真空鍍膜技術(shù)

1 薄膜與表面技術(shù)基礎理論
1．1 概述
1．2 固體表面介紹
1．2．1 固體材料
1．2．2 固體表面與界面的基本概念
1．2．3 固體表面與界面的區(qū)別
1．3 表面晶體學
1．3．1 金屬薄膜的晶體結(jié)構(gòu)
1．3．2 理想的表面結(jié)構(gòu)
1．3．3 表面與體內(nèi)的差異
1．3．4 青潔表面結(jié)構(gòu)
1．3．5 實際表面結(jié)構(gòu)
1．4 表面特征(熱)力學
1．4．1 表面力
1．4．2 表面張力與表面自由能
1．4．3 表面擴散
1．5 表面電子學
1．5．1 金屬薄膜中的電遷移現(xiàn)象
1．5．2 曾強薄膜抗電遷移能力的措施
1．6 界面與薄膜附著
1．6．1 界面層
1．6．2 附著及附著力
1．6．3 固體材料表面能對附著的影響
1．6．4 表面、界面和薄膜的應力
1．6．5 增強薄膜附著力的方法
1．7 金屬表面的腐蝕
1．7．1 電化學腐蝕
1．7．2 金屬的鈍化
1．7．3 全面腐蝕
1．7．4 局部腐蝕
2 真空蒸發(fā)鍍膜
2．1 概述
2．2 真空蒸發(fā)鍍膜原理
2．2．1 真空蒸發(fā)鍍膜的物理過程
2．2．2 蒸發(fā)過程中的真空條件
2．2．3 鍍膜過程中的蒸發(fā)條件
2．2．4 殘余氣體對膜層的影響
2．2．5 蒸氣粒子在基片上的沉積
2．3 蒸發(fā)源
2．3．1 電阻加熱式蒸發(fā)源
2．3．2 電子槍加熱蒸發(fā)源
2．3．3 感應加熱式蒸發(fā)源
2．3．4 空心熱陰極電子束蒸發(fā)源
2．3．5 激光加熱蒸發(fā)源
2．3．6 電弧加熱蒸發(fā)源
2．4 特殊蒸鍍技術(shù)
2．4．1 閃蒸蒸鍍法
2：4．2 多蒸發(fā)源蒸鍍法
2．4．3 反應蒸鍍法
2．4．4 三溫度蒸鍍法
3 真空濺射鍍膜
3．1 濺射鍍膜原理
3．1．1 濺射現(xiàn)象
3．1．2 濺射機理
3．2 濺射沉積成膜
3．2．1 濺射源
3．2．2 濺射原子的能量與角分布
3．2．3 濺射產(chǎn)額與濺射速率
3．2．4 合金和化合物的濺射
3．2．5 濺射沉積成膜
3．2．6 薄膜的成分與結(jié)構(gòu)
3．2．7 各種粒子轟擊效應
3．2．8 濺射沉積速率
3．2．9 薄膜厚度均勻性和純度
3．3 濺射技術(shù)概述
3．4 直流二極濺射
3．5 直流三極或四極濺射
3．6 磁控濺射
3．6．1 磁控濺射工作原理
3．6．2 磁控濺射鍍膜的特點
3．6．3 磁控濺射鍍膜工藝特性
3．6．4 平面磁控濺射靶
3．6．5 圓柱形磁控濺射靶
3．6．6 傳統(tǒng)平面磁控濺射靶存在的問題
3．7 射頻(RF)濺射
3．7．1 射頻濺射鍍膜原理
3．7．2 射頻輝光放電特性
3．7．3 射頻濺射裝置
3．8 非平衡磁控濺射
3．8．1 非平衡磁控濺射原理
3．8．2 非平衡磁控濺射與平衡磁控濺射比較
3．8．3 建立非平衡磁控系統(tǒng)的方法
3．8．4 非平衡磁控濺射系統(tǒng)結(jié)構(gòu)形式
3．8．5 非平衡磁控濺射的應用
3．9 反應磁控濺射
3．9．1 反應磁控濺射的機理
3．9．2 反應磁控濺射的特性
3．9．3 反應磁控濺射工藝過程中的主要問題
3．9．4 解決反應磁控濺射工藝運行不穩(wěn)定的措施
3．10 中頻交流反應磁控濺射
3．10．1 中頻交流反應磁控濺射原理
3．10．2 中頻雙靶反應磁控濺射的特點
3．10．3 中頻磁控靶結(jié)構(gòu)形式
3．10．4 中頻磁控靶PEM控制
3．11 非對稱脈沖濺射
3．12 合金膜的濺射沉積
3．13 鐵磁性靶材的濺射沉積
3．13．1 磁控濺射鐵磁性靶材存在的問題
3．13．2 磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
3．14 離子束濺射
4 真空離子鍍膜
4．1 離子鍍的類型
4．2 真空離子鍍原理及成膜條件
4．2．1 真空離子鍍原理
4．2．2 真空離子鍍的成膜條件
4．3 等離子體在離子鍍膜過程中的作用
4．3．1 放電空間中的粒子行為
4．3．2 離子鍍過程中的離子轟擊效應
4．4 離子鍍中基片負偏壓的影響
4．5 等離子鍍的離化率與離子能量
4．5．1 離化率
4．5．2 中性粒子和離子的能量
4．5．3 膜層表面的能量活化系數(shù)
4．6 離子鍍膜工藝及其參數(shù)選擇
……
5 真空卷繞鍍膜
6 化學氣相沉積CVD技術(shù)
7 離子注入與離子輔助沉積技術(shù)
8 ITO導電玻璃鍍膜工藝
9 薄膜厚度的測量與監(jiān)控
10 表面與薄膜分析檢測技術(shù)
參考文獻