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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書主要介紹與晶體管、集成電路等所謂硅平面器件有關(guān)的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)。第1章、第2章介紹半導(dǎo)體的一般原理；第3章、第4章對(duì)pn結(jié)、半導(dǎo)體表面和MOS晶體管的物理原理進(jìn)行具體而深入的分析；第5章結(jié)合具體的半導(dǎo)體材料，介紹了有關(guān)晶體和缺陷的基礎(chǔ)知識(shí)。本書對(duì)一些基本概念的講述做到了深入淺出、便于自學(xué)，在結(jié)合具體的半導(dǎo)體材料講述晶體缺陷方面做了新的嘗試。本書可以作為高等學(xué)校有關(guān)課程的教學(xué)參考書，也可供從事半導(dǎo)體技術(shù)工作的科技人員和工人閱讀。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

前言
第1章摻雜半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
1.1 摻雜和載流子
1.2 電導(dǎo)率和電阻率
1.3 遷移率
1.4 測(cè)量電阻率的四探針方法
1.5 擴(kuò)散薄層的方塊電阻
第2章能級(jí)和載流子
2.1 量子態(tài)和能級(jí)
2.2 多子和少子的熱平衡
2.3 費(fèi)米能級(jí)
2.4 電子的平衡統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律
2.5 非平衡載流子的復(fù)合
2.6 非平衡載流子的擴(kuò)散
第3章 pn結(jié)
3.1 pn結(jié)的電流一電壓關(guān)系
3.2 空間電荷區(qū)中的復(fù)合和產(chǎn)生電流
3.3 晶體管的電流放大作用
3.4 高摻雜的半導(dǎo)體和pn結(jié)
3.5 pn結(jié)的擊穿
3.6 pn結(jié)的電容效應(yīng)
3.7 金屬一半導(dǎo)體接觸
第4章半導(dǎo)體表面
4.1 表面空間電荷區(qū)及反型層
4.2 MIS電容器——理想C(V)特性
4.3 實(shí)際MIS電容器的C(V)特性及應(yīng)用
4.4 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
4.5 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
4.6 電荷耦合器件
第5章晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和間隙原孑
5.3 位錯(cuò)
5.4 層錯(cuò)
5.5 相變和相圖