半導體物理學（第四版）

主要參數(shù)符號表
第1章 半導體中的電子狀態(tài)
1.1 半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
1.2 半導體中的電子狀態(tài)和能帶
1.3 半導體中電子的運動 有效質(zhì)量
1.4 本征半導體的導電機構(gòu) 空穴
1.5 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
習題
參考文獻
第2章 半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
2.3 缺陷、位錯能級
習題
參考文獻
第3章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布
3.1 狀態(tài)密度
3.2 費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
3.3 本征半導體的載流子濃度
3.4 雜質(zhì)半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統(tǒng)計分布
3.6 簡并半導體
補充材料：電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率
習題
參考文獻
第4章 半導體的導電性
4.1 載流子的漂移運動 遷移率
4.2 載流子的散射
4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.5 玻耳茲曼方程 電導率的統(tǒng)計理論
4.6 強電場下的效應 熱載流子
4.7 多能谷散射 耿氏效應
習題
參考文獻
第5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子的注入與復合
5.2 非平衡載流子的壽命
5.3 準費米能級
5.4 復合理論
5.5 陷阱效應
5.6 載流子的擴散運動
5.7 載流子的漂移運動 愛因斯坦關(guān)系式
5.8 連續(xù)性方程式
習題
參考文獻
第6章 p-n結(jié)
6.1 p-n結(jié)及其能帶圖
6.2 p-n結(jié)電流電壓特性
6.3 p-n結(jié)電容
6.4 p-n結(jié)擊穿
6.5 p-n結(jié)隧道效應
習題
參考文獻
第7章 金屬和半導體的接觸
7.1 金屬半導體接觸及其能級圖
7.2 金屬半導體接觸整流理論
7.3 少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
習題
參考文獻
第8章 半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)
8.1 表面態(tài)
8.2 表面電場效應
8.3 MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性
8.4 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
8.5 表面電導及遷移率
8.6 表面電場對p-n結(jié)特性的影響
習題
參考文獻
第9章 異質(zhì)結(jié)
9.1 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖
9.2 異質(zhì)結(jié)的電流輸運機構(gòu)
9.3 異質(zhì)結(jié)在器件中的應用
9.4 半導體超晶格
習題
參考文獻
第10章 半導體的光學性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象
10.1 半導體的光學常數(shù)
10.2 半導體的光吸收
10.3 半導體的光電導
10.4 半導體的光生伏特效應
10.5 半導體發(fā)光
10.6 半導體激光
習題
參考文獻
第11章 半導體的熱電性質(zhì)
11.1 熱電效應的一般描述
11.2 半導體的溫差電動勢率
11.3 半導體的珀耳貼效應
11.4 半導體的湯姆孫效應
11.5 半導體的熱導率
11.6 半導體熱電效應的應用
習題
參考文獻
第12章 半導體磁和壓阻效應
12.1 霍耳效應
12.2 磁阻效應
12.3 磁光效應
12.4 量子化霍耳效應
12.5 熱磁效應
12.6 光磁電效應
12.7 壓阻效應
12.8 聲波和載流子的相互作用
習題
參考文獻
第13章 非晶態(tài)半導體
13.1 非晶態(tài)半導體的結(jié)構(gòu)
13.2 非晶態(tài)半導體中的電子態(tài)
13.3 非晶態(tài)半導體中的缺陷、隙態(tài)與摻雜效應
13.4 非晶態(tài)半導體中的電學性質(zhì)
13.5 非晶態(tài)半導體中的光學性質(zhì)
13.6 α-Si：H的p-n結(jié)與金-半接觸特性
參考文獻
附錄
附錄1 常用物理常數(shù)和能量表達變換表
附表1-1 常用物理常數(shù)表
附表1-2 能量表達變換表
附錄2 半導體材料物理性質(zhì)表
附表2-1 Ⅳ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半導體材料的性質(zhì)
參考文獻