模擬電路的ESD設計

定　價：￥79.00

作　者：	（美）瓦西琴柯，（美）西布柯夫著，劉忠立等譯
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	電子通信工業(yè)技術基本電子電路

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ISBN：	9787118093261	出版時間：	2014-01-01	包裝：
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內(nèi)容簡介

　　《模擬電路的ESD設計》首先介紹半導體結構、集成標準及ESD器件、ESD箝位設計原理以及ESD防護網(wǎng)絡設計原理，在此基礎上介紹單通道模擬集成電路的ESD保護以及電源管理模擬集成電路的ESD保護，最后介紹系統(tǒng)的ESD保護以及系統(tǒng)對分立元件的ESD要求。瓦西琴柯、西布柯夫譯著的《模擬電路的ESD設計》的目的，是幫助本領域的工作者們處理每天專業(yè)工作中遇到的模擬ESD設計問題，并在所有層面解決問題——從器件級ESD到集成自保護解決方案的實現(xiàn)。本書不僅用重要的實踐經(jīng)驗和技術知識來“武裝”讀者，而且增加了仿真體驗，這些體驗可以使讀者借助Angstrom公司的混合仿真軟件DECIMMTM的簡化版作進一步的發(fā)展。

作者簡介

暫缺《模擬電路的ESD設計》作者簡介

圖書目錄

第1章引言
1.1 ESD軟件工具Prism中的模擬及數(shù)字部分的內(nèi)容
1.2 重要的定義
1.2.1 ESD保護網(wǎng)絡
1.2.2 ESD箝位
1.2.3 最大限制的絕對值及脈沖SOA
1.2.4 ESD脈沖技術指標
1.2.5 擊穿及不穩(wěn)定性
引言的DECIMM TM仿真例子
第2章擊穿及注入情形下半導體結構中的電導調(diào)制
2.1 重要的定義及限制
2.1.1 基本的半導體結構
2.1.2 電導調(diào)制及負微分電阻
2.1.3 空間電流的不穩(wěn)定性、絲狀電流形成及抑制
2.1.4 快返回工作
2.1.5 本章內(nèi)容的方法要點
2.2 反向偏置p-n結的雪崩擊穿
2 2.1 雪崩擊穿現(xiàn)象的解析描述
2.2.2 p+一p-n結構中雪崩擊穿的數(shù)值分析
2.3 p-i-n結構中的雙雪崩注入
2.3.1 效應的解析描述
2 3.2 p-i-n二極管結構的解析描述
2.4 si n+一n-n+二極管結構中的雪崩注人
2.4.1 解析方法
2.4.2 仿真分析
2.5 n-p-n二極管結構中電導調(diào)制的不穩(wěn)定性
2.5.1 浮置基區(qū)中的電導調(diào)制：=極管I作模式
2.6 三極管n-p-n結構中的電導調(diào)制
2.6.1 基極接地UEB=O（BVCES）時的擊穿
2.6.2 發(fā)射極浮置IE=0時的情形
2.6.3 共發(fā)射極電路IB