低維半導體物理

定　價：￥35.00

作　者：	彭英才，趙新為，傅廣生編著
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	半導體物理學

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ISBN：	9787118074949	出版時間：	2011-06-01	包裝：	平裝
開本：	大32開	頁數(shù)：	279	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　低維半導體物理是現(xiàn)代半導體物理和凝聚態(tài)物理的重要組成部分，蘊藏著豐富的科學內(nèi)涵。它的主要研究對象是各種低維半導體材料與結(jié)構的電子性質(zhì)，在電場、光照與磁場作用下的物理性質(zhì)。彭英才編著的《低維半導體物理》主要介紹了半導體超晶格與量子阱、量子線、量子點與納米晶粒等低維體系的能帶特征、電子狀態(tài)、量子效應、輸運性質(zhì)、光學性質(zhì)和磁學性質(zhì)等?！兜途S半導體物理》可作為普通高等學校相關專業(yè)博士研究生、碩士研究生的教材，也可供高年級本科生和相關領域的科技工作者參考閱讀。

作者簡介

暫缺《低維半導體物理》作者簡介

圖書目錄

第一章緒論
1.1　半導體超晶格與量子阱的研究發(fā)展
1.2　半導體量子線與量子點的研究發(fā)展
參考文獻
第二章晶態(tài)半導體物理
2.1　晶態(tài)半導體中的電子狀態(tài)
2.1.1　能帶結(jié)構
2.1.2　電子能量
2.1.3　狀態(tài)密度
2.2　晶態(tài)半導體中的載流子輸運
2.2.1　載流子散射機構
2.2.2　載流子遷移率
2.2.3　載流子隧穿輸運
2.3　晶態(tài)半導體的光吸收
2.3.1　本征吸收
2.3.2　激子吸收
2.3.3　雜質(zhì)吸收
2.4　晶態(tài)半導體的光發(fā)射
2.4.1　半導體中的各種發(fā)光過程
2.4.2　直接和間接躍遷復合發(fā)光
第三章低維半導體的能帶結(jié)構
第四章低維半導體中得電子狀態(tài)
第五章調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)中得二維電子氣輸運
第六章半導體超晶格中得電子隧穿輸運
第七章低維量子結(jié)構中得輸運現(xiàn)象
第八章半導體量子阱的光學性質(zhì)
第九章納米半導體的光學性質(zhì)
第十章低維半導體的磁學性質(zhì)