產(chǎn)業(yè)專利分析報告：功率半導(dǎo)體器件（第10冊）

第1章 研究概述
1.1 技術(shù)概況
1.1.1 主要功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用
1.1.2 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3 行業(yè)需求
1.2 研究對象和方法
1.2.1 技術(shù)分解
1.2.2 數(shù)據(jù)檢索
1.2.3 查全查準(zhǔn)評估
1.2.4 數(shù)據(jù)處理
1.2.5 相關(guān)事項和約定
第2章 功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)＠治?br />2.1 全球?qū)＠治?br />2.1.1 發(fā)展趨勢分析
2.1.2 首次申請國家／地區(qū)分析
2.1.3 目標(biāo)國家／地區(qū)分析
2.1.4 申請人分析
2.2 中國專利分析
2.2.1 中國專利申請發(fā)展趨勢分析
2.2.2 主要技術(shù)分析
2.2.3 專利申請的國別分析
2.2.4 專利申請的省市／地區(qū)區(qū)域分布
2.2.5 國內(nèi)外申請人的類型分析
2.2.6 主要申請人分析
2.3 結(jié)論
第3章 IGBT領(lǐng)域?qū)＠暾埛治?br />3.1 IGBT領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)技術(shù)概況
3.1.1 技術(shù)概況
3.1.2 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
3.2 全球?qū)＠暾埇F(xiàn)狀
3.2.1 技術(shù)構(gòu)成分析
3.2.2 IGBT結(jié)構(gòu)的技術(shù)發(fā)展路線
3.2.3 首次申請國家／地區(qū)分析
3.2.4 目標(biāo)國家／地區(qū)分析
3.2.5 申請人分析
3.3 中國專利申請現(xiàn)狀
3.3.1 申請趨勢分析
3.3.2 技術(shù)構(gòu)成分析
3.3.3 技術(shù)功效分析
3.3.4 國外申請人區(qū)域分布分析
3.3.5 中國申請人區(qū)域分布分析
3.3.6 主要申請人分析
3.3.7 小結(jié)
3.4 結(jié)論
3.4.1 全球申請
3.4.2 中國申請
第4章 SiC器件專利申請分析
4.1 全球?qū)＠暾埇F(xiàn)狀
4.1.1 申請趨勢分析
4.1.2 技術(shù)生命周期分析
4.1.3 技術(shù)構(gòu)成分析
4.1.4 申請人國家／地區(qū)分布
4.1.5 申請人分析
4.2 中國專利申請現(xiàn)狀
4.2.1 申請趨勢分析
4.2.2 技術(shù)構(gòu)成分析
4.2.3 申請人分析
4.3 MOSFET柵氧化膜技術(shù)分析
4.3.1 發(fā)展路線分析
4.3.2 中國申請技術(shù)布局
4.3.3 未來需重點(diǎn)關(guān)注的相關(guān)申請
4.4 結(jié)論
4.4.1 全球申請狀況
4.4.2 中國申請狀況
4.4.3 MOSFET柵氧化膜技術(shù)
第5章 英飛凌公司專利申請分析
5.1 專利申請現(xiàn)狀
5.1.1 申請量趨勢分析
……
第6章 ABB公司專利申請分析
第7章 重要專利篩選及分析
第8章 主要結(jié)論
附錄1 重要專利列表
附錄2 SiCMOSFET器件柵氧化膜技術(shù)未來需要關(guān)注的相關(guān)申請
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表索引