線性集成電路器件設(shè)計、應(yīng)用

第1章 線性集成電路的制造及其裝置
1.1 概述
1.2 集成電路的分類
1.3 集成電路的制造
1.4 硅晶片的制備
1.5 外延生長
1.6 氧化
1.7 光刻法
1.8 擴散
1.9 離子注入
1.10 絕緣技術(shù)
1.11 金屬化
1.12裝配工藝及封裝
1.13 集成裝置
1.14 固態(tài)晶體管
1.15 固態(tài)二極管
1.16 固態(tài)電阻器
1.17 固態(tài)電容器
1.18 固態(tài)電感器
1.19金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）集成電路
第2章 模擬電路
2.1 概述
2.2 有源器件
2.3 晶體管的伏安特性
2.4 最大電壓和電流極限
2.5 偏置雙極型和場效應(yīng)晶體管
2.6 模擬開關(guān)
2.7 電流源
2.8 MOSFET的恒流偏置
第3章 差分放大器
3.1 概述
3.2 射極跟隨器
3.3 長尾式差動放大器
3.4 增量模型的概念
3.5 源極跟隨器
3.6 耦 合
3.7 復(fù)合晶體管對
3.8 差分放大器
3.9 有源負(fù)載
3.10 增加輸入電阻
3.11 JFET差分放大器
3.12 差分放大器的結(jié)構(gòu)
3.1 3 自動調(diào)零及斬波運算放大器
3.1 4 MOS場效應(yīng)管差分放大器
3.1 5 電平變換
第4章 運算放大器參數(shù)
4.1 概述
4.2 運算放大器的基本要素
4.3 直流效應(yīng)和限制
4.4 輸入偏置和補償電流
4.5 噪聲增益
4.6 輸入補償電壓（V.1 0）
4.7 漂移
4.8 共模抑制比（CMRR）
4.9 供電電源抑制比（PSRR）
4.10 交流影響和限制
4.11 頻率響應(yīng)和相位裕度
4.12 增益帶寬積（GBW）
4.13 上升時間
4.14 轉(zhuǎn)換率
4.15 全功率帶寬
4.1 6 交流噪聲
第5章 反相和同相放大器
5.1 概述
5.2 反饋系統(tǒng)
5.3 運算放大器
5.4 運算放大器的基本結(jié)構(gòu)
5.5 開環(huán)放大器
5.5.1 線性運行
5.5.2 非線性運行
5.6 閉環(huán)放大器
5.7 741運算放大器
……
第6章 電壓比較器
第7章 寬帶放大器
第8章 功率放大器
第9章 測量放大器及橋式放大器
第10章 調(diào)制器、解調(diào)器和變頻器
第11章 非線性放大器及鎖相環(huán)
第12章 D/A及A/D轉(zhuǎn)換器
第13章 定時器及波形發(fā)生器
第14章 有源濾波器及開關(guān)電容器電路
第15章 穩(wěn)壓器
第16章 線性集成電路的應(yīng)用