核輻射探測(cè)及核技術(shù)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)

前言
基礎(chǔ)篇
緒論
第一章 數(shù)理統(tǒng)計(jì)概念
第二章 測(cè)量數(shù)據(jù)的處理
第三章 實(shí)驗(yàn)室總體布置
第四章 核輻射防護(hù)基本知識(shí)
上篇
實(shí)驗(yàn)1 核輻射探測(cè)系統(tǒng)及測(cè)量?jī)x表
實(shí)驗(yàn)2 G-M計(jì)數(shù)管的信息傳送和放大
實(shí)驗(yàn)3 放射性現(xiàn)象的統(tǒng)計(jì)特征
實(shí)驗(yàn)4 a射線在空氣中的吸收
實(shí)驗(yàn)5 Nal（ Tl）閃爍探測(cè)器的組成及其“坪”曲線的測(cè)定
實(shí)驗(yàn)6 Nal（ Tl）閃爍譜儀測(cè)定γ射線譜及能量刻度
實(shí)驗(yàn)7 γ輻射儀的標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)8 γ射線在物質(zhì)中的吸收
實(shí)驗(yàn)9 鈾礦床（模型）的勘探
實(shí)驗(yàn)10 正比計(jì)數(shù)器測(cè)定元素X射線譜
實(shí)驗(yàn)11 康普頓一吳有訓(xùn)散射譜與散射角的關(guān)系
實(shí)驗(yàn)12 等效密度測(cè)定（骨密度計(jì)）
實(shí)驗(yàn)13 鍍層、涂層厚度的X射線熒光測(cè)量方法
下篇
實(shí)驗(yàn)14 直流高壓獲取與性能測(cè)試
實(shí)驗(yàn)15 線性脈沖放大電路的仿真
實(shí)驗(yàn)16 平方反比定律的驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)17　CMOS單道脈沖幅度分析器
實(shí)驗(yàn)18 釷射氣220 Rn半衰期及衰變常數(shù)的測(cè)定
實(shí)驗(yàn)19 β射線在物質(zhì)中的吸收
實(shí)驗(yàn)20 γ射線穿過(guò)物質(zhì)時(shí)儀器譜成分的變化
實(shí)驗(yàn)21 散射料位測(cè)量
實(shí)驗(yàn)22 γ射線反散射譜的影響因素
實(shí)驗(yàn)23 半導(dǎo)體探測(cè)器γ譜儀
實(shí)驗(yàn)24 熱釋光測(cè)量原理及最佳測(cè)試條件的選擇
實(shí)驗(yàn)25 BF3中子計(jì)數(shù)器及中子場(chǎng)分布
實(shí)驗(yàn)26 天然放射性方法測(cè)定礦石中的鈾含量
實(shí)驗(yàn)27 正比計(jì)數(shù)器工作狀態(tài)的選擇
實(shí)驗(yàn)28 能量色散X熒光分析技術(shù)--譜測(cè)量與分析
實(shí)驗(yàn)29 Si（ Li）半導(dǎo)體探測(cè)器
實(shí)驗(yàn)30 X射線管-Si-PIN X射線譜儀特性研究
實(shí)驗(yàn)31 輕元素薄膜厚度測(cè)量
實(shí)驗(yàn)32 吸收法料位測(cè)量
實(shí)驗(yàn)33 γ散射法探測(cè)介質(zhì)內(nèi)部缺陷
實(shí)驗(yàn)34 水中泥沙含量測(cè)定
實(shí)驗(yàn)35 中子活化反應(yīng)及生成核素半衰期測(cè)定
研究性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)36 覆蓋層下圖像的研究
實(shí)驗(yàn)37 工業(yè)CT初探及圖象重建
實(shí)驗(yàn)38 活性炭吸附測(cè)環(huán)境中的氡濃度
實(shí)驗(yàn)39 增量法作單元素X射線熒光分析
實(shí)驗(yàn)40 蒙特卡羅方法模擬γ射線穿過(guò)物質(zhì)時(shí)譜成分的變化
附錄
附錄A 元素周期表
附錄B 元素吸收限及特征X射線能量
附錄C 天平的使用
附錄D 長(zhǎng)度的測(cè)量
附錄E 低功率高電壓的測(cè)量