光電成像導論

第1章 光電發(fā)射體的半導體物理基礎
1．1 載流子復合動力學
1．1．1 非平衡載流子的注入與復合
1．1．2 載流子復合過程的動力學
1．1．3 載流子復合一生成中心的來源
1．2 半導體表面附近的能帶彎曲
1．2．1 p型半導體表面附近的能帶彎曲
1．2．2 n型半導體表面附近的能帶彎曲
1．2．3 Ⅲ-V族半導體表面附近的能帶彎曲
1．2．4 獲得負電子親和勢的必要條件
1．3 光電發(fā)射的基本概念
1．3．1 光電發(fā)射中心與光電發(fā)射的三個基本過程
1．3．2 金屬與半導體光電發(fā)射的比較
1．3．3 光電陰極的光吸收
1．3．4 光電子的逸出深度與能量散射機構(gòu)
1．4 光電陰極的量子產(chǎn)額
1．4．1 光電子的發(fā)射概率
1．4．2 到達表面后的電子，具有剩余動能E的幾率函數(shù)
1．4．3 負電子親和勢光電陰極的量子產(chǎn)額
1．4．4 正電子親和勢光電陰極的量子產(chǎn)額
1．4．5 正電子親和勢光電陰極與負電子親和勢光電陰極的比較
1．5 半導體光電發(fā)射體的熱電子發(fā)射
1．5．1 半導體光電發(fā)射體的熱電子發(fā)射
1．5．2 熱發(fā)射電子的初速分布和由發(fā)射電子引起的陰極冷卻效應
第2章 光電成像器件
2．1 真空光電成像器件
2．1．1 靜電透鏡
2．1．2 近貼聚焦電子透鏡
2．1．3 同心球聚焦電子透鏡
2．1．4 靜電陰極透鏡（靜電聚焦成像系統(tǒng)）
2．1．5 電磁聚焦電子透鏡
2．1．6 光電導攝像管
2．1．7 微光像增強器
2．2 固體攝像器件
2．2．1 電荷耦合攝像器件（CCD）
2．2．2 CMOS攝像器件
2．2．3 電荷注入器件（CID）
2．3 紅外成像器件
2．3．1 紅外焦平面器件
2．3．2 紅外熱成像器件
2．3．3 紅外熱成像器件原理和結(jié)構(gòu)
第3章 真空光電成像器件的信噪比
3．1 光電倍增器的噪聲
3．2 真空光電成像器件的噪聲
3．3 真空光電成像器件信噪比表達式
3．4 真空光電成像器件信噪比公式簡化
第4章 光電微光成像
4．1 微光
4．2 微光下的視覺探測
4．2．1 理想探測器的羅斯方程
4．2．2 夏根（Schagn）方程
4．2．3 弗利斯一羅斯定律
4．3 直視型微光成像系統(tǒng)
4．3．1 直視型微光成像系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
4．3．2 直視型微光成像系統(tǒng)對像增強器的要求
4．3．3 直視型微光成像系統(tǒng)的性能
4．3．4 直視型微光成像系統(tǒng)視距估算
4．4 微光電視
4．4．1 微光電視的特點
4．4．2 微光攝像機
4．4．3 微光電視系統(tǒng)的性能
4．4．4 微光電視系統(tǒng)的視距估算
4．5 微光圖像光子計數(shù)器
4．5．1 微光圖像光子計數(shù)器的工作原理
4．5．2 微光圖像光子計數(shù)成像系統(tǒng)
第5章 紅外圖像成像系統(tǒng)
5．1 紅外輻射的基本理論
5．1．1 紅外輻射特性
5．1．2 紅外輻射度學基礎
5．1．3 紅外輻射的基本定律
5．2 主動紅外成像系統(tǒng)
5．2．1 系統(tǒng)組成和工作原理
5．2．2 紅外探照燈
5．2．3 紅外變像管
5．2．4 大氣后向散射和選通原理
5．2．5 主動紅外夜視系統(tǒng)的視距
5．3 紅外熱成像系統(tǒng)
5．3．1 概述
5．3．2 光機掃描熱成像系統(tǒng)
5．3．3 凝視型熱成像系統(tǒng)
5．3．4 熱釋電紅外成像系統(tǒng)
5．3．5 熱成像系統(tǒng)的性能評價
第6章 激光成像
6．1 激光成像雷達
6．1．1 激光成像雷達系統(tǒng)
6．1．2 激光成像雷達系統(tǒng)的性能評價
6．1．3 機載激光雷達成像系統(tǒng)
6．1．4 條紋管激光成像-
6．1．5 激光水下成像
6．2 激光全息照相
6．2．1 激光全息照相的基本原理
6．2．2 激光全息照相的特點和要求
6．2．3 激光全息照相的應用
6．2．4 數(shù)字全息技術(shù)
6．3 激光顯示
6．3．1 激光顯示原理
6．3．2 激光投影顯示
第7章 醫(yī)學成像
7．1 x射線成像系統(tǒng)
7．1．1 X射線成像的物理基礎
7．1．2 投影X射線成像
7．1．3 X射線計算機斷層成像
7．2 放射性核素成像系統(tǒng)
7．2．1 放射性核素成像的物理基礎
7．2．2 閼障嗷ú
7．2．3 發(fā)射型計算機斷層掃描
參考文獻