光伏產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)匯編：光伏材料、輔料卷

第一部分：晶硅材料
GB／T 1550一1997 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法
GB／T 1551—2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
GB／T 1553—2009 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法
GB／T 1554—2009 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB／T 1555—2009 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB／T 1557—2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法
GB／T 1558—2009 硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法
GB／T 2881—2014 工業(yè)硅
GB／T 4059—2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法
GB／T 4060—2007 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法
GB／T 4061—2009 硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB／T 12962—2005 硅單晶
GB／T 12963—2014 電子級(jí)多晶硅
GB／T 13389—2014 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
GB／T 14144—2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法
GB／T 24574—2009 硅單晶中Ⅲ一V族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法
GB／T 24579—2009 酸浸取原子吸收光譜法測(cè)定多晶硅表面金屬污染物
GB／T 24580—2009 重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法
GB／T 24581—2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法
GB／T 24582—2009 酸浸取一電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)
Q／0601 YKB001—2014 炭炭二維板
Q／0611 YTL001—2012 超純氮化物粉體
第二部分：蓄電池、輔料及設(shè)備
GB／T 2900．41—2008 電工術(shù)語(yǔ)原電池和蓄電池
GB／T 5238—2009 鍺單晶和鍺單晶片
GB／T 9505—2010 蒸散型鋇吸氣劑
GB／T 17473．7—2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 可焊性、耐焊性測(cè)定
GB／T 22473—2008 儲(chǔ)能用鉛酸蓄電池
GB／T 25074—2010 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅
GB／T 25075—2010 太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶
GB／T 25076—2010 太陽(yáng)電池用硅單晶
GB／T 26071—2010 太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片
GB／T 26072—2010 太陽(yáng)能電池用鍺單晶
GB／T 29054—2012 太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊
GB／T 29055—2012 太陽(yáng)電池用多晶硅片
GB／T 29848—2013 光伏組件封裝用乙烯一醋酸乙烯酯共聚物(EVA)膠膜
GB／T 29849—2013 光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法
GB／T 29850—2013 光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法
GB／T 29851—2013 光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法
GB／T 29852—2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法
GB／T 30859—2014 太陽(yáng)能電池用硅片翹曲度和波紋度測(cè)試方法
GB／T 30860—2014 太陽(yáng)能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測(cè)試方法
GB／T 30861—2014 太陽(yáng)能電池用鍺襯底片
GB／T 30869—2014 太陽(yáng)能電池用硅片厚度及總厚度變化測(cè)試方法
GB／T 31034—2014 晶體硅太陽(yáng)電池組件用絕緣背板
JB／T 2599—2012 鉛酸蓄電池名稱(chēng)、型號(hào)編制與命名方法
JB／T 10439—2004 單晶爐 TDR系列直拉法單晶爐
JG／T 449—2014 建筑光伏組件用聚乙烯醇縮丁醛(PVB)膠膜
JG／T 450—2014 建筑光伏組件用乙烯一醋酸乙烯共聚物(EVA)膠膜
YS／T 612—2014 太陽(yáng)能電池用漿料