOVPE的熱力學分析
4.1 外延生長速度的限制機構
4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關系
4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區(qū)
4.4 摻雜
參考文獻
第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運
5.1 MOVPE化學反應動力學
5.2 MOVPE反應室內的輸運現(xiàn)象與模型化
5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用
參考文獻
第6章 MOVPE的表面過程
6.1 表面成核
6.2 外延生長模式
6.3 MOVPE環(huán)境下的表面再構
6.4 表面活性劑
參考文獻
第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長
7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長
7.2 InP、GaP及其有關化合物的MOVPE生長
7.3 銻化物的MOVPE生長
7.4 氮化物的MOVPE生長
7.5 選擇外延生長和非平面襯底上的外延生長
7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長
參考文獻
第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長
8.1 ZnSe及其有關化合物的MOVPE生長
8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長
8.3 HgCdTe的MOVPE生長
參考文獻
第9章 低維半導體材料的MOVPE生長
9.1 量子阱結構的MOVPE生長
9.2 量子點和量子線結構的生長
參考文獻
第10章 MOVPE技術在半導體器件方面的應用
10.1 發(fā)光二極管
10.2 激光器
10.3 太陽能電池
10.4 半導體光探測器
10.5 高電子遷移率場效應晶體管
10.6 異質結雙極晶體管
10.7 光電集成電路
參考文獻
后記