晶體生長手冊1：晶體生長及缺陷形成概論

定　價：￥48.00

作　者：	（美）德哈納拉等主編
出版社：	哈爾濱工業(yè)大學出版社
叢編項：
標　簽：	化學晶體學自然科學

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ISBN：	9787560333861	出版時間：	2013-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	201	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　多年以來，有很多探索研究已經(jīng)成功地描述了晶體生長的生長工藝和科學，有許多文章、專著、會議文集和手冊對這一領域的前沿成果做了綜合評述。這些出版物反映了人們對體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長，這是由于它們的電子、光學、機械、微結構以及不同的科學和技術應用引起的。實際上，大部分半導體和光器件的現(xiàn)代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發(fā)展則是不可能的。這些文章致力于生長機制的基本理解、缺陷形成、生長工藝和生長系統(tǒng)的設計，因此數(shù)量是龐大的。本手冊針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者了解經(jīng)常使用的生長工藝、材料生產(chǎn)和缺陷產(chǎn)生的基本知識。為完成這一任務，我們精選了50多位頂尖科學家、學者和工程師，他們的合作者來自于22個不同國家。這些作者根據(jù)他們的專業(yè)所長，編寫了關于晶體生長和缺陷形成共計52章內(nèi)容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現(xiàn)代的特別課題。

作者簡介

暫缺《晶體生長手冊1：晶體生長及缺陷形成概論》作者簡介

圖書目錄

縮略語Part A晶體生長基礎及缺陷形成1.晶體生長技術和表征：綜述　1.1發(fā)展歷史　1.2晶體生長理論　1.3晶體生長技術　1.4晶體缺陷及表征　參考文獻2.表面成核　2.1晶體環(huán)境相平衡　2.2晶核形成及工作機理　2.3成核率　2.4飽和晶核密度　2.5在同質(zhì)外延中的第二層成核　2.6異質(zhì)外延中的聚集機理　2.7表面活性劑對成核的影響　2.8結論與展望　參考文獻3.溶液中的晶體生長形態(tài)　3.1相平衡　3.2晶體的生長相理論　3.3影響晶體特性的因素　3.4表面結構　3.5晶體缺陷　3.6成核動力學一一過飽和　3.7溶劑　3.8雜質(zhì)　3.9其他因素　3.10晶體特性變化過程　3.11小結　3.A附錄　參考文獻4.晶體生長過程中缺陷的生長及演變　4.1綜述　4.2包晶　4.3條紋和生長區(qū)　4.4位錯　4.5孿晶　4.6溶液中快速生長完整晶體　參考文獻5.沒有約束條件下的單晶生長　5.1背景　5.2光滑和粗糙的接觸面：生長機理和形態(tài)學　5.3表面微形貌　5.4多面體材料晶體的生長形貌　5.5內(nèi)部形態(tài)　5.6完整單晶　參考文獻6.熔體生長晶體期間缺陷的形成　6.1綜述　6.2點缺陷　6.3位錯　6.4第二相粒子　6.5面缺陷　6.6孿晶　6.7總結　參考文獻