太陽能光伏產(chǎn)業(yè)：半導體硅材料基礎

第1章　概論
　1.1　硅材料工業(yè)的發(fā)展
　1.2　半導體市場及發(fā)展
　1.3　中國擴建新建多晶硅廠應注意的問題
　本章小結
　習題
第2章　半導體材料基本性質(zhì)
　2.1　半導體材料的分類及性質(zhì)
　2.2　硅的物理化學性質(zhì)
　2.3　硅材料的純度及多晶硅標準
　本章小結
　習題
第3章　晶體幾何學基礎
　3.1　晶體結構
　3.2　晶向指數(shù)
　3.3　晶面指數(shù)
　3.4　立方晶體
　3.5　金剛石和硅晶體結構
　3.6　倒格子
　本章小結
　習題
第4章　晶體缺陷
　4.1　點缺陷
　4.2　線缺陷
　4.3　面缺陷
　4.4　體缺陷
　本章小結
　習題
第5章　能帶理論基礎
　5.1　能帶理論的引入
　5.2　半導體中的載流子
　5.3　雜質(zhì)能級
　5.4　缺陷能級
　5.5　直接能隙與間接能隙
　5.6　熱平衡下的載流子
　本章小結
　習題
第6章　p-n結
　6.1　p-n結的形成
　6.2　p-n結的制備
　6.3　p-n結的能帶結構
　6.4　p-n結的特性
　本章小結
　習題
第7章　金屬-半導體接觸和MIS結構
　7.1　金屬-半導體接觸
　7.2　歐姆接觸
　7.3　金屬-絕緣層-半導體結構（MIS）
　本章小結
　習題
第8章　多晶硅材料的制取
　8.1　冶金級硅材料的制取
　8.2　高純多晶硅的制取
　8.3　太陽能級多晶硅的制取
　本章小結
　習題
第9章　單晶硅的制備
　9.1　結晶學基礎
　9.2　晶核的形成
　9.3　區(qū)熔法
　9.4　直拉法
　9.5　雜質(zhì)分凝和氧污染
　9.6　直拉硅中的碳
　9.7　直拉硅中的金屬雜質(zhì)
　9.8　磁拉法（MCz）
　9.9　CCz法（連續(xù)加料法）
　本章小結
　習題
第10章　其他形態(tài)的硅材料
　10.1　鑄造多晶硅
　10.2　帶狀硅材料
　10.3　非晶硅薄膜
　10.4　多晶硅薄膜
　本章小結
　習題
第11章　化合物半導體材料
　11.1　化合物半導體材料特性
　11.2　砷化鎵（GaAs）
　本章小結
　習題
第12章　硅材料的加工
　12.1　切去頭尾
　12.2　外徑滾磨
　12.3　磨定位面（槽）
　12.4　切片
　12.5　倒角（或稱圓邊）
　12.6　研磨
　12.7　腐蝕
　12.8　拋光
　12.9　清洗
　本章小結
　習題
附錄
　附錄1　常用物理量
　附錄2　一些雜質(zhì)元素在硅中的平衡分凝系數(shù)、溶解度
參考文獻