等離子體浸泡式離子注入與沉積技術(shù)

第1章 緒論
1．1 離子注入技術(shù)
1．1．1 離子注入技術(shù)的發(fā)展
1．1．2 束線離子注入（ⅠBⅡ）的局限性
1．2 等離子體浸泡式離子注入技術(shù)
1．2．1 等離子體浸泡式離子注入技術(shù)原理
1．2．2 等離子體浸泡式離子注入技術(shù)與離子滲氮技術(shù)的區(qū)別
1．2．3 等離子體浸泡式離子注入技術(shù)與沉積（PIHD）技術(shù)
1．3 束線離子注入與等離子體浸泡式離子注入技術(shù)的比較
1．3．1 PⅢ與ⅠBⅡ技術(shù)的比較
1．3．2 兩種離子注入技術(shù)要素的比較
1．3．3 ⅠBⅡ和PⅢ各自的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域
1．4 等離子體浸泡式離子注入與沉積技術(shù)研究現(xiàn)狀
1．4．1 PⅢ過(guò)程鞘層動(dòng)力學(xué)計(jì)算機(jī)理論數(shù)值模擬技術(shù)
1．4．2 脈沖寬度可調(diào)、大面積、強(qiáng)流陰極弧金屬等離子體源
1．4．3 高電壓下慢速旋轉(zhuǎn)油冷靶臺(tái)與組合夾具
1．4．4 減少、抑制靶的二次電子發(fā)射
1．4．5 大功率固態(tài)電路脈沖調(diào)制器技術(shù)
1．4．6 PⅢD內(nèi)表面處理技術(shù)
1．4．7 PⅢD批量、復(fù)合處理技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第2章 PⅢ理論基礎(chǔ)與等離子體診斷測(cè)量
2．1 真空與氣體分子運(yùn)動(dòng)論基本概念
2．1．1 真空
2．1．2 氣體分子運(yùn)動(dòng)論基本概念
2．2 等離子體
2．2．1 氣體放電與等離子體
2．2．2 等離子體基本方程
2．2．3 平衡態(tài)性質(zhì)
2．2．4 等離子體動(dòng)力學(xué)
2．3 鞘層
2．3．1 基本概念與理論方程
2．3．2 Bohm鞘層判據(jù)
2．3．3 離子陣鞘層
2．3．4 正離子陣鞘層的形成
2．3．5 動(dòng)態(tài)鞘層的擴(kuò)展
2．4 高能離子與材料的相互作用
2．4．1 離子射程
2．4．2 濃度分布
2．4．3 溝道效應(yīng)
2．4．4 輻射損傷
2．4．5 輻射增強(qiáng)擴(kuò)散
2．4．6 濺射
2．4．7 離子注入表面強(qiáng)化作用機(jī)制
2．5 等離子體及鞘層的診斷與參數(shù)測(cè)量
2．5．1 等離子體診斷與參數(shù)測(cè)量
2．5．2 鞘層擴(kuò)展診斷
參考文獻(xiàn)
第3章 等離子體浸泡式離子注入與沉積設(shè)備
3．1 PⅢD設(shè)備總體結(jié)構(gòu)
3．2 真空處理室
3．2．1 真空處理室?guī)缀涡螤钆c尺寸
3．2．2 真空處理室材料
3．2．3 處理室本底真空度
3．2．4 多極會(huì)切磁場(chǎng)位形
3．2．5 電磁輻射與軟X射線防護(hù)
3．2．6 處理室內(nèi)襯與高壓瓷絕緣柱（套）屏蔽
3．2．7 真空處理室大門
3．2．8 接口
3．3 高真空抽氣系統(tǒng)
3．3．1 真空泵組的選擇
3．3．2 高真空抽氣泵的抽速和泵組配置
3．3．3 真空處理室的氣體流量
3．3．4 供氣系統(tǒng)
3．4 高壓靶臺(tái)及組合夾具
3．5 等離子體源
3．5．1 熱陰極放電
3．5．2 高壓脈沖輝光放電
3．5．3 電容耦合RF放電
3．5．4 電感耦合RF放電
3．5．5 微波放電
3．5．6 間接氣體等離子體源
3．5．7 陰極弧金屬等離子體源
3．5．8 其他等離子體源
3．6 大功率高壓脈沖電源
3．6．1 脈沖調(diào)制器的主要技術(shù)指標(biāo)
3．6．2 脈沖調(diào)制器輸出的平均功率
3．6．3 脈沖調(diào)制器阻抗
3．6．4 開關(guān)裝置
3．6．5 脈沖調(diào)制器控制方式
3．6．6 高壓脈沖調(diào)制器類型
3．6．7 脈沖變壓器
3．6．8 PⅢD系統(tǒng)過(guò)程診斷和控制
3．7 PⅢD設(shè)備安全與防護(hù)
3．7．1 電氣安全
3．7．2 可靠接地
3．7．3 PⅢD設(shè)備安全自鎖
3．7．4 電磁輻射安全
3．7．5 真空處理室安全
3．7．6 真空處理室維修安全
3．7．7 壓縮氣體容器
3．7．8 化學(xué)藥品的安全使用
參考文獻(xiàn)
第4章 PⅢ過(guò)程的計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬
4．1 理論模型
4．1．1 郎謬爾動(dòng)態(tài)鞘層模型
4．1．2 流體模型
4．1．3 Particle—in—cell模型
4．2 典型零部件PⅢ過(guò)程的數(shù)值模擬
4．2．1 多個(gè)軸承滾珠的PⅢ處理過(guò)程
4．2．2 軸承內(nèi)外套圈PⅢ過(guò)程的數(shù)值模擬
4．3 基于脈沖高壓輝光放電的軸承外圈滾道PⅢ批量處理的數(shù)值模擬
4．4 典型零部件PⅢ表面處理工藝參數(shù)的選擇
4．4．1 高壓脈沖幅值的選擇
4．4．2 等離子體密度的選擇
4．4．3 脈沖電壓寬度的選擇
4．4．4 被處理零件合理擺放位置
參考文獻(xiàn)
第5章 PⅢD表面處理工藝及應(yīng)用
5．1 PⅢD表面處理工藝
5．1．1 離子注入工藝
5．1．2 薄膜制備工藝
5．1．3 PⅢD復(fù)合處理工藝及應(yīng)用
5．2 聚合物的PⅢD表面改性
5．3 機(jī)械零件的PⅢD批量處理工藝
5．3．1 平面形狀零件的PⅢD批量處理工藝及應(yīng)用
5．3．2 圓柱形零件的PⅢD批量處理工藝及應(yīng)用
5．3．3 零件內(nèi)表面的PⅢD批量處理工藝及應(yīng)用
5．3．4 球形零件的PⅢD批量處理工藝及應(yīng)用
5．4 改性層表面分析與表面檢測(cè)
參考文獻(xiàn)
結(jié)束語(yǔ) 等離子體浸泡式離子注入與沉積（ PⅢD）技術(shù)前景展望
附錄1 主要英文縮寫
附錄2 主要物理常數(shù)
附錄3 公式
附錄4 單位換算表