坩堝下降法晶體生長

定　價：￥59.00

作　者：	徐家躍，范世（馬豈）著
出版社：	化學工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	化學晶體學自然科學

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ISBN：	9787122218643	出版時間：	2015-03-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	210	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

《坩堝下降法晶體生長》對坩堝下降法的歷史進行總結(jié)回顧，并分章節(jié)重點介紹幾種功能晶體的生長和應(yīng)用，其中包括閃爍晶體鍺酸鉍、硅酸鉍及其混晶，四硼酸鋰壓電晶體生長與應(yīng)用，鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能，鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的應(yīng)用，弛豫鐵電單晶生長于表征進展，鎢酸鎘閃爍晶體的坩堝下降法生長研究，中紅外非線性光學晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征等。此外，依據(jù)研究對象和目的的不同，本專著還對坩堝下降法的一些技術(shù)創(chuàng)新工作進行了介紹。

作者簡介

徐家躍，上海應(yīng)用技術(shù)學院，教授，博導(dǎo)，工作業(yè)績：徐家躍教授長期從事功能晶體的坩堝下降法生長技術(shù)研究，先后主持過包括國家863項目、中國科學院重大項目、國家自然科學基金項目、上海市青年科技啟明星計劃項目等多項研發(fā)課題，在壓電晶體LBO、新型弛豫鐵電晶體PZNT、非線性光學晶體KLN、半導(dǎo)體ZnO及GaAs晶體等研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新方面取得了一些重要研究成果，并在國際上首創(chuàng)底部籽晶法（BSSG）等新生長技術(shù)，在國內(nèi)外重要學術(shù)刊物上發(fā)表論文150余篇，申請國家發(fā)明專利10余項，出版專著2部。采用多坩堝下降法研制并生產(chǎn)的新型壓電晶體LBO，被日本、韓國等多家國際大公司采用，累計產(chǎn)值已超過7000萬元，該項目1993年獲得中科院科技進步一等獎、1995年獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎、1997年獲得國家專利局與世界知識產(chǎn)權(quán)組織聯(lián)合頒發(fā)的“中國專利創(chuàng)造發(fā)明金獎”。
　　主要社會兼職：現(xiàn)任中國能源學會副理事長、中國硅酸鹽學會晶體分會理事、中國光學會光學材料分會理事、國家人工晶體材料標準化委員會委員、全國頻率器件選擇用壓電材料標準化委員會委員、上海市硅酸鹽學會理事、上海市新材料協(xié)會理事以及《無機材料學報》、《硅酸鹽學報》、《人工晶體學報》等刊物編委。

圖書目錄

第1章歷史回顧
1.1 早期工作
1.2 下降法生長鹵化物單晶
1.3 下降法生長半導(dǎo)體單晶
1.4 下降法生長氧化物晶體
參考文獻

第2章閃爍晶體鍺酸鉍、硅酸鉍及其混晶
2.1 概述
2.2 鍺酸鉍晶體
2.2.1 晶體生長
2.2.2 晶體缺陷
2.2.3 晶體性能
2.2.4 應(yīng)用舉例
2.3 硅酸鉍晶體
2.3.1 Bi2O3 SiO2贗二元系相圖
2.3.2 原料合成
2.3.3 晶體生長
2.3.4 生長缺陷
2.3.5 閃爍性能及摻雜改性
2.3.6 其他物理性能
2.3.7 BSO晶體應(yīng)用
2.4 硅鍺酸鉍混晶
2.4.1 固溶特性
2.4.2 晶體生長
2.4.3 閃爍性能
參考文獻

第3章四硼酸鋰壓電晶體生長與應(yīng)用
3.1 概述
3.1.1 壓電晶體
3.1.2 四硼酸鋰晶體
3.1.3 四硼酸鋰晶體生長
3.2 坩堝下降法生長
3.2.1 原料合成
3.2.2 下降法生長
3.2.3 工業(yè)化生長
3.3 晶體缺陷
3.3.1 氣泡和包裹物
3.3.2 串芯與云層
3.3.3 開裂
3.3.4 孿晶
3.3.5 位錯及其他缺陷
3.4 物理性能
3.4.1 基本性能
3.4.2 壓電性能
3.4.3 光學性能
3.4.4 其他物理性能
3.5 SAW性能及應(yīng)用
3.5.1 SAW性能
3.5.2 晶片加工
3.5.3 SAW器件
3.6 總結(jié)與展望
參考文獻

第4章鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能
4.1 概述
4.2 NaI：Tl晶體
4.2.1 晶體生長
4.2.2 NaI：Tl晶體的閃爍性能
4.3 碘化銫
4.3.1 晶體生長
4.3.2 碘化銫晶體的閃爍性能
4.4 BaF2晶體
4.4.1 晶體生長
4.4.2 晶體性能
4.5 PbF2晶體
4.6 SrI2：Eu晶體
4.6.1 晶體生長
4.6.2 晶體性能
4.7 稀土鹵化物閃爍晶體——LaCl3：Ce和LaBr3：Ce
4.7.1 晶體生長
4.7.2 晶體性能
4.8 展望
參考文獻

第5章鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的應(yīng)用
5.1 概述
5.2 PWO晶體的結(jié)構(gòu)特性與缺陷
5.2.1 PWO晶體的結(jié)構(gòu)
5.2.2 PWO晶體的缺陷
5.3 PWO晶體生長
5.3.1 PWO晶體的提拉法生長
5.3.2 PWO晶體的坩堝下降法生長
5.3.3 PWO晶體的坩堝下降法生長設(shè)備
5.3.4 PWO晶體的坩堝下降法生長工藝及優(yōu)化
5.3.5 PWO晶體定向與加工
5.3.6 PWO晶體生長工藝參數(shù)總結(jié)
5.4 PWO晶體閃爍性能
5.4.1 PWO晶體的發(fā)光和光輸出
5.4.2 PWO晶體的發(fā)光衰減
5.4.3 PWO晶體的輻照硬度
5.5 PWO晶體的摻雜效應(yīng)
5.5.1 一價、二價陽離子摻雜
5.5.2 三價陽離子摻雜
5.5.3 高價（五、六價陽離子）摻雜
5.5.4 一價陰離子摻雜
5.6 高光輸出PWO晶體研究
5.7 PWO晶體的應(yīng)用與展望
5.7.1 高能物理
5.7.2 醫(yī)用閃爍體
5.7.3 Cherenkov輻射體
5.7.4 光電子應(yīng)用
5.7.5 快離子導(dǎo)體材料
參考文獻

第6章弛豫鐵電單晶生長與表征的進展
6.1 概述
6.2 弛豫鐵電單晶的生長
6.2.1 PZN PT和PMN PT
6.2.2 高居里溫度的弛豫鐵電 PT二元系晶體
6.2.3 高居里溫度的弛豫鐵電三元系晶體
6.3 弛豫鐵電晶體的表征
6.3.1 晶體取向?qū)π阅艿挠绊?br>6.3.2 電場引發(fā)的相變
6.3.3 外部直流偏壓下的介電性能
6.4 商業(yè)應(yīng)用和未來展望
6.4.1 單晶壓電驅(qū)動器
6.4.2 醫(yī)學超聲成像換能器
6.4.3 聲吶換能器
參考文獻

第7章閃爍晶體鎢酸鎘坩堝下降法生長研究
7.1 閃爍晶體鎢酸鎘的研究進展
7.1.1 概述
7.1.2 晶體結(jié)構(gòu)
7.1.3 基本性能
7.1.4 晶體生長方法
7.2 閃爍晶體鎢酸鎘的坩堝下降法生長
7.2.1 多晶料制備
7.2.2 晶體生長
7.2.3 若干生長技術(shù)問題
7.2.4 晶體缺陷
7.2.5 性能表征
7.2.6 摻雜晶體的研究
7.3 總結(jié)
參考文獻

第8章中紅外非線性光學晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征
8.1 概述
8.2 ZnGeP2晶體
8.2.1 ZnGeP2晶體的結(jié)構(gòu)
8.2.2 ZnGeP2晶體的生長
8.2.3 ZnGeP2晶體的缺陷
8.2.4 ZnGeP2晶體性能與應(yīng)用
8.3 CdGeAs2晶體
8.3.1 CdGeAs2晶體的結(jié)構(gòu)
8.3.2 CdGeAs2晶體的生長
8.3.3 CdGeAs2晶體的缺陷
8.3.4 CdGeAs2晶體的應(yīng)用
參考文獻

第9章日本氧化物晶體坩堝下降法生長研究
9.1 概述
9.2 磁性應(yīng)用Mn Zn鐵氧體單晶
9.2.1 概述
9.2.2 傳統(tǒng)坩堝下降法生長Mn Zn鐵氧體單晶
9.2.3 坩堝下降法連續(xù)進料晶體生長
9.2.4 小結(jié)
9.3 閃爍探測器用鎢酸鉛PbWO4（PWO）單晶
9.3.1 概述
9.3.2 晶體生長
9.3.3 生長方向和坩堝厚度
9.3.4 熔體成分效應(yīng)
9.3.5 X射線衍射分析
9.3.6 小結(jié)
9.4 Bi4Si3O12（BSO）單晶生長
9.4.1 概述
9.4.2 小尺寸BSO晶體生長
9.4.3 大尺寸BSO晶體進展
9.4.4 Ce摻雜提高BSO晶體輻照硬度
9.4.5 小結(jié)
9.5 Nd摻雜BSO——一種新型的激光晶體
9.5.1 概述
9.5.2 Nd摻雜BSO晶體生長
9.5.3 光學性能和壽命測試
9.5.4 小結(jié)
9.6 聲波器件應(yīng)用大尺寸Li2B4O7（LBO）晶體生長
9.6.1 概述
9.6.2 LBO主要性能
9.6.3 下降法晶體生長
9.6.4 小結(jié)
9.7 總結(jié)
參考文獻

第10章坩堝下降法技術(shù)創(chuàng)新
10.1 概述
10.2 改進型坩堝下降法
10.3 助熔劑坩堝下降法
10.3.1 通氣誘導(dǎo)成核
10.3.2 ZnO晶體生長
10.3.3 PZNT晶體生長
10.4 底部籽晶法生長技術(shù)
10.4.1 底部籽晶法
10.4.2 PZNT晶體生長
10.4.3 SLN晶體生長
10.5 高溫坩堝下降法生長藍寶石
10.6 定向凝固生長大尺寸硅單晶
10.7 冷坩堝法生長釔穩(wěn)定氧化鋯
10.8 多坩堝下降法生長GaAs單晶
參考文獻