碳化硅及其復合材料的制造與應用

第1章 SiC材料概論
1．1 SiC的性質
1．2 SiC微粉
1．2．1 SiC粉體制造技術
1．2．2 SiC粉體的應用
1．3 SiC晶須
1．3．1 SiC晶須簡介
1．3．2 SiC晶須制備技術
1．4 SiC一維納米材料
1．4．1 一維SiC納米材料性質
1．4．2 一維SiC納米材料制造技術
1．4．3 一維納米線的生長機理
1．5 SiC陶瓷
1．5．1 SiC陶瓷燒結技術
1．5．2 SiC陶瓷的工程應用
1．6 Cf／SiC基復合材料
1．6．1 Cf／SiC基復合材料簡介
1．6．2 Cf／SiC基復合材料的制備
1．6．3 SiC基復合材料的應用
第2章 SiC粉體改性與應用
2．1 SiC粉體改性技術
2．1．1 SiC粉體改性簡介
2．1．2 SiC粉體的表面改性技術
2．1．3 SiC顆?；瘜W鍍銅研究實例
2．2 水基SiC陶瓷料漿的穩(wěn)定行為
2．2．1 料漿的穩(wěn)定機理
2．2．2 料漿穩(wěn)定影響因素
2．2．3 SiC水基料漿實例研究
2．3 SiC顆粒摻雜銅基復合材料
2．3．1 SiCp／Cu基封裝材料的研究現(xiàn)狀
2．3．2 SiCp／Cu基復合材料制造技術
2．3．3 SiCp／Cu基復合材料實例研究
第3章 SiCw增強復合材料
3．1 晶須增韌復合材料界面與性能
3．2 SiCw增強陶瓷基復合材料
3．2．1 SiCw／玻璃陶瓷基復合材料
3．2．2 SiCw／Al2O3基復合材料
3．2．3 SiCw／ZrB2基復合材料
3．2．4 SiCw／MoSi2基復合材料
3．2．5 SiCw／Si3N4基復合材料
3．2．6 SiCw／SiC基復合材料
3．3 SiCw增強高聚物基復合材料
3．3．1 改善晶須／聚合物界面的方法
3．3．2 SiCw改性聚合物研究
3．4 SiCw增強金屬基復合材料
3．4．1 金屬基復合材料制造技術
3．4．2 SiCw增強鎂基復合材料
3．4．3 SiCw增強銅基復合材料
3．4．4 SiCw增強Ti（C，N）基復合材料
3．4．5 SiCw增強鋁基復合材料
3．5 SiCw增強鋁基復合材料研究實例
3．5．1 金屬基復合材料的熱殘余應力分析
3．5．2 金屬基復合材料的熱膨脹行為研究
3．5．3 金屬基復合材料的微蠕變和回復探討
3．5．4 SiCw／Al復合材料的制備與表征
3．5．5 SiCw／Al復舍材料熱殘余應力與變形
3．5．6 SiCw／Al復合材料的熱應變
3．5．7 加熱過程中SiCw／Al復合材料熱膨脹系數(shù)與熱錯配應力
3．5．8 冷卻過程中SiCw／Al復合材料熱膨脹系數(shù)與熱錯配應力
第4章 短碳纖維增韌SiC基復合材料
4．1 Csf／SiC基復合材料簡介
4．2 熱壓燒結Al2O3／Y2O3系列Cf／SiC陶瓷
4．2．1 燒結溫度對Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．2．2 助劑比例對Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．2．3 碳纖維含量對Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．3 短碳纖維增韌SiC復合材料
4．3．1 助劑體系參數(shù)的設計
4．3．2 物相組成與微觀結構分析
4．3．3 力學性能與斷裂機制分析
第5章 一維SiC納米材料與復合材料
5．1 一維SiC納米材料基本構型
5．1．1 SiC納米棒、納米帶與納米線
5．1．2 SiC納米管與中空納米纖維
5．1．3 SiC納米光纜
5．1．4 SiC納米陣列
5．2 Csf／SiC納米線協(xié)同增韌SiC復合材料
5．2．1 Csf／SiCnw增韌SiC基復合材料設計
5．2．2 熱處理溫度的影響
5．2．3 熱處理時間的影響
5．2．4 SiC納米線生長機制
5．2．5 SiC納米線增韌機制
第6章 SiC基陶瓷的燒結
6．1 SiC陶瓷燒結助劑概論
6．1．1 SiC陶瓷的固相燒結
6．1．2 SiC陶瓷的液相燒結
6．2 無壓燒結Al2O3-La2O3-SiC陶瓷
6．2．1 助劑含量對SiC陶瓷性能的影響
6．2．2 燒結溫度對SiC陶瓷性能的影響
6．2．3 助劑比例對SiC陶瓷性能的影響
6．3 無壓燒結Al2O3-Er2O3-SiC／B4C復相陶瓷
6．3．1 燒結溫度對SiC／B4C復相陶瓷的影響
6．3．2 B4C含量對SiC／B4C復相陶瓷的影響
6．4 無壓燒結Al2O3-Yb2O3-SiC／B4C復相陶瓷
6．4．1 SiC／B4C陶瓷燒結致密化
6．4．2 SiC／B4C陶瓷相分析與組織觀察
6．5 熱壓Cp／SiC復合材料
6．5．1 Cp／SiC復合材料設計
6．5．2 Cp／SiC復合粉體分析
6．5．3 熱壓Cp／SiC材料微觀結構
6．5．4 熱壓Cp／SiC材料性能表征
6．5．5 熱壓Cp／SiC材料氧化行為
參考文獻